亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發(fā)團隊:積沙成塔,用“芯”取得新突破

日期:2024-06-14 閱讀:604
核心提示:積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發(fā)青年突擊隊

 中國電子打造國家網(wǎng)信事業(yè)核心戰(zhàn)略科技力量、建設世界一流企業(yè)的偉大征程,離不開廣大青年人勠力同心、攻堅克難。為進一步發(fā)揮先進典型示范帶動作用,集團公司官微推出《中電青年志》融媒體報道,以推動高質(zhì)量發(fā)展為錨點,以發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力為己任,照見中國電子與時代同行的青年力量,用炙熱的筆觸描繪科創(chuàng)青春的強國之志,捕捉實干道路的奮斗姿態(tài),刻畫中國電子的奔涌活力。

積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發(fā)青年突擊隊:

積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發(fā)青年突擊隊是由一群朝氣蓬勃、敢于創(chuàng)新、勇于擔當?shù)那嗄昕萍脊ぷ髡呓M成的,團隊成員共12人,其中黨員8人,35周歲以下青年人數(shù)占比83%。團隊主要負責高壓隔離器芯片的核心工藝開發(fā)以及平臺的搭建,工藝平臺覆蓋2kV~5kV的超高耐壓范圍,可提供多種工藝方案以滿足客戶不同耐壓的需求,為國內(nèi)高壓隔離器芯片的制造新增了一支主力軍。

BCD復合高壓隔離器芯片,簡稱高壓隔離芯片,能夠保證強電電路和弱電電路之間信號傳輸?shù)陌踩?,避免強電電路的電流直接流到弱電電路,主要應用于工控、通信、新能源汽車等領域。隨著電子化和智能化的發(fā)展,高壓隔離芯片市場蓬勃發(fā)展。

積塔半導體迅速捕捉到高壓隔離芯片制造這片具有廣闊前景的市場。為了填補國內(nèi)高端高壓隔離芯片制造工藝的空白,解決車規(guī)級高壓隔離芯片制造工藝的關鍵性問題,2023年3月,積塔半導體組建了一支青年突擊隊進行高壓隔離芯片工藝開發(fā),突擊隊針對高壓隔離芯片制造工藝進行深入探討剖析和分解,歷時10個月實現(xiàn)了各關鍵技術難點突破,完成BCD復合高壓隔離器平臺工藝開發(fā),為客戶提供一套完整的工藝設計包以支持芯片設計和產(chǎn)品導入。

從舉步維艱到技術突破

工藝開發(fā)進入完成時

BCD復合高壓隔離器平臺開發(fā)包括工藝研發(fā)和制作工藝設計包兩大部分,平臺可以理解為“體系”。在工藝開發(fā)完成后,將工藝文件以及測試數(shù)據(jù)整理成一套完整的工藝設計包,才意味著平臺開發(fā)完成。而平臺開發(fā)的難點在于工藝研發(fā)。

高壓隔離芯片工藝研發(fā)以隔離柵高耐壓性能氧化層沉積技術開發(fā)為錨點,并開發(fā)與之配套的高均勻性超深孔刻蝕,超深通孔金屬填充及平坦化工藝,對各模組工藝開發(fā)均提出了挑戰(zhàn)。比如厚氧化層生長應力控制、超深孔刻蝕片內(nèi)均勻性控制、超深通孔金屬化填充控制、平坦化工藝停止點及研磨均勻性控制等等。

在工藝整合初期,團隊遇到各種新的工藝問題,特別是超厚介電層材料的引入,由此導致的晶圓翹曲而無法流片的問題給項目研發(fā)進度帶來很大的困難和挑戰(zhàn)。針對該技術瓶頸,團隊隊員每天定時定點開會研討工藝方案,集思廣益,并利用6sigma設計方法制定出一套最優(yōu)的實驗方案,歷時2個月探索出了一條可行的工藝流程,完美解決了晶圓翹曲度太大帶來的無法流片問題。“這支隊伍雖然資歷尚淺,但是研發(fā)能力和團隊協(xié)作能力很強,是一支非常優(yōu)秀的青年團隊。”高壓隔離器平臺開發(fā)技術副總監(jiān)黃永彬介紹到。

在整個隔離器工藝流程通線之后,隊員們沒有絲毫懈怠,迅速開展各關鍵工藝模塊的優(yōu)化,形成高效的工作機制。團隊定期召開技術交流會,分享最新研究成果和經(jīng)驗,針對工藝整合產(chǎn)生的新問題不斷優(yōu)化工藝條件。此外,團隊還積極查找業(yè)內(nèi)相關技術問題的文獻,進行頭腦風暴,對各關鍵模塊技術問題各個擊破。

 

2023年7月,在經(jīng)過近30次的技術交流會和數(shù)次內(nèi)部研討會后,團隊成功攻克9項技術難題,并且順利通過6項專利申請,按時完成項目各項關鍵任務,為客戶的隔離器產(chǎn)品流片和驗證打下了堅實的基礎。

從技術突破到客戶認可

為行業(yè)發(fā)展提供新動能

BCD復合高壓隔離器平臺的開發(fā)完成,意味著公司具備生產(chǎn)BCD復合高壓隔離器芯片的能力,可以支持客戶進行芯片設計和制造。

為深入了解客戶對高壓隔離芯片產(chǎn)品的需求,團隊積極與多家客戶開展了深入的溝通和交流。在高壓隔離芯片研發(fā)過程中,考慮到隔離柵介質(zhì)層材料對耐壓性能的影響,團隊積極探索各種材料組合,設計試驗方案,圍繞相關指標對BCD復合高壓隔離器平臺進行技術改造,最終提升了高壓隔離芯片的耐壓性能和穩(wěn)定性。在高壓隔離芯片制造效率方面,雖然整個高壓隔離芯片工藝流程有七百多道工藝步驟,但是僅歷時一個多月就完成了晶圓工藝流片,比預期流片時間縮短了1/5。

這些突破達成了高壓隔離芯片開發(fā)關鍵性能指標,為行業(yè)的發(fā)展提供了新的動力,提升了我國高壓隔離芯片制造的整體水平。

目前已經(jīng)有多家客戶的高壓隔離芯片在積塔進行產(chǎn)品導入,他們表示積塔制造的高壓隔離芯片耐壓超過國外代工廠的水準,在傳輸延遲和帶寬等關鍵性能指標上均能滿足其應用需求。

在芯片行業(yè)快速發(fā)展的時代,積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發(fā)青年突擊隊成員始終保持著對技術的熱情和追求,堅守崗位默默耕耘,不斷創(chuàng)新,以卓越的技術和無私的奉獻,奏響“請黨放心,強國有我”的青春強音。

來源:積塔半導體

打賞
聯(lián)系客服 投訴反饋  頂部