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大族激光顯視與半導體裝備事業(yè)部邀您參加2021中國(南京)功率與射頻半導體技術(shù)市場應用峰會

日期:2021-09-01 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:362
核心提示:2021年9月13-14日,2021中國(南京)功率與射頻半導體技術(shù)市場應用峰會將舉行,大族激光顯視與半導體裝備事業(yè)部邀您參加。
會議宣傳圖
2021年9月13-14日,2021中國(南京)功率與射頻半導體技術(shù)市場應用峰會將舉行,大族激光顯視與半導體裝備事業(yè)部邀您參加。
 
第三代半導體材料及其應用是全球半導體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略競爭新高地,目前我國正迎來發(fā)展第三代半導體的重要窗口期。功率半導體從原材料到設(shè)計、晶圓制造加工裝備、封測,正加速實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化。雖然我國已發(fā)展成為全球第一大功率半導體市場,但國產(chǎn)自給率較低,行業(yè)仍存巨大供需缺口,國產(chǎn)替代將是未來重要的發(fā)展方向。
 
為了更好的把握時機推進產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,打破功率半導體產(chǎn)業(yè)在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統(tǒng)應用等環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化主要技術(shù)瓶頸,引領(lǐng)技術(shù)及市場風向,半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)在南京大學電子科學與工程學院、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導下,定于2021年9月13-14日在南京召開“2021中國(南京)功率與射頻半導體技術(shù)市場應用峰會(CASICON 2021)”。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G 射頻領(lǐng)域的技術(shù)進展與創(chuàng)新應用,助推相關(guān)領(lǐng)域市場產(chǎn)品國產(chǎn)化替代,屆時大族激光顯視與半導體裝備事業(yè)部也誠摯歡迎各研究院所、高校、產(chǎn)業(yè)鏈企事業(yè)單位參與討論。
大族激光
大族激光顯視與半導體裝備事業(yè)部成立于2010年,聚焦于LED、面板、半導體、光伏、消費類電子等行業(yè)的精細微加工和相關(guān)聯(lián)行業(yè)的測量、檢測和自動化解決方案,主要研究藍寶石、玻璃、陶瓷、硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵等材料的加工工藝和智能車間解決方案;事業(yè)部在職員工逾千人,研發(fā)人員占60%以上,十多位來自以色列、韓國和臺灣地區(qū)的行業(yè)技術(shù)專家,保證了相關(guān)技術(shù)的全球領(lǐng)先地位;軟件開發(fā)工程師115人,AI圖像處理算法專家12人。2020年事業(yè)部銷售額超過14億元。
 
大族激光是全球首家碳化硅激光加工設(shè)備生產(chǎn)制造商;國內(nèi)首家半導體激光開槽設(shè)備、激光解鍵合設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)制造商;唯一進入半導體關(guān)鍵制程的國產(chǎn)激光設(shè)備供應商;LED劃裂設(shè)備市場占有率90%以上,全球第一;面板行業(yè)LCD、OLED設(shè)備國產(chǎn)化領(lǐng)軍企業(yè):國產(chǎn)化設(shè)備市占率90%以上,Trimmer端子切割機全球市占率100%;光伏全自動激光劃片設(shè)備市場占有率50%以上;玻璃、藍寶石全球?qū)@邦I(lǐng)先ICICLES加工技術(shù),相關(guān)設(shè)備市占率第一。2018年深圳市半導體行業(yè)協(xié)會最具技術(shù)創(chuàng)新企業(yè);全球最快的平面度檢測設(shè)備制造商。
 
大族激光顯視與半導體裝備事業(yè)部誠摯邀請相關(guān)領(lǐng)域的專家、學者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流,共商合作事宜!

更多會議資料請往下查看:

【組織機構(gòu)】
 
指導單位
南京大學
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
 
主辦單位
半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
第三代半導體產(chǎn)業(yè) 公號
 
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

贊助支持單位 
藍雨軟件技術(shù)開發(fā)(上海)有限公司
愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司
寧波恒普真空技術(shù)有限公司
蘇州晶湛半導體有限公司
青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
德儀國際貿(mào)易(上海)有限公司
大族激光顯示與半導體裝備事業(yè)部
上海翱晶半導體科技有限公司
上海智湖信息技術(shù)有限公司
蕪湖啟迪半導體有限公司
湖南國芯半導體科技有限公司
贊助企業(yè)LOGO圖
 
【時間地點】
 時間:2021年9月13-14日
地點:南京·城市名人酒店(江蘇省南京市鼓樓區(qū)中山北路30號)

【會議安排】
【報告嘉賓&主題報告】

1、9月13日報告(陸續(xù)更新中)
報告嘉賓:于坤山 第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長
主題報告:中國功率與射頻技術(shù)市場現(xiàn)狀及未來展望

報告嘉賓:
陳堂勝--中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任
主題報告:低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

報告嘉賓:陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授   
主題報告:GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應用
 
