2021年9月13-14日，由南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展與創(chuàng)新應(yīng)用，助推相關(guān)領(lǐng)域市場產(chǎn)品國產(chǎn)化替代。
屆時(shí)，Crosslight創(chuàng)始人李湛明將受邀出席峰會，并分享“將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角”主題報(bào)告。報(bào)告使用Crosslight-TCAD 作為分析工具，GaN 實(shí)驗(yàn)對理論碰撞電離模型數(shù)據(jù)進(jìn)行了審查和分析。發(fā)現(xiàn)已發(fā)表的碰撞電離系數(shù)的差異轉(zhuǎn)化為極大不同的擊穿電壓 (BV) 商業(yè)化 GaN/Silicon 橫向器件給出了典型的FET參數(shù)和常用的場板設(shè)計(jì)。縮放橫向 GaNFET 尺寸的方法將基于TCAD嘗試增加 BV。
欲知最新研究進(jìn)展與成果，敬請關(guān)注峰會，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜?、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流，共商合作事宜。
【嘉賓簡介】
李湛明博士早年經(jīng)華人諾獎(jiǎng)得主李政道博士創(chuàng)立的中美聯(lián)合培養(yǎng)物理類研究生計(jì)劃（CUSPEA）前往北美留學(xué)。1995年創(chuàng)立加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司，現(xiàn)已成為全球光電器件及化合物半導(dǎo)體仿真領(lǐng)域知名度最高的商業(yè)軟件公司。
2015年創(chuàng)辦了GaNPower International 第三代半導(dǎo)體芯片公司并申請或取得了多項(xiàng)美國和中國與氮化鎵器件相關(guān)的發(fā)明專利。李博士發(fā)表了約150篇學(xué)術(shù)論文及國際專利，并撰寫了兩本有關(guān)半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和仿真的技術(shù)專著。
贊助支持單位
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【組織機(jī)構(gòu)】
指導(dǎo)單位
南京大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
主辦單位
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 公號
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
贊助支持單位
藍(lán)雨軟件技術(shù)開發(fā)(上海)有限公司
愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司
寧波恒普真空技術(shù)有限公司
蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
德儀國際貿(mào)易(上海)有限公司
大族激光顯示與半導(dǎo)體裝備事業(yè)部
上海翱晶半導(dǎo)體科技有限公司
上海智湖信息技術(shù)有限公司
蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司
湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司
【時(shí)間地點(diǎn)】
時(shí)間：2021年9月13-14日
地點(diǎn)：南京·城市名人酒店（江蘇省南京市鼓樓區(qū)中山北路30號）
如果您想?yún)?，可以直接掃碼預(yù)報(bào)名，我們會第一時(shí)間和您聯(lián)系！
【會議安排】
【報(bào)告嘉賓&主題報(bào)告】
報(bào)告嘉賓：陳堂勝--中國電科首席科學(xué)家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任
主題報(bào)告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報(bào)告嘉賓：陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授
報(bào)告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報(bào)告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
報(bào)告嘉賓：鄧小川--電子科技大學(xué)教授
主題報(bào)告：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究
報(bào)告嘉賓：惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家/中科院半導(dǎo)體所研究員
報(bào)告嘉賓：陳 鵬--南京大學(xué)教授
報(bào)告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
報(bào)告嘉賓：李 強(qiáng)--西安交通大學(xué)副教授
報(bào)告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
報(bào)告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
報(bào)告嘉賓：張保平--廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 副院長、教授
報(bào)告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
報(bào)告嘉賓：左 超--愛發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司電子營業(yè)部部長
報(bào)告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
報(bào)告嘉賓：袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
報(bào)告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學(xué)副教授
報(bào)告嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
報(bào)告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任，山東大學(xué)副教授
報(bào)告嘉賓：葉念慈--三安集成技術(shù)市場總監(jiān)
報(bào)告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
報(bào)告嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司研發(fā)經(jīng)理
報(bào)告嘉賓：楊學(xué)林--北京大學(xué)物理學(xué)院高級工程師
主題報(bào)告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：徐尉宗--南京大學(xué)研究員
主題報(bào)告：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)
報(bào)告嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學(xué)副校長、教授
主題報(bào)告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
更多報(bào)告嘉賓正在確認(rèn)中?。?！
1、9月13日報(bào)告（陸續(xù)更新中）
報(bào)告嘉賓：于坤山 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長
主題報(bào)告：中國功率與射頻技術(shù)市場現(xiàn)狀及未來展望
報(bào)告嘉賓：陳堂勝--中國電科首席科學(xué)家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任
主題報(bào)告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報(bào)告嘉賓：陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授
主題報(bào)告：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用
報(bào)告嘉賓：劉斯揚(yáng)--東南大學(xué)教授
主題報(bào)告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：龍世兵--中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長
主題報(bào)告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：龍世兵--中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長
主題報(bào)告：低成本高性能氧化鎵功率器件
報(bào)告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報(bào)告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報(bào)告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報(bào)告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報(bào)告嘉賓：戴小平-湖南國芯科技總經(jīng)理
主題報(bào)告：淺析SiC模塊封裝技術(shù)
報(bào)告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
主題報(bào)告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報(bào)告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
主題報(bào)告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報(bào)告嘉賓：龔平--西安唐晶量子科技有限公司董事長
