半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)根據(jù)公開消息整理：三星、芯導(dǎo)科技、宏光照明、西部數(shù)據(jù)、富士電機(jī)、華燦光電、鎵未來、京創(chuàng)先進(jìn)、安森美等公司近期最新動(dòng)態(tài)，以及行業(yè)動(dòng)態(tài)如下（僅供參考）：

 

 

當(dāng)前，國際上第三代半導(dǎo)體材料、器件已實(shí)現(xiàn)了從研發(fā)到規(guī)模性量產(chǎn)的成功跨越，并進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段。“十四五”時(shí)期，將成為我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵窗口期，對我國能否建立長期戰(zhàn)略優(yōu)勢至關(guān)重要。

 

8月24日，工信部在官網(wǎng)表示，下一步將以重大關(guān)鍵技術(shù)突破和創(chuàng)新應(yīng)用需求為主攻方向，進(jìn)一步強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)政策引導(dǎo)，將碳基材料納入“十四五”原材料工業(yè)相關(guān)發(fā)展規(guī)劃，并將碳化硅復(fù)合材料、碳基復(fù)合材料等納入“十四五”產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新相關(guān)發(fā)展規(guī)劃，以全面突破關(guān)鍵核心技術(shù)，攻克“卡脖子”品種，提高碳基新材料等產(chǎn)品質(zhì)量，推進(jìn)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級化、產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化。此消息一出，進(jìn)而引發(fā)市場對于以碳基材料等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的廣泛關(guān)注。

 

 

工信部8月25日表示，將組織有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)研究機(jī)構(gòu)適時(shí)開展鈉離子電池標(biāo)準(zhǔn)制定，引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)健康有序發(fā)展。工信部表示，近幾年鈉離子電池逐步進(jìn)入規(guī)?；囼?yàn)示范階段。鈉離子電池產(chǎn)業(yè)化目前尚存能量密度較低、循環(huán)壽命較短、配套供應(yīng)鏈與產(chǎn)業(yè)鏈不完善等問題，仍處于商業(yè)化探索和持續(xù)改進(jìn)中。隨著產(chǎn)業(yè)投入的加大，技術(shù)走向成熟，產(chǎn)業(yè)鏈逐步完善，高性價(jià)比的鈉離子電池有望成為鋰離子電池的重要補(bǔ)充，尤其是在固定式儲(chǔ)能領(lǐng)域?qū)⒕哂辛己冒l(fā)展前景。

 

工信部表示，將做好頂層設(shè)計(jì)，健全產(chǎn)業(yè)政策，統(tǒng)籌引導(dǎo)鈉離子電池產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展?？萍疾繉⒃?ldquo;十四五”期間實(shí)施“儲(chǔ)能與智能電網(wǎng)技術(shù)”重點(diǎn)專項(xiàng)，并將鈉離子電池技術(shù)列為子任務(wù)，進(jìn)一步推動(dòng)鈉離子電池的規(guī)模化、低成本化，提升綜合性能。

 

 

8月24日，三星電子宣布未來三年將投資240萬億韓元（約合2056.4億美元，約相當(dāng)于1.33萬億元人民幣）投入生物制藥、人工智能、半導(dǎo)體、電信和機(jī)器人等領(lǐng)域，這是該公司繼2018年180萬億韓元后的又一大手筆投資。據(jù)報(bào)道，公司目前賬上約有200萬億韓元的現(xiàn)金或現(xiàn)金等價(jià)物，“不差錢”的三星表示將“積極進(jìn)行大型收購交易，以鞏固公司目標(biāo)業(yè)務(wù)中的領(lǐng)導(dǎo)地位。”芯片供不應(yīng)求的情況持續(xù)已久，即使全球巨頭制造商們開足馬力投資擴(kuò)產(chǎn)的情況下，主要生產(chǎn)地受疫情影響導(dǎo)致芯片價(jià)格仍然居高不下。受益于此，今年上半年海內(nèi)外相關(guān)公司經(jīng)營情況大幅好轉(zhuǎn)，同時(shí)還帶動(dòng)了公司股價(jià)和行業(yè)基金業(yè)績增幅可觀，更有堅(jiān)守芯片半導(dǎo)體的明星基金經(jīng)理再度“揚(yáng)眉吐氣”。

