SiC MOSFET器件以其高壓、高頻、低損耗以及高溫等優(yōu)越性能，顯著提高電力裝置的效率和功率密度，是高功率電子領(lǐng)域的有力競爭者。目前已有多家半導體公司相繼推出商用SiC MOSFET產(chǎn)品并得到廣泛應用，在電動汽車、光伏逆變等領(lǐng)域逐漸開始替代Si基電力電子器件。

 

雖然國際上SiC MOSFET器件的發(fā)展已經(jīng)取得了階段性進展，但SiC和Si材料和器件結(jié)構(gòu)之間的明顯差異對SiC MOSFET器件極端應力下的動態(tài)可靠性提出了挑戰(zhàn)，已成為功率半導體器件領(lǐng)域的研究熱點之一，其中具有代表性的動態(tài)可靠性即為非鉗位感性負載開關(guān)（UIS，Unclamped Inductive Switching）特性、短路（SC，Short Circuit）特性和浪涌（Surge）特性。

2021年9月13-14日“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術(shù)市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領(lǐng)域的技術(shù)進展與創(chuàng)新應用，助推相關(guān)領(lǐng)域市場產(chǎn)品國產(chǎn)化替代。

 

會上，電子科技大學/功率集成技術(shù)實驗室教授/博導鄧小川將分享“極端應力下SiC MOSFET器件動態(tài)可靠性研究”的最新研究成果，針對SiC MOSFET器件面臨的動態(tài)可靠性問題，全面調(diào)研和評估現(xiàn)階段SiC MOSFET器件在極端應力下的器件失效模式和失效機理等，基于諸多研究，提出了快速預測器件可靠性的方法和提升器件可靠性的新結(jié)構(gòu)，對SiC MOSFET器件的設計和工程應用起到了良好的指導作用。

 

欲知最新研究進展與成果，敬請關(guān)注峰會，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜?、學者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流，共商合作事宜。
 

鄧小川，電子科技大學/功率集成技術(shù)實驗室，教授/博導，英國華威大學訪問學者。一直從事寬禁帶半導體SiC功率器件理論模型、新結(jié)構(gòu)、器件制備與可靠性研究，主持和承擔了國家科技重大專項課題、國家自然科學基金重點/面上項目、國家重點研發(fā)計劃子課題、國家重點實驗室開放基金、國內(nèi)外校企合作課題等20余項，在半導體功率器件領(lǐng)域頂級期刊IEEE Trans. Power Electronics、IEEE Electron Device Letter、IEEE Trans. Industrial Electronics、IEEE Trans. Electron Device以及本領(lǐng)域頂級會議ISPSD、ICSCRM等國際學術(shù)會議上發(fā)表論文80余篇；申請中國發(fā)明專利20余項，授權(quán)10余項，獲得北京市科技發(fā)明二等獎。

會務組也誠摯歡迎相關(guān)領(lǐng)域的專家、學者、行業(yè)企事業(yè)單位能參會與鄧小川教授多多交流！更多會議資料請往下查看：