AlN具有超禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱穩(wěn)定性及聲表面和體波速高等優(yōu)異性能，是紫外光電器件、MEMS傳感器及高功率/高頻/高溫電子器件理想材料，同時(shí)也是5G射頻前端SAW/BAW/FBAR器件核心材料。在5G射頻前端BAW/FBAR器件領(lǐng)域，基于氮化鋁（AlN）的薄膜材料已經(jīng)得到大規(guī)模應(yīng)用；在5G射頻前端SAW器件領(lǐng)域，由于AlN相比傳統(tǒng)的LT/LN材料壓電系數(shù)較小，還難以得到大規(guī)模應(yīng)用。為進(jìn)一步提升AlN材料的壓電性能，提升濾波器性能，摻鈧AlN薄膜成為射頻濾波器首選高端壓電材料。
 

2021年9月13-14日，由南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會(huì)議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展與創(chuàng)新應(yīng)用，助推相關(guān)領(lǐng)域市場(chǎng)產(chǎn)品國產(chǎn)化替代。
 

屆時(shí)，奧趨光電CEO吳亮受邀將出席‘2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)’，并分享《AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望》主題報(bào)告。制備AlN/AlScN基高性能射頻濾波器件，高質(zhì)量AlN/AlScN薄膜是基礎(chǔ)。報(bào)告將分析對(duì)比制備AlN/AlScN薄膜材料的相關(guān)工藝、優(yōu)缺點(diǎn)及其當(dāng)前成果等精彩內(nèi)容。
 

欲知最新研究進(jìn)展與成果，敬請(qǐng)關(guān)注峰會(huì)，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜?、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流，共商合作事宜。
 

吳亮，國際知名晶體生長工藝與模擬仿真科學(xué)家，分別畢業(yè)于比利時(shí)魯汶大學(xué)、清華大學(xué)及大連理工大學(xué)，獲博士、碩士及學(xué)士學(xué)位。
 

吳亮博士有近20年半導(dǎo)體、光伏及各種單晶生長工藝研究、開發(fā)與研發(fā)領(lǐng)導(dǎo)經(jīng)驗(yàn)。曾供職于英特爾技術(shù)發(fā)展有限公司、比利時(shí)FEMAGSoft SA（高級(jí)研發(fā)工程師、駐北京首席代表等）、蘇州協(xié)鑫工業(yè)應(yīng)用研究院有限公司（副院長，現(xiàn)協(xié)鑫中央研究院）、協(xié)鑫太陽能材料有限公司（總工程師）等，現(xiàn)任奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司CEO。其領(lǐng)導(dǎo)奧趨光電團(tuán)隊(duì)首次成功開發(fā)出全球最大直徑60mm的氮化鋁單晶晶圓樣片，于2021年9月發(fā)布了2英寸氮化鋁單晶襯底產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)小批量量產(chǎn)；同時(shí)研究開發(fā)出顛覆性的大批量2至8英寸氮化鋁/鋁鈧氮薄膜模板制備工藝專利技術(shù)。
 

吳亮博士曾承擔(dān)日本、德國、比利時(shí)等多家世界500強(qiáng)企業(yè)或政府組織在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的專業(yè)化合作研究，申請(qǐng)/授權(quán)國內(nèi)國際專利50余項(xiàng)，在德國出版晶體生長專著一部，發(fā)表各種期刊/會(huì)議論文及各種國際/國內(nèi)邀請(qǐng)報(bào)告100多篇/次）。吳亮博士是PV Japan大會(huì)全員特邀演講嘉賓(Invited plenary keynote speaker)，并作為邀請(qǐng)演講嘉賓出席ICCGE、IWMCG、Semi China、Semi Japan、Semi Taiwan、SNEC、ChinaLED、PV Summit、IWUMD、SSLChina等國際會(huì)議。他是Journal of Crystal Growth客座編輯（guest editor），Journal of Crystal Growth、Crystal Growth and Design和Chinese Physics B、“人工晶體學(xué)報(bào)”等期刊特邀審稿人。自2011年起擔(dān)任SEMI全球協(xié)會(huì)Semi China光伏材料學(xué)術(shù)委員會(huì)成員、硅材料分會(huì)主席；2019年起擔(dān)任“人工晶體學(xué)報(bào)”青年編委、編委；人工晶體標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)委員。