主題報(bào)告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術(shù)
報(bào)告嘉賓：紐應(yīng)喜--啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)
主題報(bào)告：碳化硅外延裝備及技術(shù)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：張 云--天津大學(xué)電氣自動化與信息工程學(xué)院教授
主題報(bào)告：新能源汽車電力電子系統(tǒng)及其運(yùn)行控制
2、9月14日報(bào)告（陸續(xù)更新中）
報(bào)告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報(bào)告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
報(bào)告嘉賓：鄧小川--電子科技大學(xué)教授
主題報(bào)告：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究
報(bào)告嘉賓：惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家/中科院半導(dǎo)體所研究員
主題報(bào)告：VCSEL用六英寸超低位錯(cuò)密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用
報(bào)告嘉賓：陳 鵬--南京大學(xué)教授
主題報(bào)告：GaN肖特基功率器件新進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報(bào)告：Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
報(bào)告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
主題報(bào)告：高性能高壓碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與技術(shù)
報(bào)告嘉賓：李 強(qiáng)--西安交通大學(xué)副教授
主題報(bào)告：基于HBN 的射頻器件
報(bào)告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
主題報(bào)告：Adopt of SiC devices in EV applications
報(bào)告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
主題報(bào)告：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望
報(bào)告嘉賓：張保平--廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 副院長、教授
主題報(bào)告：氮化鎵基VCSEL技術(shù)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
主題報(bào)告：金剛石微波功率器件研究
報(bào)告嘉賓：左 超--愛發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司電子營業(yè)部部長
主題報(bào)告：量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術(shù)
報(bào)告嘉賓：裴軼/Amgad Alsman--蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司技術(shù)副總裁/中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
主題報(bào)告：基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢和挑戰(zhàn)
報(bào)告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
主題報(bào)告：射頻器件（TBD）
報(bào)告嘉賓：袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
主題報(bào)告：面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)
報(bào)告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學(xué)副教授
主題報(bào)告：硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術(shù)
報(bào)告嘉賓：黃潤華--中電科五十五所副主任設(shè)計(jì)師
主題報(bào)告：碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：黃潤華--中電科五十五所副主任設(shè)計(jì)師
主題報(bào)告：碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
主題報(bào)告：八英寸硅基氮化鎵技術(shù)進(jìn)展（TBD）
報(bào)告嘉賓：葉建東--南京大學(xué)教授
主題報(bào)告：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
主題報(bào)告：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
報(bào)告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任，山東大學(xué)副教授
主題報(bào)告：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究
報(bào)告嘉賓：葉念慈--三安集成技術(shù)市場總監(jiān)
主題報(bào)告：（TBD）
報(bào)告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
主題報(bào)告：VCSEL 技術(shù) (TBD)
報(bào)告嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司研發(fā)經(jīng)理
主題報(bào)告：用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：楊學(xué)林--北京大學(xué)物理學(xué)院高級工程師
主題報(bào)告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報(bào)告：Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
報(bào)告嘉賓：徐尉宗--南京大學(xué)研究員
主題報(bào)告：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)
報(bào)告嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學(xué)副校長、教授
主題報(bào)告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
報(bào)告嘉賓：樊嘉杰--復(fù)旦大學(xué)青年研究員
主題報(bào)告：SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)
更多報(bào)告嘉賓正在確認(rèn)中?。?！
【擬參與單位】華為、中興、南京大學(xué)、三安光電、東南大學(xué)、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導(dǎo)體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學(xué)、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業(yè)、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時(shí)代、國家電網(wǎng)、中芯集成、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學(xué)、江蘇能華、西安交通大學(xué)、北京大學(xué)，電子科技大學(xué)，河北同光、山東天岳、天津大學(xué)、聚能創(chuàng)芯，賽微電子，南京百識，唐晶量子，天科合達(dá)，漢驊半導(dǎo)體，南京百識，大族激光，德儀，江蘇三代半研究院等
【投稿】Oral或Poster ：500字左右擴(kuò)展摘要提交到 1957340190@qq.com。
【參會注冊 】注冊費(fèi) 2000 （會議資料，招待晚宴，自助餐）
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
【參會/贊助/商務(wù)合作】
聯(lián)系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
聯(lián)系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411，zhangww@casmita.com
如果您想?yún)?，可以直接掃碼預(yù)報(bào)名，我們會第一時(shí)間和您聯(lián)系！
協(xié)議酒店：城市名人酒店（協(xié)議價(jià)400，含早）
聯(lián)系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復(fù)，目前南京市全域均為低風(fēng)險(xiǎn)區(qū)，進(jìn)出南京不需要核酸檢測證明，只要14天內(nèi)沒去過中高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)和出入境經(jīng)歷，體溫?zé)o異常情況下，均可持綠碼進(jìn)出南京參加會議。
聯(lián)系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復(fù)，目前南京市全域均為低風(fēng)險(xiǎn)區(qū)，進(jìn)出南京不需要核酸檢測證明，只要14天內(nèi)沒去過中高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)和出入境經(jīng)歷，體溫?zé)o異常情況下，均可持綠碼進(jìn)出南京參加會議。
