半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)根據(jù)公開(kāi)消息整理：寧德時(shí)代、現(xiàn)代汽車、華虹半導(dǎo)體、日本東芝等公司近期最新動(dòng)態(tài)，以及行業(yè)動(dòng)態(tài)如下（僅供參考）：

 

當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月3日，美國(guó)總統(tǒng)拜登以“應(yīng)對(duì)中國(guó)軍工企業(yè)威脅”為由簽署行政命令，將包括華為公司、中芯國(guó)際、中國(guó)航天科技集團(tuán)有限公司等59家中企列入投資“黑名單”，禁止美國(guó)人與名單所列公司進(jìn)行投資交易。聲明稱，該命令將于美東時(shí)間8月2日凌晨12時(shí)01分起生效。新命令是對(duì)美國(guó)政府此前一項(xiàng)針對(duì)中企命令的修訂，擴(kuò)大了打壓范圍，宣稱增加了所謂“民主”和“人權(quán)”的考慮。

 

6月3日，中國(guó)外交部發(fā)言人汪文斌在回答相關(guān)問(wèn)題時(shí)稱，美上屆政府出于政治目的實(shí)施針對(duì)所謂“涉軍企業(yè)”的投資禁令，完全無(wú)視事實(shí)和相關(guān)公司的實(shí)際情況，嚴(yán)重破壞了正常的市場(chǎng)規(guī)則和秩序，不僅損害中國(guó)企業(yè)的合法權(quán)益，也傷害包括美投資者在內(nèi)的全球投資者利益。美方應(yīng)尊重法治、尊重市場(chǎng)，糾正錯(cuò)誤，停止采取損害全球金融市場(chǎng)秩序和投資者合法權(quán)益的行徑。中方將采取必要措施，堅(jiān)決維護(hù)中國(guó)企業(yè)的正當(dāng)合法權(quán)益，堅(jiān)決支持中國(guó)企業(yè)依法維護(hù)自身權(quán)益。

 

6月3日，半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際團(tuán)體SEMI發(fā)布數(shù)據(jù)稱，2021年1-3月半導(dǎo)體制造設(shè)備的全球銷售額同比增長(zhǎng)51%，達(dá)到235億美元。隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的行情復(fù)蘇，韓國(guó)和中國(guó)的大型半導(dǎo)體廠商的設(shè)備投資變得活躍。

 

按國(guó)別來(lái)看，韓國(guó)為73億美元，成為世界最大市場(chǎng)，中國(guó)為59億美元，排在第2位。在這兩大市場(chǎng)，韓國(guó)三星電子和SK海力士等大型半導(dǎo)體廠商都在為增產(chǎn)存儲(chǔ)器而展開(kāi)積極投資。中國(guó)企業(yè)也在加快增長(zhǎng)，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)等宣布在世界最尖端水平的技術(shù)開(kāi)發(fā)方面取得成功。目前芯片代工商的產(chǎn)能普遍緊張，汽車等多個(gè)領(lǐng)域的芯片供不應(yīng)求，對(duì)8英寸晶圓的代工需求依舊強(qiáng)勁，部分廠商也在新建8英寸晶圓廠，在設(shè)備方面依舊會(huì)有較高的支出。

SEMI指出，今年全球芯片制造商在8英寸晶圓廠設(shè)備方面的支出，將達(dá)到40億美元，較去年的30億美元增加明顯。

 

日前，有消息稱全球幾大晶圓代工廠將二季度代工價(jià)較上一季度再次上調(diào)10-20%，整體漲幅與第一季度相似。但從個(gè)別合同來(lái)看，部分代工價(jià)漲幅高達(dá)50%。據(jù)韓媒ETNews援引一位韓國(guó)Fabless廠負(fù)責(zé)人表示：“我們的客戶要求增加產(chǎn)品的供應(yīng)，所以我們以高出50%的價(jià)格與代工商續(xù)簽合同。因?yàn)樗麄冿@然不能以之前的價(jià)格提供我們要求的晶圓數(shù)量。”同時(shí)，一些Fabless廠已被通知明年一月的晶圓代工價(jià)格將上漲10%。提前確認(rèn)下一年合同的漲價(jià)，這在往年并不多見(jiàn)。此次漲價(jià)主要是源于不斷增長(zhǎng)的對(duì)模擬芯片、功率半導(dǎo)體和顯示驅(qū)動(dòng)芯片等的需求，以及8英寸代工產(chǎn)能的長(zhǎng)期短缺以及行業(yè)有限的生產(chǎn)能力。

 

