CASICON 2021前瞻：SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優(yōu)化設計
隨著電子封裝技術(shù)向微型化、高密度、集成化、高可靠方向發(fā)展，芯片級封裝、系統(tǒng)級封裝、系統(tǒng)級芯片、三維立體封裝將陸續(xù)在碳化硅（SiC）功率模塊封裝中被采用。先進封裝及可靠性技術(shù)是保證寬禁帶半導體性能優(yōu)勢并實現(xiàn)長期有效服役的關(guān)鍵，屬于第三代半導體產(chǎn)業(yè)亟待解決的卡脖子問題，因此，急需對復雜使役條件下SiC功率模塊新型封裝工藝、材料、失效機理和可靠性等基礎問題展開前瞻性探索。
2021年9月13-14日，由南京大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導，半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術(shù)市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術(shù)進展與創(chuàng)新應用，助推相關(guān)領域市場產(chǎn)品國產(chǎn)化替代。
屆時，復旦大學青年研究員/博士生導師樊嘉杰將受邀出席峰會，并分享“SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優(yōu)化設計”主題報告。報告將從第三代半導體發(fā)展現(xiàn)狀、功率器件及模塊封裝形式的發(fā)展趨勢、先進封裝材料的發(fā)展趨勢、封裝可靠性設計及優(yōu)化方法等四個方面展開介紹。
欲知最新研究進展與成果，敬請關(guān)注峰會，也歡迎相關(guān)領域?qū)＜?、學者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流，共商合作事宜。
欲知最新研究進展與成果，敬請關(guān)注峰會，也歡迎相關(guān)領域?qū)＜?、學者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流，共商合作事宜。
【嘉賓簡介】
樊嘉杰，博士，復旦大學工程與應用技術(shù)研究院上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心青年研究員/博士生導師。香港理工大學和美國馬里蘭大學聯(lián)合培養(yǎng)博士，荷蘭代爾夫特理工大學博士后/CSC公派訪問學者/客座研究員。主要研究方向：第三代半導體封裝及可靠性。迄今共發(fā)表學術(shù)論文110余篇；申請/授權(quán)專利20余項；主持起草ISA國際標準1項、參與起草國家標準和CSA聯(lián)盟標準多項。獲全國“第三代半導體卓越創(chuàng)新青年”稱號、入選江蘇省科協(xié)“青年科技人才托舉工程”、江蘇省第十五批“六大人才高峰”高層次人才等。
會務組也誠摯歡迎相關(guān)領域的專家、學者、行業(yè)企事業(yè)單位能參會與樊嘉杰博士多多交流！更多會議資料請往下查看：
贊助支持單位
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【組織機構(gòu)】
指導單位
南京大學
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
主辦單位
半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
第三代半導體產(chǎn)業(yè) 公號
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
贊助支持單位
藍雨軟件技術(shù)開發(fā)(上海)有限公司
愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司
寧波恒普真空技術(shù)有限公司
蘇州晶湛半導體有限公司
青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
德儀國際貿(mào)易(上海)有限公司
大族激光顯示與半導體裝備事業(yè)部
上海翱晶半導體科技有限公司
上海智湖信息技術(shù)有限公司
蕪湖啟迪半導體有限公司
湖南國芯半導體科技有限公司
【時間地點】
時間：2021年9月13-14日
地點：南京·城市名人酒店（江蘇省南京市鼓樓區(qū)中山北路30號）
如果您想?yún)梢灾苯訏叽a預報名，我們會第一時間和您聯(lián)系！
【會議安排】
【報告嘉賓&主題報告】
報告嘉賓：陳堂勝--中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任
主題報告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報告嘉賓：陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
報告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
報告嘉賓：鄧小川--電子科技大學教授
主題報告：極端應力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究
報告嘉賓：惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學家/中科院半導體所研究員
報告嘉賓：陳 鵬--南京大學教授
報告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
報告嘉賓：李 強--西安交通大學副教授
報告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
報告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
報告嘉賓：張保平--廈門大學電子科學與技術(shù)學院 副院長、教授
報告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
報告嘉賓：左 超--愛發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司電子營業(yè)部部長
報告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
報告嘉賓：袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
報告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學副教授
報告嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
報告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任，山東大學副教授
報告嘉賓：葉念慈--三安集成技術(shù)市場總監(jiān)
報告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
報告嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導體有限公司研發(fā)經(jīng)理
報告嘉賓：楊學林--北京大學物理學院高級工程師
主題報告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進展
報告嘉賓：徐尉宗--南京大學研究員
主題報告：面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術(shù)
報告嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學副校長、教授
主題報告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
更多報告嘉賓正在確認中！?。?/strong>
1、9月13日報告（陸續(xù)更新中）
報告嘉賓：于坤山 第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長
主題報告：中國功率與射頻技術(shù)市場現(xiàn)狀及未來展望
報告嘉賓：陳堂勝--中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任
主題報告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報告嘉賓：陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
主題報告：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應用
報告嘉賓：劉斯揚--東南大學教授
主題報告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展
報告嘉賓：龍世兵--中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長
主題報告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展
報告嘉賓：龍世兵--中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長
