半導體產業(yè)網根據公開消息整理：中微半導體、英特爾、斯達、三菱、日立、SK海力士、比亞迪等公司近期最新動態(tài)，以及行業(yè)動態(tài)如下（僅供參考）：
 

據媒體報道，全球功率半導體龍頭英飛凌正在醞釀新一輪產品漲價，MOSFET的漲幅將有12%，預計本月中旬執(zhí)行。還有多家功率半導體廠商也在近期發(fā)布了漲價通知。英飛凌之外，ST、安森美、安世半導體等全球領先的功率半導體廠商也于近期紛紛發(fā)布漲價通知，ST宣布全系列產品將于6月1日開始漲價；安森美也宣布部分產品價格上調，生效日期定于今年7月10日；安世半導體宣布于6月7日提高公司產品價格。國外廠商產生的產能缺口，客觀上促進了功率半導體的國產替代進程。士蘭微、斯達半導、新潔能、蘇州東微、華微電子等國產品牌的芯片產品對于進口產品產生了較大的挑戰(zhàn)，但是產能有限，交期也在拉長，通常在3個月以上。

 

近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微半導體”）首臺8英寸甚高頻去耦合反應離子（CCP）刻蝕設備Primo AD-RIE 200順利付運客戶生產線。據悉，Primo AD-RIE 200刻蝕設備是中微半導體自主研發(fā)的新一代8英寸甚高頻去耦合反應離子（CCP）刻蝕設備，能夠滿足不同客戶8英寸晶圓的加工需求，同時可靈活配置多達三個雙反應臺反應腔（即六個反應臺）。此外，Primo AD-RIE 200還提供了可升級至12英寸刻蝕設備系統(tǒng)的靈活解決方案，以滿足客戶生產線未來可能擴產的需求。

 

最近，英特爾在官網表示，他們將展示首款氮化鎵 (GaN) 穩(wěn)壓器，其優(yōu)值是硅器件的10倍，峰值效率超過94%。這款穩(wěn)壓器最獨特之處在于，采用了5項技術，將GaN功率和GaN射頻晶體管，與硅PMOS的整合成一個片上系統(tǒng)，既可以實現高頻操作，又可以實現高功率密度。而且該器件是基于12英寸硅晶圓，這在業(yè)界很少見，成本也非常有優(yōu)勢。

 

6月17日，斯達發(fā)布了非公開發(fā)行A股股票預案，計劃為4個項目募資35億元，其中，與碳化硅相關的項目有2個，包括“SiC芯片研發(fā)及產業(yè)化”和“功率半導體模塊生產線自動化改造項目”，合計金額為12億元。

 

今年3月2日，斯達剛通過非公開發(fā)行股票，募集35億元，其中20億元用于“高壓特色工藝功率芯片和SiC研發(fā)及產業(yè)化項目”，預計將形成年產36萬片功率半導體芯片的生產能力。2020年12月18日，斯達還曾擬投資2.2947億元建設全碳化硅功率模組產業(yè)化項目，已建設車規(guī)級全碳化硅功率模組生產線和研發(fā)測試中心。根據公告，斯達這次募資主要有兩個目的，一是研發(fā)車規(guī)級SiC芯片，實現進口替代，二是通過自動化擴大SiC模塊產能。

 

臺積電近來屢屢被日媒報導稱計畫在日本熊本縣興建半導體工廠，對此日本三菱電機(Mitsubishi Electric)表示，考慮在功率半導體的代工上找臺積電合作。日本媒體Sankei Biz 17日報導，三菱電機考慮找臺積電合作、代工生產功率半導體。

 

臺積電盛傳計劃在日本熊本縣興建半導體工廠，對此三菱電機社長衫山武史接受「FujiSankei Business i」采訪表示，“和該公司(三菱電機)的工廠、研發(fā)據點距離很近，在代工上進行合作是十分有可能的”。報道指出，要提高產能就必須進行巨額投資，因此在前段制程中，三菱電機已將表面加工部分委托給臺灣晶圓代工廠進行，因此若臺積電真在熊本縣興建工廠的話，三菱電機基于分散風險考量、考慮將前段制程的表面加工生產委托給臺積電。

 

美國參議院兩黨近期投票通過一項立法，計劃在未來五年里撥款520億美元用于支持國內半導體芯片制造。英特爾和臺積電都已承諾斥資百億美元籌建晶圓廠，日本電子公司日立(Hitachi)也已計劃在美國俄勒岡州希爾斯伯勒建造一個大型半導體研究工廠。
 

