![會(huì)議宣傳圖](http://m.jycsgw.cn/file/upload/202109/10/103743861.png)
2021年9月13-14日,由南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦的“2021中國(guó)(南京)功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)(CASICON 2021)”將在南京城市名人酒店召開。會(huì)議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展與創(chuàng)新應(yīng)用,助推相關(guān)領(lǐng)域市場(chǎng)產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代。
屆時(shí),云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家/中科院半導(dǎo)體所研究員惠峰將受邀出席峰會(huì),并分享題為“VCSEL用六英寸超低位錯(cuò)密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用”的主題報(bào)告。報(bào)告針對(duì)6英寸垂直腔面發(fā)射激光器用砷化鎵單晶產(chǎn)業(yè)發(fā)展存在的關(guān)鍵技術(shù)難題,重點(diǎn)進(jìn)行單晶爐設(shè)計(jì)制造及單晶生長(zhǎng)熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、單晶生長(zhǎng)工藝和開盒即用砷化鎵晶片加工工藝等核心技術(shù)研究開發(fā)。建成年產(chǎn)10萬片6英寸垂直腔面發(fā)射激光器用砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代和核心技術(shù)自主可控。
欲知詳細(xì)最新研究進(jìn)展與數(shù)據(jù)成果,敬請(qǐng)關(guān)注峰會(huì),也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)<?、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流,共商合作事宜。
【嘉賓簡(jiǎn)介】
![惠峰](http://m.jycsgw.cn/file/upload/202109/10/103802391.jpg)
惠峰,一直從事國(guó)防軍工器件和電路需要的高質(zhì)量砷化鎵、磷化銦及鍺單晶研發(fā)工作。做為重大項(xiàng)目負(fù)責(zé)人,帶領(lǐng)課題組先后完成了國(guó)家重點(diǎn)科技攻關(guān)、國(guó)家八六三計(jì)劃重大項(xiàng)目,北京市重大科技項(xiàng)目、國(guó)家科技支撐計(jì)劃項(xiàng)目、云南省重大科技計(jì)劃等40多項(xiàng)科研和產(chǎn)業(yè)化任務(wù),多次獲得中科院科技進(jìn)步二、三等獎(jiǎng);2000年獲得國(guó)務(wù)院頒發(fā)的政府特殊津貼。2014年,被評(píng)為云南省云嶺產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)軍人才,2016年選為云南省引進(jìn)高端科技人才。在云南建成了國(guó)際先進(jìn)的鍺單晶、砷化鎵單晶、磷化銦單晶等光電半導(dǎo)體新材料研發(fā)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)化基地,打破國(guó)外核心技術(shù)封鎖,實(shí)現(xiàn)高端半導(dǎo)體晶片國(guó)產(chǎn)化替代。
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【組織機(jī)構(gòu)】
指導(dǎo)單位
南京大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
主辦單位
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 公號(hào)
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
贊助支持單位
藍(lán)雨軟件技術(shù)開發(fā)(上海)有限公司
愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司
寧波恒普真空技術(shù)有限公司
蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
德儀國(guó)際貿(mào)易(上海)有限公司
大族激光顯示與半導(dǎo)體裝備事業(yè)部
上海翱晶半導(dǎo)體科技有限公司
上海智湖信息技術(shù)有限公司
蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司
湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司
![點(diǎn)擊打開原圖 贊助企業(yè)LOGO圖](http://m.jycsgw.cn/file/upload/202109/07/174639881.png)
【時(shí)間地點(diǎn)】
時(shí)間:2021年9月13-14日
地點(diǎn):南京·城市名人酒店(江蘇省南京市鼓樓區(qū)中山北路30號(hào))
![南京功率射頻會(huì)議活動(dòng)行](http://m.jycsgw.cn/file/upload/202109/04/125430721.png)
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【會(huì)議安排】
![點(diǎn)擊打開原圖](http://m.jycsgw.cn/file/upload/202108/30/182840831.jpg)
【報(bào)告嘉賓&主題報(bào)告】
報(bào)告嘉賓:陳堂勝--中國(guó)電科首席科學(xué)家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任
主題報(bào)告:低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報(bào)告嘉賓:陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授
報(bào)告嘉賓:程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報(bào)告:SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
報(bào)告嘉賓:鄧小川--電子科技大學(xué)教授
主題報(bào)告:極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動(dòng)態(tài)可靠性研究
報(bào)告嘉賓:惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家/中科院半導(dǎo)體所研究員
報(bào)告嘉賓:陳 鵬--南京大學(xué)教授
報(bào)告嘉賓:倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
報(bào)告嘉賓:李 強(qiáng)--西安交通大學(xué)副教授
報(bào)告嘉賓:吳 彤--安森美首席SiC 專家
報(bào)告嘉賓:吳 亮--奧趨光電CEO
報(bào)告嘉賓:張保平--廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 副院長(zhǎng)、教授
報(bào)告嘉賓:蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
報(bào)告嘉賓:左 超--愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司電子營(yíng)業(yè)部部長(zhǎng)
報(bào)告嘉賓:王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
