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邱宇峰教授將出席第四屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議

日期:2021-08-02 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:513
核心提示:每兩年一屆的全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議(WBSC)迎來了第四屆,將于2021年10月12-15日(延期至11月7-10日)在美麗的鷺島廈門舉辦。
每兩年一屆的全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議(WBSC)迎來了第四屆,將于2021年10月12-15日延期至11月7-10日在美麗的鷺島廈門舉辦。
 
寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)競爭戰(zhàn)略制高點(diǎn)之一,國際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點(diǎn),基于寬禁帶半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè),并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。為推動(dòng)我國寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展,加強(qiáng)各界交流與協(xié)同創(chuàng)新,八年前,首屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議召開。今年,第四屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議由中國有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)、中國電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)共同主辦,廈門大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合承辦。
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據(jù)了解,本屆大會(huì)以“芯動(dòng)力·新征程--寬禁帶半導(dǎo)體的機(jī)遇與挑戰(zhàn)”為主題,由廈門大學(xué)校長張榮教授與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟吳玲理事長共同擔(dān)任大會(huì)主席。同時(shí),邀請(qǐng)了強(qiáng)大的顧問委員會(huì)、程序委員會(huì)、組織委員會(huì)專家團(tuán)。
 
大會(huì)強(qiáng)大的專家團(tuán)隊(duì)將與來自國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專家學(xué)者、科研技術(shù)人員、院校師生、企業(yè)家代表們一道,圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流,促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用的交流合作。深信這次會(huì)議必將對(duì)我國寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動(dòng)作用。
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大會(huì)程序委員會(huì)委員邱宇峰教授將出席會(huì)議并帶來題為“18kV SiC IGBT研制”的大會(huì)報(bào)告。
 
邱宇峰是廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長,曾任全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院黨組書記、副院長;輸配電及節(jié)電技術(shù)國家工程研究中心主任;電力行業(yè)電能質(zhì)量及柔性輸電標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)主任等職務(wù)。主要從事柔性輸電、高壓直流輸電和電力系統(tǒng)繼電保護(hù)等領(lǐng)域的研發(fā)工作,是中國大功率電力電子技術(shù)的主要開創(chuàng)者之一。
 
邱宇峰教授曾主持完成了國家973、863項(xiàng)目等多項(xiàng)研究,完成了中國第一臺(tái)用于輸電系統(tǒng)的靜止無功補(bǔ)償器、世界首臺(tái)1000kV串聯(lián)補(bǔ)償裝置、800kV特高壓直流換流閥及世界首個(gè)200kV直流斷路器等技術(shù)研發(fā)與工程應(yīng)用,為特高壓電網(wǎng)及智能電網(wǎng)在中國的建設(shè)和發(fā)展做出了積極貢獻(xiàn)。獲得國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)1項(xiàng)、國家能源科技進(jìn)步獎(jiǎng)1項(xiàng)及16項(xiàng)省部級(jí)科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)。
 
SiC IGBT代表著功率器件的較高水平,目前而言,SiC器件的制成還有著很多難點(diǎn)需要突破和解決。本屆大會(huì)上,邱宇峰教授將與業(yè)界分享關(guān)于18kV SiC IGBT研制的最新研究成果,敬請(qǐng)期待!

目前大會(huì)征文及報(bào)名工作正有序進(jìn)行中,論文摘要提交將于8月10日截止,報(bào)名繳費(fèi)優(yōu)惠將于9月10日截止。歡迎相關(guān)領(lǐng)域的專家、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流!更多詳情見大會(huì)官網(wǎng):http://www.wbsc.org.cn/
 
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