據外媒Oregon Live報道，日立表示，該公司現有的希爾斯伯勒工廠一直在與其美國客戶就芯片制造技術進行合作。新工廠將“鞏固并拓展其技術開發(fā)能力”，以期在美國進一步提升半導體技術。報道指出，盡管新工廠不從事芯片制造，但日立似乎已經押注未來幾年內美國半導體制造的增長。俄勒岡州的經濟發(fā)展機構 Business Oregon 表示，日立不會獲得該州政府的激勵措施。新工廠能夠的節(jié)省的費將取決于它在建筑和內部設備上的花費。
 

無錫日報報道，位于無錫高新區(qū)的SK海力士集成電路產業(yè)園計劃今年8月開工建設。據悉，該產業(yè)園將以SK海力士為龍頭，挖掘園區(qū)對晶圓制造供應鏈企業(yè)的吸引力，集聚國內外裝備、關鍵零部件、研發(fā)培訓中心等，加快形成集成電路產業(yè)鏈企業(yè)群，目前已接洽產業(yè)和科技項目37個，其中2個即將落地。2020年1月16日，SK海力士與無錫高新區(qū)簽署投資合作協議共建集成電路產業(yè)園。項目總投資20億元，重點圍繞SK海力士上下游產業(yè)鏈，著力打造以SK海力士為龍頭、各類優(yōu)質配套企業(yè)和研發(fā)培訓中心聚集的半導體產業(yè)總部經濟集群。

 

日前，比亞迪發(fā)布公告稱,在股東大會中,股東表決通過分拆所屬子公司比亞迪半導體股份有限公司至創(chuàng)業(yè)板上市。據此前公告顯示,比亞迪股份擬將控股子公司比亞迪半導體分拆至深交所創(chuàng)業(yè)板上市。本次分拆完成后,比亞迪股份股權結構不會因本次分拆而發(fā)生變化,且仍將維持對比亞迪半導體的控制權(持股72.3%)。這意味著比亞迪半導體獨立上市的工作正式拉開序幕。比亞迪公司希望通過本次分拆,進一步提升比亞迪半導體的投融資能力以及市場競爭力將進一步增強,有利于上市公司突出主業(yè)、增強獨立性,有助于提升比亞迪整體盈利水平。比亞迪半導體主營功率半導體、智能控制IC、智能傳感器及光電半導體的研發(fā)、生產及銷售。

 

近日，證監(jiān)會按法定程序同意格科微有限公司（以下簡稱“格科微”）科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票注冊。格科微及其承銷商將分別與上海證券交易所協商確定發(fā)行日程，并陸續(xù)刊登招股文件。

招股書注冊稿顯示，格科微本次發(fā)行的募投項目投資總額合計約74.29億元，其中擬使用募集資金69.6億元，主要用于12英寸CIS集成電路特色工藝研發(fā)與產業(yè)化項目和CMOS圖像傳感器研發(fā)項目。

 

其中，12英寸CIS集成電路特色工藝研發(fā)與產業(yè)化項目投資總額68.45億元，建設期2年，擬采用募集資金投資63.76億元，將在上海臨港新片區(qū)新建12英寸BSI晶圓后道產線。產線主要用于生產制造中高階BSI圖像傳感器所需的12英寸BSI晶圓。項目建成后格科微將擁有月產20,000片BSI晶圓的產能。CMOS圖像傳感器研發(fā)項目總投資額為5.84億元，建設期為3年，建設投入包括研發(fā)場地的租賃、裝修，購置研發(fā)所需設備，以及研發(fā)過程中所需的模具試制費、流片費、測試費、軟件使用費和研發(fā)人員支出等。

 

格科微表示，公司本次募集資金運用均圍繞主營業(yè)務進行。其中，12英寸CIS集成電路特色工藝研發(fā)與產業(yè)化項目在全球BSI晶圓供給趨緊的背景下，通過“自建產線、分段加工”的方式保障12英寸BSI晶圓的供應，實現對CIS特殊工藝關鍵生產步驟的自主可控，鞏固并提升公司的市場地位和綜合競爭力。

 

CMOS圖像傳感器研發(fā)項目結合公司的產品規(guī)劃及整體戰(zhàn)略目標，一方面對現有產品進行成本優(yōu)化和性能提升，進一步擴大公司在中低階CIS產品中的競爭優(yōu)勢和市場份額；另一方面積極開發(fā)高像素產品，豐富產品梯次，為公司的可持續(xù)發(fā)展提供有力的技術支撐。