報告嘉賓:劉斯揚--東南大學教授
主題報告:SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展

報告嘉賓:
龍世兵--中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長
主題報告:低成本高性能氧化鎵功率器件

報告嘉賓:Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告:Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective

報告嘉賓:戴小平-湖南國芯科技總經(jīng)理
主題報告淺析SiC模塊封裝技術(shù)

報告嘉賓:Yuhao Zhang  美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
主題報告1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit  

報告嘉賓:龔平--西安唐晶量子科技有限公司董事長
主題報告6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術(shù)

報告嘉賓:紐應喜--啟迪半導體研發(fā)總監(jiān)
主題報告碳化硅外延裝備及技術(shù)進展

報告嘉賓:張 云--天津大學電氣自動化與信息工程學院教授
主題報告新能源汽車電力電子系統(tǒng)及其運行控制
 
2、9月14日報告(陸續(xù)更新中)

報告嘉賓:
程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報告SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)

報告嘉賓:鄧小川--電子科技大學教授
主題報告極端應力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究

報告嘉賓:惠  峰--云南鍺業(yè)公司首席科學家/中科院半導體所研究員
主題報告VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用

報告嘉賓:陳 鵬--南京大學教授
主題報告GaN肖特基功率器件新進展

報告嘉賓:Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報告Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices

報告嘉賓:倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
主題報告高性能高壓碳化硅功率器件設(shè)計與技術(shù)

報告嘉賓:李 強--西安交通大學副教授
主題報告基于HBN 的射頻器件

報告嘉賓:吳 彤--安森美首席SiC 專家
主題報告Adopt of SiC devices in EV applications

報告嘉賓:吳 亮--奧趨光電CEO
主題報告AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應用前景展望

報告嘉賓:張保平--廈門大學電子科學與技術(shù)學院 副院長、教授
主題報告氮化鎵基VCSEL技術(shù)進展

報告嘉賓:蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
主題報告金剛石微波功率器件研究

報告嘉賓:左  超--愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司電子營業(yè)部部長
主題報告量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術(shù)

報告嘉賓:裴軼/Amgad Alsman--蘇州能訊高能半導體有限公司技術(shù)副總裁/中國科學技術(shù)大學
主題報告:基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢和挑戰(zhàn)

報告嘉賓:王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
主題報告射頻器件(TBD)

報告嘉賓:袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
主題報告面向快充應用的GaN材料和器件技術(shù)

報告嘉賓:劉 雯--西交利物浦大學副教授
主題報告硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術(shù)

報告嘉賓:黃潤華--中電科五十五所副主任設(shè)計師
主題報告碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進展

報告嘉賓:英諾賽科科技股份有限公司
主題報告八英寸硅基氮化鎵技術(shù)進展(TBD)
 
報告嘉賓:葉建東--南京大學教授
主題報告
氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

報告嘉賓:彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任,山東大學副教授
主題報告碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究

報告嘉賓:葉念慈--三安集成技術(shù)市場總監(jiān)
主題報告(TBD)

報告嘉賓:童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
主題報告VCSEL 技術(shù) (TBD)

報告嘉賓:向鵬博士--蘇州晶湛半導體有限公司研發(fā)經(jīng)理 
主題報告用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進展

報告嘉賓:楊學林--北京大學物理學院高級工程師
主題報告
Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進展

報告嘉賓:Yuhao Zhang  美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報告Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching

報告嘉賓:徐尉宗--南京大學研究員
主題報告
面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術(shù)

報告嘉賓:郭宇鋒--南京郵電大學副校長、教授
主題報告Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network

報告嘉賓:樊嘉杰--復旦大學青年研究員
主題報告SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計

更多報告嘉賓正在確認中?。?!
 
【擬參與單位】華為、中興、南京大學、三安光電、東南大學、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業(yè)、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時代、國家電網(wǎng)、中芯集成、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學、江蘇能華、西安交通大學、北京大學,電子科技大學,河北同光、山東天岳、天津大學、聚能創(chuàng)芯,賽微電子,南京百識,唐晶量子,天科合達,漢驊半導體,南京百識,大族激光,德儀,江蘇三代半研究院等

【投稿】Oral或Poster :500字左右擴展摘要提交到 1957340190@qq.com。

【參會注冊 】注冊費 2000 (會議資料,招待晚宴,自助餐)
開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行
賬  號:336 356 029 261
名  稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

【參會/贊助/商務合作】
聯(lián)系人:
賈先生18310277858,jiaxl@casmita.com
              張小姐13681329411,zhangww@casmita.com
南京功率射頻會議活動行
如果您想?yún)梢灾苯訏叽a預報名,我們會第一時間和您聯(lián)系!
協(xié)議酒店:城市名人酒店(協(xié)議價400,含早)
聯(lián)系人:王瑋18652978537,648231476@qq.com 

防疫提示:會務組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復,目前南京市全域均為低風險區(qū),進出南京不需要核酸檢測證明,只要14天內(nèi)沒去過中高風險區(qū)和出入境經(jīng)歷,體溫無異常情況下,均可持綠碼進出南京參加會議。
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