 

但投資切忌盲目，正如業(yè)內(nèi)人士所言，每一種不同芯片的供需約束條件截然不同。整體“芯片荒”下仍有部分產(chǎn)品有庫存過剩的隱憂，行業(yè)在全球投資熱潮下也暗藏未來供大于求的風(fēng)險(xiǎn)，更有外媒刊文警示：“一旦市場降溫，在繁榮時(shí)期積累的過剩產(chǎn)能將給制造商帶來負(fù)擔(dān)。”

 

 

8月25日晚，上交所發(fā)布科創(chuàng)板上市委會(huì)議審議結(jié)果，上海芯導(dǎo)電子科技股份有限公司（以下簡稱“芯導(dǎo)科技”）科創(chuàng)板首發(fā)獲通過，這意味著芯導(dǎo)科技距離成功登陸科創(chuàng)板再進(jìn)一步。據(jù)悉，芯導(dǎo)科技由國元證券保薦，擬融資金額為4.44億元，本次募集資金在扣除相關(guān)發(fā)行費(fèi)用后擬用于高性能分立功率器件開發(fā)和升級、高性能數(shù)?；旌想娫垂芾硇酒_發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、硅基氮化鎵高電子遷移率功率器件開發(fā)項(xiàng)目及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目。芯導(dǎo)科技表示，未來公司將專注于功率半導(dǎo)體的研發(fā)及銷售，落實(shí)品牌建設(shè)與資本運(yùn)作相結(jié)合的戰(zhàn)略，通過全面提升業(yè)務(wù)規(guī)模、技術(shù)與產(chǎn)品創(chuàng)新能力、市場開拓力度以及完善法人治理結(jié)構(gòu)等方式，進(jìn)一步強(qiáng)化公司的核心競爭能力，致力成為國內(nèi)外功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名品牌。

 

 

宏光照明(06908.HK)公告，公司的全資附屬公司Fast Semi HoldingLtd.已投資VisIC Technologies Limited("目標(biāo)公司"，為半導(dǎo)體領(lǐng)域第三代氮化鎵設(shè)備的龍頭企業(yè)之一)。根據(jù)購股協(xié)議，附屬公司同意認(rèn)購目標(biāo)公司1,749,961股股份，約占目標(biāo)公司經(jīng)擴(kuò)大已發(fā)行股本之21.86%，代價(jià)約2500萬美元。根據(jù)購股協(xié)議之條款，投資已于2021年8月23日順利完成。目標(biāo)公司為一家根據(jù)以色列國法律組建的公司，主要從事Ga N相關(guān)產(chǎn)品的開發(fā)，包括大功率晶體管及模組。據(jù)董事所深知，目標(biāo)公司對GaN技術(shù)有深入的了解，并擁有數(shù)十年的GaN產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)，且已申請與GaN技術(shù)有關(guān)的若干關(guān)鍵專利。董事認(rèn)為，目標(biāo)公司的技術(shù)及產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于電能轉(zhuǎn)換、快充產(chǎn)品及功率元件等應(yīng)用領(lǐng)域。

 

200億美元！西部數(shù)據(jù)擬并購全球第二大閃存芯片廠商鎧俠

 

