近日,東莞市天域半導體科技有限公司(以下簡稱“天域半導體”)工商信息發(fā)生變更,其中,注冊資本從9027.0589萬元增至9770.4638萬元,同時新增深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)(有限合伙)(以下簡稱“深圳哈勃”)為股東。
資料顯示,天域半導體成立于2009年1月7日,是我國首家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅外延片研發(fā)、生產和銷售的高新技術企業(yè)。目前公司已引進3臺世界一流的SiC-CVD及配套檢測設備,生長技術已達到國際先進水平。
2010年,天域半導體與中國科學院半導體研究所合作,共同創(chuàng)建碳化硅研究所。天域半導體可提供4英寸、6英寸碳化硅外延晶圓,是制作各種單極、雙極型碳化硅功率器件的關鍵材料。
深圳哈勃成立于2021年4月15日,注冊資本20億元,為華為旗下公司,其股東包括華為技術有限公司、華為終端(深圳)有限公司、哈勃科技投資有限公司。天域半導體市深圳哈勃投資的第三家半導體企業(yè),在此之前曾投資了強一半導體、云英谷等。