據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項(xiàng)名為“一種半導(dǎo)體器件的制作方法“，公開號CN202410458342.1，申請日期為2024年4月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述制作方法包括：提供一襯底，包括用于形成PMOS晶體管的第一區(qū)域和用于形成NMOS晶體管的第二區(qū)域；在襯底上形成多個(gè)偽柵極，分別設(shè)置在第一區(qū)域和第二區(qū)域上；在襯底上形成介質(zhì)層，介質(zhì)層的表面與偽柵極的表面齊平；去除偽柵極，形成凹部；在介質(zhì)層、凹部的底部和側(cè)壁上依次形成第一金屬功函數(shù)層和第二金屬功函數(shù)層；還原第二區(qū)域上的第二金屬功函數(shù)層，形成還原層；去除還原層；在第一區(qū)域的第二金屬功函數(shù)層上以及第二區(qū)域的第一金屬功函數(shù)層上形成金屬導(dǎo)電層。通過本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法，能夠提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性。