日前,昭和電工宣布,將藉由公募增資、第三者配額增資籌措約1,100億日圓資金,其中約700億日圓將用于擴(kuò)增SiC晶圓等半導(dǎo)體材料產(chǎn)能。
昭和電工指出,藉由公募增資、第三者配額增資,以及視需求動向?qū)嵤┏~配售(Over allotment),預(yù)估最高將發(fā)行3,519萬股新股、約相當(dāng)于現(xiàn)行已發(fā)行股數(shù)的2成比重,最高將籌得1,093億日圓資金。
在上述1,093億日圓資金中、約700億日圓將用于增產(chǎn)半導(dǎo)體材料。就細(xì)項來看,昭和電工計劃投資58億日圓增產(chǎn)使用于功率半導(dǎo)體的SiC晶圓以及鋰離子電池材料、增產(chǎn)工程預(yù)計于2023年12月完工;投資59億日圓增產(chǎn)電子材料用高純度氣體、預(yù)計2023年12月完工;投資232億日圓提高研磨液(CMP Slurry)產(chǎn)能及改善質(zhì)量、預(yù)估2023年12月完工;投資248億日圓增產(chǎn)使用于印刷電路板(PCB)的銅箔基板(CCL、Copper Clad Laminate)、感光性薄膜,預(yù)計2024年3月完工。
日本市調(diào)機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)6月10日公布調(diào)查報告指出,自2021年以后,在汽車/電子設(shè)備需求加持下,預(yù)估碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導(dǎo)體市場將以每年近20%的速度呈現(xiàn)增長,2030年市場規(guī)模預(yù)估為2,490億日圓、將較2020年跳增3.8倍(成長約380%)。
其中,因汽車/電子設(shè)備需求加持,來自中國、北美、歐洲的需求揚(yáng)升,預(yù)估2030年SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將擴(kuò)大至1,859億日圓、將較2020年跳增2.8倍;GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大至166億日圓、將較2020年飆增6.5倍;氧化鎵功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估為465億日圓。
Cree:世界最大SiC晶圓廠明年投產(chǎn)
據(jù)CREE CEO Gregg Lowe在日前介紹,公司位于紐約州馬西鎮(zhèn)(Marcy)的碳化硅(SiC)晶圓廠有望在2022年初投產(chǎn),該廠于2019年開始建設(shè),為“世界上最大”的碳化硅晶圓廠,將聚焦車規(guī)級產(chǎn)品,是科銳10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能計劃的一部分,也是該公司有史以來最大手筆的投資。
在2019年5月7日 Cree宣布,作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能,在公司美國總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級工廠。這項標(biāo)志著公司迄今為止最大的投資,將為Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業(yè)務(wù)提供動能。在2024年全部完工之后,這些工廠將極大增強(qiáng)公司SiC碳化硅材料性能和晶圓制造產(chǎn)能,使得寬禁帶半導(dǎo)體材料解決方案為汽車、通訊設(shè)施和工業(yè)市場帶來巨大技術(shù)轉(zhuǎn)變。
Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示:“我們不斷地看到在汽車和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用SiC碳化硅的優(yōu)勢來驅(qū)動創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是,現(xiàn)有的供應(yīng)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能夠滿足我們對于SiC碳化硅的需求。今天,我們宣布了公司迄今在生產(chǎn)制造的最大投資,將大幅地提升供應(yīng),幫助客戶為市場提供變革性的產(chǎn)品和服務(wù)。這項在設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施、公司人力方面的巨大投入,將為我們顯著擴(kuò)大產(chǎn)能。與2017財年第一季度(也就是我們開始擴(kuò)大產(chǎn)能的第一階段)相比較,能夠帶來SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和材料生產(chǎn)的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未來5年乃至更長遠(yuǎn)的預(yù)期增長。”
