在垂直整合模式和利潤率的驅(qū)動下，全球GaN晶圓廠并購行動方興未艾。

8月2日，據(jù)美國商業(yè)資訊（businesswire）報道，高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商Transphorm宣布成功收購了AFSW晶圓廠100%權(quán)益。 位于日本會津若松的AFSW晶圓廠 這筆交易標志著Transphorm以及AFSW晶圓廠向前邁出了重要的一步，該工廠之前是與位于日本會津若松的富士通半導體有限公司(FSL)的合資企業(yè)，也是全球領(lǐng)先的高壓GaN功率半導體晶圓制造工廠。

根據(jù)Transphorm的官方公告，這筆交易是通過GaNovation公司完成的，GaNovation是Transphorm與JCP Capital最近成立的合資公司。 據(jù)報道，交易完成之后，富士通半導體宣布從AFSW晶圓廠退出。 Transphorm在收購完成后，擁有的AFSW的實際股權(quán)將為25%，低于之前的49%。這將使Transphorm對AFSW的直接資本支出減少約50%，從而通過對GaN技術(shù)和應用的投資實現(xiàn)更高效的損益。

此外，與JCP Capital的合作為AFSW增加了一個重要的戰(zhàn)略財務合作伙伴，這種過渡對于Transphorm的客戶以及AFSW晶圓廠的現(xiàn)有團隊和運營來說可以可以做到并購的無縫銜接。JCP Capital創(chuàng)始人兼管理合伙人David Cong表示：“我們很高興與AFSW的Transphorm及其新的母公司GaNovation合作，未來幾年，GaNovation不僅將為全球首屈一指的GaN功率晶圓廠AFSW帶來大量資金以擴大GaN晶圓制造，而且還將有助于以更快的速度與我們的投資組合生態(tài)系統(tǒng)一起發(fā)展GaN產(chǎn)品業(yè)務，尤其是在基于GaN的快速充電器和適配器領(lǐng)域。”

Transphorm的聯(lián)合創(chuàng)始人兼總裁Primit Parikh表示：“與GaNovation和JCP Capital的合作是Transphorm制造其最高質(zhì)量、最高可靠性的GaN晶圓的理想圖景，可以拓展我們的垂直輕資產(chǎn)的強大IP優(yōu)勢。富士通半導體（FSL）和AFSW一直與Transphorm和JCP Capital團隊密切合作，Transphorm在GaN方面的卓越表現(xiàn)，加上JCP Capital帶來的財務實力是AFSW成為持續(xù)成功的動力”。 

FSL總裁兼代表董事Kagemasa Magaribuchi評論：“FSL還將在雙方商定的時間內(nèi)通過過渡服務繼續(xù)與AFSW合作。” Transphorm是一家主打高壓功率轉(zhuǎn)換應用設計和制造高性能和高可靠性的GaN半導體企業(yè)。Transphorm在該領(lǐng)域擁有1000多項許可專利，生產(chǎn)過業(yè)界首款符合JEDEC和AEC-Q101標準的高壓GaN半導體器件。