7月20日，晶盛機(jī)電晶體實(shí)驗(yàn)室自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首臺(tái)12英寸硬軸直拉硅單晶爐成功生長(zhǎng)出首顆12英寸硅單晶。這是繼2020年8月國(guó)內(nèi)首臺(tái)8英寸硬軸直拉爐生長(zhǎng)出8英寸硅單晶之后，又一次在半導(dǎo)體級(jí)硅單晶生長(zhǎng)裝備上取得的重要技術(shù)進(jìn)展，為國(guó)內(nèi)大硅片行業(yè)技術(shù)升級(jí)提供了裝備保障。
官方介紹，研發(fā)團(tuán)隊(duì)在鞏固原有技術(shù)的基礎(chǔ)上，解決了硬軸單晶爐高真空、高精度及傳動(dòng)過(guò)程震動(dòng)消除等諸多技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)了高穩(wěn)定性晶體生長(zhǎng)環(huán)境，為 12 英寸硅單晶體內(nèi)微缺陷控制和徑向均勻性提高提供了技術(shù)支撐。
晶盛機(jī)電稱，依托兩項(xiàng)國(guó)家科技重大 02 專項(xiàng)課題（“300mm 硅單晶直拉生長(zhǎng)裝備的開(kāi)發(fā)”和“8 英寸區(qū)熔硅單晶爐國(guó)產(chǎn)設(shè)備研制”），專注于半導(dǎo)體硅單晶生長(zhǎng)裝備研發(fā)，相繼開(kāi)發(fā)出定拉速控徑、液位控制、定放肩、超導(dǎo)磁場(chǎng)拉晶等多項(xiàng)國(guó)際領(lǐng)先技術(shù)。