這項計劃將為業(yè)界領(lǐng)先的Wolfspeed SiC碳化硅業(yè)務(wù)提供附加產(chǎn)能。通過增建現(xiàn)有的建筑設(shè)施,作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠,邁出滿足預(yù)期市場需求的第一步。新的North Fab將被設(shè)計成能夠全面滿足汽車認(rèn)證的工廠,其生產(chǎn)提供的晶圓表面積將會是今天現(xiàn)有的18倍,剛開始階段將進(jìn)行150mm晶圓的生產(chǎn)。公司將把現(xiàn)有在達(dá)勒姆的生產(chǎn)和材料工廠轉(zhuǎn)變?yōu)橐蛔牧铣壒S。
Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生同時還表示:“這些SiC碳化硅制造超級工廠,將加速當(dāng)今最快增長市場的創(chuàng)新。通過提供解決方案,幫助提高EV電動汽車的行駛里程并減少充電時間,同時支持5G網(wǎng)絡(luò)在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化硅和GaN氮化鎵技術(shù)和制造有史以來最大的資本投資,也是一種在財政上負(fù)責(zé)任的方式。通過采用現(xiàn)有工廠和安裝絕大部分的整新工具,我們相信我們可以實現(xiàn)提供最先進(jìn)技術(shù)的200mm fab,并且成本大約僅為一座新fab的1/3。”
擴(kuò)大的園區(qū)將創(chuàng)造高科技就業(yè)機(jī)會,并提供先進(jìn)制造人才發(fā)展計劃。Cree計劃與州、當(dāng)?shù)睾退哪曛圃盒i_展培訓(xùn)項目,為新工廠所帶來的長期、高端就業(yè)和成長機(jī)遇提供人才儲備。
羅姆將車用SiC產(chǎn)能擴(kuò)大五倍
據(jù)日經(jīng)日前報道,日本各家電子零件廠加快對EV相關(guān)零件進(jìn)行增產(chǎn)投資,其中Rohm計劃在今后5年內(nèi)投資600億日圓、將使用于EV的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的5倍。
報導(dǎo)指出,Rohm在碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的研發(fā)上居領(lǐng)先,于全球SiC功率半導(dǎo)體市場握有2成市占率,和英飛凌( Infineon )、STMicroelectronics并列為全球主要供應(yīng)商之一,而其產(chǎn)能擴(kuò)增至5倍后、全球市占率有望提高至3成。Rohm生產(chǎn)的半導(dǎo)體材料也以經(jīng)由汽車零件廠的形式、使用于特斯拉(Tesla)的EV逆變器(inverter)上。
早在幾年前,羅姆就規(guī)劃將在旗下生產(chǎn)子公司「ROHM Apollo」的筑后工廠(福岡縣)內(nèi)興建新廠房,預(yù)計于2019年2月動工、2020年12月完工。按照羅姆于SiC電源控制芯片事業(yè)策略說明會上表示,公司將投資約200億日圓,于2020年倍增SiC電源控制芯片產(chǎn)能,而羅姆也考慮于宮崎縣進(jìn)行增產(chǎn)投資,在2025年3月底前累計將投資600億日圓,屆時將SiC電源控制芯片產(chǎn)能大幅擴(kuò)增至2016年度16倍。
而在早前,ROHM最近舉行了開幕式,宣布將于2019年2月開始在ROHM Apollo的Chikugo工廠完成新建筑的竣工,以增強(qiáng)SiC功率器件的生產(chǎn)能力。
新大樓是一家最先進(jìn)的環(huán)保工廠,其生產(chǎn)設(shè)施采用了許多節(jié)能技術(shù),其中100%的電力來自可再生能源。
此外,我們通過引入各種災(zāi)難對策來增強(qiáng)BCM(業(yè)務(wù)連續(xù)性管理)系統(tǒng)。從2021年1月起,我們將開始安裝生產(chǎn)設(shè)備并構(gòu)建能夠滿足SiC功率器件中長期增長需求的制造系統(tǒng)。
據(jù)報道,自2010年以來,ROHM一直在大量生產(chǎn)包括SiC SBD和MOSFET在內(nèi)的SiC功率器件,該公司在技術(shù)開發(fā)方面繼續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位,例如推出了業(yè)界首款全SiC功率模塊和SiC溝槽MOSFET。同時,羅姆擁有一個集成的生產(chǎn)系統(tǒng),致力于通過增加硅片直徑和利用最新設(shè)備來提高生產(chǎn)效率,同時還減少了制造對環(huán)境的影響。
除了這棟新建筑外,羅姆集團(tuán)旗下生產(chǎn)SiC硅片的SiCrystal GmbH計劃從下一個財年開始使用100%可再生能源運(yùn)營,從而將工廠購買的電力所產(chǎn)生的CO 2排放量降至零。結(jié)果,所有主要的SiC芯片生產(chǎn)工藝都將使用環(huán)保的可再生能源。
資料顯示,統(tǒng)計2020上半年全球半導(dǎo)體碳化硅襯底市場份額, CREE出貨量占據(jù)全球45%,日本羅姆子公司SiCrystal占據(jù)20%,II-VI占13%;中國企業(yè)天科合達(dá)的市場占有率由2019年3%上升至2020年5.3%,山東天岳占比為2.6%。