主題報告：低成本高性能氧化鎵功率器件
報告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報告嘉賓：戴小平-湖南國芯科技總經(jīng)理
主題報告：淺析SiC模塊封裝技術(shù)
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
主題報告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
主題報告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報告嘉賓：龔平--西安唐晶量子科技有限公司董事長
主題報告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術(shù)
報告嘉賓：紐應喜--啟迪半導體研發(fā)總監(jiān)
主題報告：碳化硅外延裝備及技術(shù)進展
報告嘉賓：張 云--天津大學電氣自動化與信息工程學院教授
主題報告：新能源汽車電力電子系統(tǒng)及其運行控制
2、9月14日報告（陸續(xù)更新中）
報告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
報告嘉賓：鄧小川--電子科技大學教授
主題報告：極端應力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究
報告嘉賓：惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學家/中科院半導體所研究員
主題報告：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用
報告嘉賓：陳 鵬--南京大學教授
主題報告：GaN肖特基功率器件新進展
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報告：Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
報告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
主題報告：高性能高壓碳化硅功率器件設計與技術(shù)
報告嘉賓：李 強--西安交通大學副教授
主題報告：基于HBN 的射頻器件
報告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
主題報告：Adopt of SiC devices in EV applications
報告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
主題報告：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領域應用前景展望
報告嘉賓：張保平--廈門大學電子科學與技術(shù)學院 副院長、教授
主題報告：氮化鎵基VCSEL技術(shù)進展
報告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
主題報告：金剛石微波功率器件研究
報告嘉賓：左 超--愛發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司電子營業(yè)部部長
主題報告：量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術(shù)
報告嘉賓：裴軼/Amgad Alsman--蘇州能訊高能半導體有限公司技術(shù)副總裁/中國科學技術(shù)大學
主題報告：基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢和挑戰(zhàn)
報告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
主題報告：射頻器件（TBD）
報告嘉賓：袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
主題報告：面向快充應用的GaN材料和器件技術(shù)
報告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學副教授
主題報告：硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術(shù)
報告嘉賓：黃潤華--中電科五十五所副主任設計師
主題報告：碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進展
報告嘉賓：黃潤華--中電科五十五所副主任設計師
主題報告：碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進展
報告嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
主題報告：八英寸硅基氮化鎵技術(shù)進展（TBD）
報告嘉賓：葉建東--南京大學教授
主題報告：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
主題報告：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
報告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任，山東大學副教授
主題報告：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究
報告嘉賓：葉念慈--三安集成技術(shù)市場總監(jiān)
主題報告：（TBD）
報告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
主題報告：VCSEL 技術(shù) (TBD)
報告嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導體有限公司研發(fā)經(jīng)理
主題報告：用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進展
報告嘉賓：楊學林--北京大學物理學院高級工程師
主題報告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進展
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報告：Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
報告嘉賓：徐尉宗--南京大學研究員
主題報告：面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術(shù)
報告嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學副校長、教授
主題報告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
報告嘉賓：樊嘉杰--復旦大學青年研究員
主題報告：SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優(yōu)化設計
更多報告嘉賓正在確認中！?。?/strong>
【擬參與單位】華為、中興、南京大學、三安光電、東南大學、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業(yè)、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時代、國家電網(wǎng)、中芯集成、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學、江蘇能華、西安交通大學、北京大學，電子科技大學，河北同光、山東天岳、天津大學、聚能創(chuàng)芯，賽微電子，南京百識，唐晶量子，天科合達，漢驊半導體，南京百識，大族激光，德儀，江蘇三代半研究院等
【投稿】Oral或Poster ：500字左右擴展摘要提交到 1957340190@qq.com。
【參會注冊 】注冊費 2000 （會議資料，招待晚宴，自助餐）
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
【參會/贊助/商務合作】
聯(lián)系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
聯(lián)系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411，zhangww@casmita.com
如果您想?yún)梢灾苯訏叽a預報名，我們會第一時間和您聯(lián)系！
協(xié)議酒店：城市名人酒店（協(xié)議價400，含早）
聯(lián)系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會務組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復，目前南京市全域均為低風險區(qū)，進出南京不需要核酸檢測證明，只要14天內(nèi)沒去過中高風險區(qū)和出入境經(jīng)歷，體溫無異常情況下，均可持綠碼進出南京參加會議。
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