國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“碳化硅晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法”的專利，公開號(hào)CN 119133236 A，申請(qǐng)日期為2024年8月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N碳化硅晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法。所述方法包括：形成一碳化硅襯底，所述碳化硅襯底內(nèi)形成有阱區(qū)，所述阱區(qū)內(nèi)形成有第一摻雜區(qū)；于所述第一摻雜區(qū)中形成凹槽并執(zhí)行離子注入形成延伸至所述阱區(qū)內(nèi)的第二摻雜區(qū)；于所述碳化硅襯底頂面形成柵極結(jié)構(gòu)以及完全包覆所述柵極結(jié)構(gòu)的柵介質(zhì)層；以及形成貫穿所述柵介質(zhì)層并至少部分暴露所述第二摻雜區(qū)的接觸孔，并于所述接觸孔內(nèi)形成與所述第二摻雜區(qū)相接觸的金屬硅化物層。本申請(qǐng)通過對(duì)形成于阱區(qū)內(nèi)的第一摻雜區(qū)進(jìn)行刻蝕形成凹槽，進(jìn)而在凹槽處形成延伸至阱區(qū)內(nèi)的第二摻雜區(qū)，可以降低第一摻雜區(qū)的區(qū)域壓降，從而達(dá)到有效降低器件VFSD的目的。