今天，斯達半導(dǎo)體發(fā)布公告稱，將融資35億元，用于建設(shè)SiC芯片、功率模塊等項目。而在今年3月，斯達已經(jīng)為SiC芯片等項目融資35億元。

“三代半風向”發(fā)現(xiàn)，斯達在碳化硅領(lǐng)域的投資合計約為34億元，年產(chǎn)能目標包括：6萬片6英寸SiC芯片和8億顆車規(guī)級全碳化硅模組。

 

 

6月17日，斯達發(fā)布了非公開發(fā)行A股股票預(yù)案，計劃為4個項目募資35億元，其中，與碳化硅相關(guān)的項目有2個，包括“SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”和“功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目”，合計金額為12億元。 

而在今年3月2日，斯達剛通過非公開發(fā)行股票，募集35億元，其中20億元用于“高壓特色工藝功率芯片和SiC研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”，預(yù)計將形成年產(chǎn)36萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。
 

2020年12月18日，斯達還曾擬投資2.2947億元建設(shè)全碳化硅功率模組產(chǎn)業(yè)化項目，已建設(shè)車規(guī)級全碳化硅功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測試中心。

 

根據(jù)公告，斯達這次募資主要有兩個目的，一是研發(fā)車規(guī)級SiC芯片，實現(xiàn)進口替代，二是通過自動化擴大SiC模塊產(chǎn)能。

據(jù)斯達介紹，目前他們在600V/650V、1200V、1700V等中低壓IGBT 芯片已經(jīng)實現(xiàn)國產(chǎn)化，但是SiC芯片仍依賴進口，所以他們希望通過實施“SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，來實現(xiàn)國產(chǎn)化，從而提高公司的競爭力。
 

根據(jù)公告，“SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目總投資金額為5億元，預(yù)計將形成年產(chǎn)6萬片6英寸SiC芯片生產(chǎn)能力，項目實施主體為嘉興斯達微電子有限公司。
 

另外，斯達還表示，目前斯達的車規(guī)級SiC模塊已經(jīng)獲得國內(nèi)外多家著名車企和Tier1 客戶的項目定點，進口替代比率也持續(xù)提高。
 

據(jù)“三代半風向”了解，2020年6月，宇通客車宣布和斯達半導(dǎo)體等合作開發(fā)的1200V SiC功率模塊。

與此同時，斯達也看好碳化硅未來的發(fā)展前景，隨著新能源汽車、新能源發(fā)電等行業(yè)的需求拉動，呈現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，將對公司 2022-2028年車規(guī)級 SiC 模塊銷售增長提供持續(xù)推動力。
 

因此，為了進一步擴大公司產(chǎn)能，斯達希望通過實施“功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目”，對IGBT、SiC模塊為主生產(chǎn)線進行自動化改造。據(jù)介紹，該項目總投資金額為7億元，預(yù)計將形成新增年產(chǎn)400萬片的功率半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)能力（包括IGBT）。
 

根據(jù)斯達2020年的公告，斯達車規(guī)級全碳化硅功率模組的年產(chǎn)能目標為8萬顆。
 

公告還顯示，斯達已經(jīng)成立了SiC芯片和模塊設(shè)計中心，建設(shè)完備的產(chǎn)品可靠性實驗室和工況模擬實驗室，購置先進的芯片、模塊設(shè)計軟件和熱分析模擬軟件，可實現(xiàn)產(chǎn)品的性能、動靜態(tài)、工況模擬等測試。此外，斯達還在海外設(shè)立了歐洲研發(fā)中心，協(xié)同斯達進行尖端芯片和模塊的研發(fā)及測試。