晶圓廠設(shè)備部門，包括晶圓加工、晶圓廠設(shè)施和掩模/掩模版設(shè)備，預(yù)計到2021 年將飆升 34% 至817 億美元的行業(yè)新紀(jì)錄，2022 年將增長 6% 至超過860 億美元.

 

由于全球工業(yè)數(shù)字化對前沿技術(shù)的強勁需求，代工和邏輯部門占晶圓廠設(shè)備總銷售額的一半以上，將同比增長 39%，到2021 年達(dá)到457 億美元。預(yù)計 2022 年增長勢頭將繼續(xù)，代工和邏輯設(shè)備投資將再增長 8%。

對內(nèi)存和存儲的強勁需求正在推動對 NAND 和 DRAM 制造設(shè)備的支出。DRAM 設(shè)備部門預(yù)計將在 2021 年引領(lǐng)擴張，飆升 46%，超過140 億美元。預(yù)計 2021 年 NAND 閃存設(shè)備市場將增長 13% 至174 億美元，2022 年將分別增長9% 至189 億美元。

 

在先進封裝應(yīng)用的推動下，組裝和封裝設(shè)備部門預(yù)計到2021 年將增長 56%，達(dá)到 60 億美元，然后在 2022 年增長 6%。半導(dǎo)體測試設(shè)備市場預(yù)計將在 2021 年增長 26% 至76 億美元，并在 2022 年根據(jù)對 5G 和高性能計算 (HPC) 應(yīng)用的需求再增長 6%。

 

從地區(qū)來看，韓國、中國臺灣和中國大陸預(yù)計仍將是 2021 年設(shè)備支出的前三大目的地，其中韓國憑借強勁的內(nèi)存復(fù)蘇以及對前沿邏輯和代工的強勁投資而位居榜首。預(yù)計 2021 年跟蹤的所有地區(qū)的設(shè)備支出都將增長。   

 

 

由于多種積極因素，用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源和反應(yīng)氣體子系統(tǒng)的銷售額有望在 2016 年至 2021 年間實現(xiàn) 23% 的復(fù)合年增長率 (CAGR)——遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過關(guān)鍵子系統(tǒng)行業(yè) 16.4% 的平均水平。

 

Process power和反應(yīng)氣體子系統(tǒng)約占半導(dǎo)體制造設(shè)備關(guān)鍵子系統(tǒng)支出的 13%，高于 2016 年的 9.8%。這種異常增長的驅(qū)動因素是：

 

提高半導(dǎo)體制造的真空強度

 

每個腔室使用的射頻功率子系統(tǒng)的平均數(shù)量增加

 

更高功率子系統(tǒng)的趨勢，這會吸引更高的價格

 

使用更高頻率的電源子系統(tǒng)，這通常更昂貴

 

 

 

多重圖案化和 3D NAND 在大批量制造中的出現(xiàn)顯著增加了沉積和蝕刻工藝步驟的數(shù)量。

 

對于 3D NAND，更長、更困難的蝕刻工藝需要更全面的電源解決方案。

 

有趣的是，按工具類型對電源子系統(tǒng)的分析表明，絕大多數(shù)電源子系統(tǒng) (70%) 用于蝕刻工具，只有 30% 用于沉積工具。這種差異可以通過以下事實來解釋：更精細(xì)的蝕刻工藝可能需要每個工具使用多個 RF 功率解決方案。相比之下，沉積并不總是使用等離子體能源，例如，在熱沉積工藝中。

 

 

盡管過去五年電源子系統(tǒng)部門的增長表現(xiàn)驚人，但我們預(yù)計到 2026 年增長率將顯著放緩?，F(xiàn)在從 2D NAND 到 3D NAND 的過渡已經(jīng)完成，我們預(yù)計真空/等離子加工步驟與其他設(shè)備市場保持一致。此外，EUV 的引入正在減少對真空處理設(shè)備的需求。

 

然而，從長遠(yuǎn)來看，仍需要與 EUV 結(jié)合使用多種圖案化技術(shù)，以實現(xiàn)器件密度和性能的預(yù)期改進。預(yù)計到 2026 年，電力和反應(yīng)性氣體子系統(tǒng)的未來增長趨勢將略高于關(guān)鍵子系統(tǒng)行業(yè)平均水平 (3.9%)，復(fù)合年增長率約為 6.3%。