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CASICON晶體大會(huì)前瞻|深圳大學(xué)劉新科:低成本垂直氮化鎵功率器件

日期:2024-05-29 閱讀:406
核心提示:2024年6月21至23日,“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在山東濟(jì)南召開(kāi),深圳大學(xué)材料學(xué)院/射頻異質(zhì)異構(gòu)集成全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員劉新科受邀將出席會(huì)議并做《低成本垂直氮化鎵功率器件》的主題報(bào)告。

 頭圖

2024年6月21至23日,“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在山東濟(jì)南召開(kāi),將邀請(qǐng)新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)高校院所專家和知名企業(yè)代表出席,共同研討新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)進(jìn)展及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì),分享前沿研究成果,攜手助力我國(guó)新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

期間,深圳大學(xué)材料學(xué)院/射頻異質(zhì)異構(gòu)集成全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員劉新科受邀將出席會(huì)議并做《低成本垂直氮化鎵功率器件》的主題報(bào)告。近年來(lái),氮化鎵(GaN)基功率器件因其在高電壓和高溫操作下的超低導(dǎo)通損耗而吸引了相當(dāng)大的研究興趣,可用于下一代功率電子電路。最近,足夠大的GaN襯底的可用性使得GaN基器件的均外延生長(zhǎng)成為可能。通過(guò)氫化物氣相外延(HVPE)生長(zhǎng)的自立式(FS)GaN可以提供小于105 cm−2的穿透位錯(cuò)密度,這顯示出在GaN功率器件上制造高質(zhì)量垂直GaN的前景。報(bào)告將分享最新研究進(jìn)展與成果,敬請(qǐng)關(guān)注。

 劉新科

劉新科,材料學(xué)院研究員,博士生導(dǎo)師,中科院百人、廣東省自然科學(xué)基金杰出青年項(xiàng)目獲得者,從事氮化鎵功率器件與模塊研究。 迄今,以第一作者/通訊作者在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊Materials Today、Advanced Materials、IEEE EDL/TED等發(fā)表116篇SCI論文,總引用3097次, h-index 33;申請(qǐng)專利97項(xiàng),其中授權(quán)32項(xiàng)中國(guó)專利和1項(xiàng)美國(guó)專利,實(shí)現(xiàn)了28項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)讓。榮獲2021年日內(nèi)瓦發(fā)明展銀獎(jiǎng)(第二完成人)、2021年度廣東省高??萍汲晒D(zhuǎn)化電子信息小組賽二等獎(jiǎng)和總決賽銅獎(jiǎng)(第一完成人)、2022年廣東省自然科學(xué)基金杰出青年項(xiàng)目資助(個(gè)人)、榮獲2022年廣東省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)(第一完成人)、2022年中國(guó)電子學(xué)會(huì)科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)(第一完成人)、2022年廣東省電子學(xué)會(huì)科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)(第一完成人)、2023年深圳市青年科技獎(jiǎng)(提名人:毛軍發(fā)院士/校長(zhǎng))。

 一、組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位:

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

主辦單位:

山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司

山東華光光電子股份有限公司

山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院

山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(m.jycsgw.cn)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位:

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

協(xié)辦支持:

山東硅酸鹽學(xué)會(huì)新材料專委會(huì)

濟(jì)南晶谷研究院

江蘇通用半導(dǎo)體有限公司

北京中電科電子裝備有限公司

江蘇才道精密儀器有限公司

上海澈芯科技有限公司 

顧問(wèn)委員會(huì):

陳良惠 鄭有炓 吳以成 褚君浩 祝世寧 李樹(shù)深 王立軍 黃如 楊德仁 葉志鎮(zhèn) 江風(fēng)益 劉益春 羅毅 金奎娟 劉紀(jì)美

大會(huì)主席:張榮 徐現(xiàn)剛 吳玲

大會(huì)副主席:陳秀芳 趙璐冰 王垚浩 吳德華

程序委員會(huì):

李晉閩 沈波 康俊勇 張清純 馮淦 盛況 邱宇峰 張波 柏松 陳彤 修向前 黃凱 胡卉 伊?xí)匝?黎大兵 魏同波 張紫輝 鄧小川 劉斌 王曉亮 王新強(qiáng) 張進(jìn)成 吳軍 趙德剛 孫錢 楊學(xué)林 單崇新 于浩海 葉建東 王宏興 王篤福 王光緒 韓吉?jiǎng)?黃森 馮志紅 龍世兵 房玉龍 彭燕 徐明升 朱振 夏偉 楊祥龍 孫洪波 王成新 于國(guó)建 萬(wàn)成安 上官世鵬

組織委員會(huì):

李樹(shù)強(qiáng) 李強(qiáng) 高娜 張雷 寧?kù)o 閆方亮 崔瀠心 謝雪健 肖龍飛 薛軍帥 王榮堃  劉鵬 王雨雷 王?,| 賈欣龍 王守志 崔鵬 鐘宇 李沛旭 沈燕 杜軍軍 任穎 許建華 等

二、主題方向

1. 碳化硅晶體技術(shù)及其應(yīng)用

·大尺寸碳化硅單晶技術(shù)