東芝開(kāi)發(fā)了一種功率半導(dǎo)體，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，可將電源打開(kāi)和關(guān)閉時(shí)的功率損耗降低多達(dá) 40.5%。安裝在可再生能源系統(tǒng)、電動(dòng)汽車 (EV）、鐵路、工業(yè)設(shè)備等中的電源轉(zhuǎn)換器可以變得高效。為實(shí)現(xiàn)碳中和（溫室氣體排放幾乎為零）社會(huì)作出貢獻(xiàn)。東芝開(kāi)發(fā)了“IGBT（絕緣柵雙極晶體管）”，這是一種功率半導(dǎo)體。絕緣柵雙極晶體管(IGBT）本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè)P型層。根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)IEC/TC(CO）1339文件建議，其各部分名稱基本沿用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的相應(yīng)命名。除了采用具有三柵電極的新結(jié)構(gòu)外，東芝還開(kāi)發(fā)了一種高精度開(kāi)關(guān)控制技術(shù)。三柵電極構(gòu)造是指在結(jié)晶硅型太陽(yáng)能電池單元的表面形成3條主柵線（bus bar）電極的構(gòu)造，與原來(lái)采用兩條主柵線電極的構(gòu)造相比，可在增大采光面積的同時(shí)降低電極電阻，因此受到越來(lái)越多的采用。

 

因此，與傳統(tǒng)的IGBT半導(dǎo)體相比，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的功率損耗降低了 50%，開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的功率損耗降低了 28%（整體高達(dá) 40·5%）。東芝將在未來(lái) 2-3 年內(nèi)確定商業(yè)化的問(wèn)題，并爭(zhēng)取早日實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該半導(dǎo)體的詳細(xì)信息將在5月30日至6月3日在線舉行的功率半導(dǎo)體國(guó)際會(huì)議“ISPSD2021”上公布。

 

業(yè)內(nèi)人士透露，韓國(guó)現(xiàn)代汽車旗下的零部件子公司現(xiàn)代摩比斯正在與韓國(guó)IC設(shè)計(jì)公司討論開(kāi)發(fā)汽車半導(dǎo)體。韓媒TheElec指出，這一項(xiàng)目在內(nèi)部被稱為“ES”，即現(xiàn)代集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)Chung Eui-sun的名字縮寫(xiě)。消息人士稱，由于這一項(xiàng)目是以集團(tuán)領(lǐng)導(dǎo)人的名字命名，因此現(xiàn)代摩比斯可能會(huì)全力以赴確保項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)。據(jù)悉，現(xiàn)代已經(jīng)與合作公司及潛在合作對(duì)象簽署了保密協(xié)議，項(xiàng)目相關(guān)參與者也一并簽署了保密協(xié)議。

 

報(bào)道指出，現(xiàn)代將提出具體的芯片規(guī)格和功能需求，被其選中的公司將根據(jù)訂單進(jìn)行設(shè)計(jì)。這家韓國(guó)汽車零部件供應(yīng)商可能會(huì)先開(kāi)發(fā)車載信息娛樂(lè)芯片。之后，現(xiàn)代將轉(zhuǎn)向更加復(fù)雜的芯片產(chǎn)品，比如：MCU、電源管理IC以及高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS)所需SoC。隨著全球汽車半導(dǎo)體供應(yīng)持續(xù)緊張，汽車制造商開(kāi)始意識(shí)到參與芯片開(kāi)發(fā)與制造的重要性。不過(guò)這并不是現(xiàn)代第一次嘗試自己做芯片，早在2012年，該公司曾成立現(xiàn)代奧創(chuàng)(Hyundai Autron)開(kāi)汽車半導(dǎo)體，但最后不了了之。奧創(chuàng)于去年12月與現(xiàn)代摩比斯合并，意味著其今年將繼續(xù)擔(dān)起造芯重任。

 

據(jù)路透社報(bào)道，知情人士透露，寧德時(shí)代正計(jì)劃在上海新建一座大型汽車電池工廠。其中一名知情人士表示，該工廠每年的電池產(chǎn)能將達(dá)到80 GWh，超過(guò)目前69.1GWh的產(chǎn)能。上海建廠選址將接近特斯拉的工廠，寧德時(shí)代去年開(kāi)始向特斯拉供貨，知情人士還表示，這將使寧德時(shí)代擁有比總部更大、更多元化的人才庫(kù)。擴(kuò)張計(jì)劃可能會(huì)給特斯拉其他供應(yīng)商如松下、LG化學(xué)帶來(lái)競(jìng)爭(zhēng)壓力。知情人士表示，寧德時(shí)代一直在與上海市政府就建設(shè)工廠進(jìn)行談判。目前尚不清楚最終協(xié)議何時(shí)敲定，也不清楚寧德時(shí)代希望新工廠何時(shí)投產(chǎn)。

 

特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，股份代號(hào)：1347.HK）宣布，其90納米BCD工藝憑借高性能指標(biāo)及較小的芯片面積等優(yōu)質(zhì)特色，受到眾多客戶青睞，在華虹無(wú)錫12英寸生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。