報(bào)告嘉賓:袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
報(bào)告嘉賓:劉 雯--西交利物浦大學(xué)副教授
報(bào)告嘉賓:英諾賽科科技股份有限公司
報(bào)告嘉賓:彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任,山東大學(xué)副教授
報(bào)告嘉賓:葉念慈--三安集成技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)
報(bào)告嘉賓:童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
報(bào)告嘉賓:向鵬博士--蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司研發(fā)經(jīng)理
報(bào)告嘉賓:楊學(xué)林--北京大學(xué)物理學(xué)院高級(jí)工程師
主題報(bào)告:Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展
報(bào)告嘉賓:徐尉宗--南京大學(xué)研究員
主題報(bào)告:面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)
報(bào)告嘉賓:郭宇鋒--南京郵電大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
主題報(bào)告:Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
更多報(bào)告嘉賓正在確認(rèn)中?。?!
1、9月13日?qǐng)?bào)告(陸續(xù)更新中)
報(bào)告嘉賓:于坤山 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)
主題報(bào)告:中國(guó)功率與射頻技術(shù)市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來展望
報(bào)告嘉賓:陳堂勝--中國(guó)電科首席科學(xué)家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任
主題報(bào)告:低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報(bào)告嘉賓:陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授
主題報(bào)告:GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用
報(bào)告嘉賓:劉斯揚(yáng)--東南大學(xué)教授
主題報(bào)告:SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展
報(bào)告嘉賓:龍世兵--中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)
主題報(bào)告:SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展
報(bào)告嘉賓:龍世兵--中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)
主題報(bào)告:低成本高性能氧化鎵功率器件
報(bào)告嘉賓:Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報(bào)告:Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報(bào)告嘉賓:Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報(bào)告:Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報(bào)告嘉賓:戴小平-湖南國(guó)芯科技總經(jīng)理
主題報(bào)告:淺析SiC模塊封裝技術(shù)
報(bào)告嘉賓:Yuhao Zhang 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
主題報(bào)告:1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報(bào)告嘉賓:Yuhao Zhang 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
主題報(bào)告:1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報(bào)告嘉賓:龔平--西安唐晶量子科技有限公司董事長(zhǎng)
主題報(bào)告:6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術(shù)
報(bào)告嘉賓:紐應(yīng)喜--啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)
主題報(bào)告:碳化硅外延裝備及技術(shù)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓:張 云--天津大學(xué)電氣自動(dòng)化與信息工程學(xué)院教授
主題報(bào)告:新能源汽車電力電子系統(tǒng)及其運(yùn)行控制
2、9月14日?qǐng)?bào)告(陸續(xù)更新中)
報(bào)告嘉賓:程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報(bào)告:SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
報(bào)告嘉賓:鄧小川--電子科技大學(xué)教授
主題報(bào)告:極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動(dòng)態(tài)可靠性研究
報(bào)告嘉賓:惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家/中科院半導(dǎo)體所研究員
主題報(bào)告:VCSEL用六英寸超低位錯(cuò)密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用
報(bào)告嘉賓:陳 鵬--南京大學(xué)教授
主題報(bào)告:GaN肖特基功率器件新進(jìn)展
報(bào)告嘉賓:Yuhao Zhang 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報(bào)告:Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
報(bào)告嘉賓:倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
主題報(bào)告:高性能高壓碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與技術(shù)
報(bào)告嘉賓:李 強(qiáng)--西安交通大學(xué)副教授
主題報(bào)告:基于HBN 的射頻器件
報(bào)告嘉賓:吳 彤--安森美首席SiC 專家
主題報(bào)告:Adopt of SiC devices in EV applications
報(bào)告嘉賓:吳 亮--奧趨光電CEO
主題報(bào)告:AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望
報(bào)告嘉賓:張保平--廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 副院長(zhǎng)、教授
主題報(bào)告:氮化鎵基VCSEL技術(shù)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓:蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
主題報(bào)告:金剛石微波功率器件研究
報(bào)告嘉賓:左 超--愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司電子營(yíng)業(yè)部部長(zhǎng)