據(jù)一位知情人士稱，西部數(shù)據(jù)公司（WDC.O）正在與日本半導(dǎo)體公司鎧俠（Kioxia Holdings Corp）就可能的并購事宜進(jìn)行早期洽談，交易規(guī)模可能超過 200 億美元。該人士稱，這兩家公司最早可能在9月中旬達(dá)成協(xié)議，西部數(shù)據(jù)首席執(zhí)行官David Goeckeler將管理合并后的公司。鎧俠是一家總部位于日本東京都的電腦內(nèi)存制造商，也是全球第二大 NAND 內(nèi)存廠商，鎧俠的前身是東芝存儲(chǔ)器，2018年被東芝公司(6502.T)以180億美元的價(jià)格出售給由美國私募股權(quán)公司貝恩資本牽頭的財(cái)團(tuán)。根據(jù)其2020年的年度報(bào)告，東芝仍然擁有Kioxia約40.6%的股份。該并購案對全球芯片行業(yè)將有深遠(yuǎn)的影響。在新的智能手機(jī)型號發(fā)布和5G擴(kuò)展的推動(dòng)下，存儲(chǔ)芯片制造商看到了強(qiáng)勁的需求。NAND內(nèi)存市場由五家公司主導(dǎo)，如果西部數(shù)據(jù)和Kioxia合作，將看到進(jìn)一步的整合。通過聯(lián)手，兩家公司可以降低成本，更好地與三星電子有限公司競爭，不過這樣的交易預(yù)計(jì)會(huì)引起反壟斷審查，包括來自中國的批準(zhǔn)。

 

據(jù)日經(jīng)報(bào)道，日本富士電機(jī)將額外投資 400 億日元（3.65 億美元），以擴(kuò)大功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，這些半導(dǎo)體用于管理空調(diào)、電動(dòng)汽車等的電流。400 億日元是富士電機(jī)在 2022 財(cái)年之前的四年中指定的1200 億日元的基礎(chǔ)上，從 2023 財(cái)年的原始時(shí)間框架上調(diào)，以滿足意外的強(qiáng)勁需求。大約 250 億日元的額外資金將用于在該公司的馬來西亞工廠開始生產(chǎn) 8 英寸硅片，這將比之前在那里生產(chǎn)的 6 英寸硅片的制造效率更高。但富士電機(jī)沒有提供有關(guān)產(chǎn)能的詳細(xì)信息。該公司計(jì)劃在 2023 財(cái)年左右開始在馬來西亞生產(chǎn)功率半導(dǎo)體，使用上個(gè)月硬盤媒體生產(chǎn)停止后騰出的潔凈室和其他設(shè)施。剩余的 150 億日元將用于其他地方的擴(kuò)張，包括公司在日本的松本工廠。該領(lǐng)域的銷售額預(yù)計(jì)將超過公司的中期目標(biāo)。

 

富士電機(jī)預(yù)計(jì)，包括功率半導(dǎo)體在內(nèi)的這一領(lǐng)域的銷售額將從 2018 財(cái)年增長 53%，到 2023 財(cái)年（其五年計(jì)劃的最后一年）將增長53%。現(xiàn)有計(jì)劃的目標(biāo)是該部門的銷售額為 2000 億日元，其中 250 億日元來自公司退出的磁盤業(yè)務(wù)。

 

 

近日，專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)研發(fā)應(yīng)用的珠海鎵未來科技（以下簡稱“鎵未來”）宣布獲得數(shù)千萬元A輪融資。本輪投資由珠海科創(chuàng)投領(lǐng)投，大橫琴創(chuàng)新發(fā)展有限公司、禮達(dá)基金跟投。境成資本作為天使輪領(lǐng)投方，本輪繼續(xù)追加投資。資料顯示，鎵未來成立于2020年10月，致力于提供從30W到10KW的氮化鎵器件及系統(tǒng)設(shè)計(jì)解決方案。公司致力于第三代半導(dǎo)體GaN-on-Si器件技術(shù)創(chuàng)新和領(lǐng)先，通過高起點(diǎn)、強(qiáng)隊(duì)伍等，實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)的國產(chǎn)化，推動(dòng)GaN器件的技術(shù)的世界領(lǐng)先，并且通過電源系統(tǒng)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)能源的綠色、高效利用。

