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三菱考慮找臺積電代工功率半導(dǎo)體

日期:2021-06-17 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察閱讀:254
核心提示:全球晶圓代工龍頭臺灣臺積電近來屢屢被日媒報導(dǎo)稱計畫在日本熊本縣興建半導(dǎo)體工廠,對此日本三菱電機(jī)(Mitsubishi Electric)表示
全球晶圓代工龍頭臺灣臺積電近來屢屢被日媒報導(dǎo)稱計畫在日本熊本縣興建半導(dǎo)體工廠,對此日本三菱電機(jī)(Mitsubishi Electric)表示,考慮在功率半導(dǎo)體的代工上找臺積電合作。
 
日本媒體Sankei Biz 17日報導(dǎo),三菱電機(jī)考慮找臺積電合作、代工生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。臺積電盛傳計劃在日本熊本縣興建半導(dǎo)體工廠,對此三菱電機(jī)社長衫山武史接受「FujiSankei Business i」采訪表示,「和該公司(三菱電機(jī))的工廠、研發(fā)據(jù)點距離很近,在代工上進(jìn)行合作是十分有可能的」。
 
半導(dǎo)體制造工程可大致分為在矽晶圓上形成電路的「前段制程」和進(jìn)行組裝、封測等的「后段制程」,三菱電機(jī)在熊本縣合志市擁有前段制程主力工廠、在福岡市擁有后段制程主力工廠和研發(fā)據(jù)點,且因看好功率半導(dǎo)體需求增加,因此三菱電機(jī)去年收購夏普位于廣島縣福山市的土地和廠房,將作為前段制程生產(chǎn)據(jù)點于今秋啟用生產(chǎn)。
 
報導(dǎo)指出,要提高產(chǎn)能就必須進(jìn)行巨額投資,因此在前段制程中,三菱電機(jī)已將表面加工部分委托給臺灣晶圓代工廠進(jìn)行,因此若臺積電真在熊本縣興建工廠的話,三菱電機(jī)基于分散風(fēng)險考量、考慮將前段制程的表面加工生產(chǎn)委托給臺積電。
 
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體的研發(fā)、制造,因全球減碳動向加快,讓作為電動車(EV)核心零件的功率半導(dǎo)體今后需求看增。目前日系廠商在功率半導(dǎo)體市場上擁有一定的存在感,三菱電機(jī)、富士電機(jī)、東芝等3家廠商合計握有全球2成市占。
 
臺積電傳擬在熊本蓋16/28納米廠
 
日經(jīng)新聞6月10日報導(dǎo),據(jù)多家供應(yīng)商干部指出,因日本政府向臺積電提出要求、希望臺積電能在日本生產(chǎn)先進(jìn)芯片,也讓臺積電開始進(jìn)行實際評估,考慮在日本熊本縣興建一座使用12吋硅晶圓的大規(guī)模工場,該座工廠也將成為臺積電位于日本的首座半導(dǎo)體工廠。
 
報導(dǎo)指出,臺積電考慮在日本興建的半導(dǎo)體工廠將導(dǎo)入16納米或28納米技術(shù),和現(xiàn)行最先進(jìn)的5納米之間雖有差距,不過是活用于汽車、智能手機(jī)等眾多產(chǎn)品的重要技術(shù)。
 
日刊工業(yè)新聞5月26日報導(dǎo),在日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省主導(dǎo)下,Sony、臺積電有可能會合資在日本熊本縣興建半導(dǎo)體工廠。經(jīng)產(chǎn)省將居中協(xié)調(diào)、和關(guān)系人士進(jìn)行調(diào)整,預(yù)估將以前段制程為中心、總投資額預(yù)估達(dá)1兆日圓以上。只是上述建廠計劃能否實現(xiàn)要看日本政府能否大幅擴(kuò)增當(dāng)前遜于歐美的補助金等援助對策。
 
據(jù)報導(dǎo),在上述建廠構(gòu)想中,Sony、臺積電預(yù)估會在2021年內(nèi)設(shè)立半導(dǎo)體制造合資公司,將由臺積電居主導(dǎo)權(quán)、且Sony以外的日本企業(yè)也可能會進(jìn)行部分出資,而計劃興建的前段制程工廠將落腳于Sony位于熊本縣菊陽町的影像感測器工廠附近。
 
日本市調(diào)機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)6月10日公布調(diào)查報告指出,2020年功率半導(dǎo)體市場雖陷入萎縮,不過自2021年以后,因車輛電子化、5G通訊相關(guān)投資增加,加上產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域需求回復(fù),因此預(yù)估市場將轉(zhuǎn)趨擴(kuò)大,預(yù)估2030年市場規(guī)模將達(dá)4兆471億日圓、將較2020年成長44.3%。
 
富士經(jīng)濟(jì)表示,自2021年以后,在汽車/電子設(shè)備需求加持下,預(yù)估碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導(dǎo)體市場將以每年近20%的速度呈現(xiàn)增長,2030年市場規(guī)模預(yù)估為2,490億日圓、將較2020年跳增3.8倍(成長約380%)。
 
其中,因汽車/電子設(shè)備需求加持,來自中國大陸、北美、歐洲的需求揚升,預(yù)估2030年SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將擴(kuò)大至1,859億日圓、將較2020年跳增2.8倍;GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大至166億日圓、將較2020年飆增6.5倍;氧化鎵功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估為465億日圓。
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