·液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)

·碳化硅外延生長(zhǎng)技術(shù)

·先進(jìn)長(zhǎng)晶及外延碳材石墨技術(shù)

·碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

·先進(jìn)碳化硅長(zhǎng)晶爐及外延生長(zhǎng)裝備

·先進(jìn)晶體缺陷檢測(cè)技術(shù)及其設(shè)備

·先進(jìn)研磨設(shè)備及先進(jìn)拋光技術(shù)

·激光退火設(shè)備及技術(shù)

·先進(jìn)刻蝕設(shè)備及技術(shù)

·銀燒結(jié)封裝技術(shù)及先進(jìn)封裝設(shè)備

2. 氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用

·氮化鎵單晶及外延生長(zhǎng)技術(shù)

·氮化鎵功率及射頻器件技術(shù)

·超寬禁帶半導(dǎo)體單晶技術(shù)

·鈮酸鋰晶體技術(shù)制備

·大尺寸金剛石單晶生長(zhǎng)技術(shù)

·氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)

·氧化鎵外延及器件技術(shù)

·先進(jìn)AlN 單晶生長(zhǎng)技術(shù)及其應(yīng)用

·Micro LED 技術(shù)

3. 砷化鎵、磷化銦晶體及其應(yīng)用

·砷化鎵、磷化銦單晶及外延技術(shù)

·半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用

·車用激光雷達(dá)技術(shù)及應(yīng)用

·光通信技術(shù)及應(yīng)用

·紅外LED及顯示照明技術(shù)

三、會(huì)議日程(擬)

會(huì)議時(shí)間:2024年6月21-23日

會(huì)議酒店:山東·濟(jì)南融創(chuàng)施柏閣酒店

 日程概覽

四、擬參與單位

北方華創(chuàng)、百識(shí)電子、比亞迪半導(dǎo)體、長(zhǎng)飛半導(dǎo)體、東莞天域、東尼電子、華大半導(dǎo)體、華虹半導(dǎo)體、海思半導(dǎo)體、海創(chuàng)光電、瀚天天成、國(guó)星光電、基本半導(dǎo)體、江蘇宏微、晶盛機(jī)電、晶湛半導(dǎo)體、科友半導(dǎo)體、山東華光、連城數(shù)控、理想汽車、麥科信、南砂晶圓、日立、三安半導(dǎo)體、山東華光、山東華云光電、山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司、是德科技、三環(huán)集團(tuán)、爍科晶體、士蘭微、STR、蘇州納維、泰克科技、同光半導(dǎo)體、泰科天潤(rùn)、特思迪、ULVAC、先導(dǎo)新材、西門子、小鵬汽車、意法半導(dǎo)體、英飛凌、揚(yáng)杰科技、英諾賽科、中博芯、中電化合物、中電科二所、中電科十三所、中電科四十六所、中電科四十八所、中電科五十五所、中鎵半導(dǎo)體、中微公司、瞻芯電子、中芯國(guó)際、北京大學(xué)、東南大學(xué)、電子科技大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、清華大學(xué)、南京大學(xué)、山東大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、廈門大學(xué)、浙江大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、中科院微電子所等

五、活動(dòng)參與

1、注冊(cè)費(fèi)2800元,6月10日前注冊(cè)報(bào)名2500元(含會(huì)議資料袋,6月22日午餐、歡迎晚宴,6月23日自助午餐、晚餐)。企業(yè)展位預(yù)定中,請(qǐng)具體請(qǐng)咨詢。

2、掃碼報(bào)名

活動(dòng)行報(bào)名二維碼

掃碼完成預(yù)報(bào)名,然后再注冊(cè)繳費(fèi)

六、繳費(fèi)方式

①銀行匯款

開(kāi)戶行:中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào):336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動(dòng)支付

麥肯橋收款碼

備注:通過(guò)銀行匯款/移動(dòng)支付,請(qǐng)務(wù)必備注:?jiǎn)挝缓?jiǎn)稱+姓名,以便后續(xù)查詢及開(kāi)具發(fā)票。若需開(kāi)具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開(kāi)票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

七、聯(lián)系方式

報(bào)告及論文投稿聯(lián)系:

賈先生18310277858,jiaxl@casmita.com

白女士18888840079,bailu@casmita.com

參會(huì)及商務(wù)合作:

賈先生 18310277858,jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411,zhangww@casmita.com

段先生 13717922543,duanpf@casmita.com

 八、協(xié)議酒店

 酒店名稱:濟(jì)南融創(chuàng)施柏閣酒店(濟(jì)南市歷城區(qū)鳳鳴路5865號(hào))

 協(xié)議價(jià)格:大床/ 標(biāo)間  含早  500元/1-2份早餐

預(yù)訂方式:

發(fā)郵件到 預(yù)訂部  jnrcwlc@huazhu.com  抄送:victoria0001@hworld.com

2:郵件模本:晶體會(huì)議,姓名,電話,房型,入住時(shí)間,退房時(shí)間

3:酒店銷售經(jīng)理:謝文寧15966068948

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