 

 

華燦光電在互動(dòng)平臺表示，公司依托在LED芯片化合物半導(dǎo)體方面十幾年的技術(shù)積累，擁有高效的氮化鎵器件開發(fā)團(tuán)隊(duì)、氮化鎵器件工藝技術(shù)及研發(fā)階段的設(shè)備基礎(chǔ)。目前，公司氮化鎵基電力電子器件團(tuán)隊(duì)已攻克相關(guān)技術(shù)及工藝難點(diǎn)，在多項(xiàng)關(guān)鍵工藝的單項(xiàng)試驗(yàn)已獲得突破性進(jìn)展。市場方面，已與多個(gè)終端客戶公司開展氮化鎵電力電子器件等應(yīng)用領(lǐng)域的合作。

 

 

半導(dǎo)體精密劃切設(shè)備研制企業(yè)江蘇京創(chuàng)先進(jìn)電子科技有限公司（以下簡稱“京創(chuàng)先進(jìn)”）宣布完成超億元B輪融資，由中芯聚源領(lǐng)投，盛宇投資、匯川技術(shù)、俱成投資、長江國弘跟投，老股東毅達(dá)資本、金浦新潮繼續(xù)加碼。本輪融資將主要用于新技術(shù)攻關(guān)、新產(chǎn)品研制、全自動(dòng)產(chǎn)品產(chǎn)能擴(kuò)充及市場推廣等方面。京創(chuàng)先進(jìn)成立于2013年，是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體精密劃切設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。公司創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)的核心人員均已深耕行業(yè)20余年，有著過硬的相關(guān)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)，同時(shí)也深知精密切割設(shè)備被國外壟斷的局面，團(tuán)隊(duì)秉承技術(shù)的傳承性和創(chuàng)新性，不斷突破創(chuàng)新，瞄準(zhǔn)終端客戶對設(shè)備的產(chǎn)能和整機(jī)穩(wěn)定性重視的這一方向，致力開拓助推晶圓劃片設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域的國產(chǎn)化進(jìn)程。

 

 

8月26日消息，智能電源和傳感技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商安森美（Onsemi）和碳化硅生產(chǎn)商GT Advanced Technologies（“GTAT”）今天宣布，他們雙方已達(dá)成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，Onsemi將以 4.15 億美元現(xiàn)金收購 GTAT。

 

預(yù)計(jì)該交易將更好地定位Onsemi，以確保和增加 SiC 的供應(yīng)，并滿足客戶對可持續(xù)生態(tài)系統(tǒng)中基于 SiC 的解決方案快速增長的需求，包括電動(dòng)汽車、電動(dòng)汽車充電和能源基礎(chǔ)設(shè)施。隨著可持續(xù)生態(tài)系統(tǒng)在未來十年迅速發(fā)展，將onsemi的制造能力與 GTAT 的技術(shù)專長相結(jié)合，將加速 SiC 的開發(fā)并讓onsemi更好地為客戶服務(wù)。這種增強(qiáng)的 SiC 能力將使onsemi能夠向客戶保證關(guān)鍵組件的供應(yīng)，并進(jìn)一步將智能電源技術(shù)商業(yè)化。

 

 

近日，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心成功獲得首批氧化鎵單晶襯底，這是繼去年獲得體塊氧化鎵單晶之后取得的又一個(gè)重要進(jìn)展，標(biāo)志著科創(chuàng)中心在材料加工領(lǐng)域具備高水平研究的能力。這批氧化鎵單晶襯底由科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室研制，導(dǎo)電類型為半絕緣型，尺寸達(dá)到25.4 mm，厚度約800 μm，表面粗糙度小于0.5 nm，高分辨X射線搖擺曲線測試測得半高峰寬為47.5 arcsec，衍射峰均勻?qū)ΨQ，單晶質(zhì)量較好。以上關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到了領(lǐng)域內(nèi)的先進(jìn)水平。