主題報(bào)告:量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術(shù)
報(bào)告嘉賓:裴軼/Amgad Alsman--蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司技術(shù)副總裁/中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
主題報(bào)告:基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢(shì)和挑戰(zhàn)
報(bào)告嘉賓:王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
主題報(bào)告:射頻器件(TBD)
報(bào)告嘉賓:袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
主題報(bào)告:面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)
報(bào)告嘉賓:劉 雯--西交利物浦大學(xué)副教授
主題報(bào)告:硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術(shù)
報(bào)告嘉賓:黃潤(rùn)華--中電科五十五所副主任設(shè)計(jì)師
主題報(bào)告:碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓:黃潤(rùn)華--中電科五十五所副主任設(shè)計(jì)師
主題報(bào)告:碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓:英諾賽科科技股份有限公司
主題報(bào)告:八英寸硅基氮化鎵技術(shù)進(jìn)展(TBD)
報(bào)告嘉賓:葉建東--南京大學(xué)教授
主題報(bào)告:氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
主題報(bào)告:氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
報(bào)告嘉賓:彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任,山東大學(xué)副教授
主題報(bào)告:碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究
報(bào)告嘉賓:葉念慈--三安集成技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)
主題報(bào)告:(TBD)
報(bào)告嘉賓:童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
主題報(bào)告:VCSEL 技術(shù) (TBD)
報(bào)告嘉賓:向鵬博士--蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司研發(fā)經(jīng)理
主題報(bào)告:用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓:楊學(xué)林--北京大學(xué)物理學(xué)院高級(jí)工程師
主題報(bào)告:Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展
報(bào)告嘉賓:Yuhao Zhang 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報(bào)告:Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
報(bào)告嘉賓:徐尉宗--南京大學(xué)研究員
主題報(bào)告:面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)
報(bào)告嘉賓:郭宇鋒--南京郵電大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
主題報(bào)告:Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
報(bào)告嘉賓:樊嘉杰--復(fù)旦大學(xué)青年研究員
主題報(bào)告:SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)
更多報(bào)告嘉賓正在確認(rèn)中?。?!
【擬參與單位】華為、中興、南京大學(xué)、三安光電、東南大學(xué)、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤(rùn)、基本半導(dǎo)體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學(xué)、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業(yè)、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時(shí)代、國(guó)家電網(wǎng)、中芯集成、華潤(rùn)微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學(xué)、江蘇能華、西安交通大學(xué)、北京大學(xué),電子科技大學(xué),河北同光、山東天岳、天津大學(xué)、聚能創(chuàng)芯,賽微電子,南京百識(shí),唐晶量子,天科合達(dá),漢驊半導(dǎo)體,南京百識(shí),大族激光,德儀,江蘇三代半研究院等
【投稿】Oral或Poster :500字左右擴(kuò)展摘要提交到 1957340190@qq.com。
【參會(huì)注冊(cè) 】注冊(cè)費(fèi) 2000 (會(huì)議資料,招待晚宴,自助餐)
開戶行:中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行
賬 號(hào):336 356 029 261
名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
【參會(huì)/贊助/商務(wù)合作】
聯(lián)系人:賈先生18310277858,jiaxl@casmita.com
聯(lián)系人:賈先生18310277858,jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411,zhangww@casmita.com
![南京功率射頻會(huì)議活動(dòng)行](http://m.jycsgw.cn/file/upload/202109/04/125430721.png)
如果您想?yún)?huì),可以直接掃碼預(yù)報(bào)名,我們會(huì)第一時(shí)間和您聯(lián)系!
協(xié)議酒店:城市名人酒店(協(xié)議價(jià)400,含早)
聯(lián)系人:王瑋18652978537,648231476@qq.com
防疫提示:會(huì)務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復(fù),目前南京市全域均為低風(fēng)險(xiǎn)區(qū),進(jìn)出南京不需要核酸檢測(cè)證明,只要14天內(nèi)沒去過中高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)和出入境經(jīng)歷,體溫?zé)o異常情況下,均可持綠碼進(jìn)出南京參加會(huì)議。
聯(lián)系人:王瑋18652978537,648231476@qq.com
防疫提示:會(huì)務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復(fù),目前南京市全域均為低風(fēng)險(xiǎn)區(qū),進(jìn)出南京不需要核酸檢測(cè)證明,只要14天內(nèi)沒去過中高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)和出入境經(jīng)歷,體溫?zé)o異常情況下,均可持綠碼進(jìn)出南京參加會(huì)議。