氧化鎵（Ga2O3）是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高Baliga品質(zhì)因數(shù)、低成本熔融生長(zhǎng)技術(shù)等突出優(yōu)點(diǎn)使其在功率器件（SBD、MOSFET、功率IC）領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。目前國(guó)際上對(duì)超寬禁帶Ga2O3材料和器件領(lǐng)域的研究興趣倍增，在各發(fā)達(dá)國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)前瞻布局中具有重要的戰(zhàn)略地位。
9月13-14日，“2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會(huì)由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
會(huì)上，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)龍世兵分享了題為“低成本高性能氧化鎵功率器件”的主題報(bào)告，報(bào)告重點(diǎn)分析Ga2O3半導(dǎo)體功率電子器件的國(guó)內(nèi)外研究發(fā)展現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢(shì)和面臨的挑戰(zhàn)。
嘉賓簡(jiǎn)介
龍世兵，從事寬禁帶半導(dǎo)體器件、存儲(chǔ)器的研究。國(guó)家杰出青年科學(xué)基金獲得者，IEEE高級(jí)會(huì)員。在IEEE EDL等國(guó)際學(xué)術(shù)期刊和會(huì)議上發(fā)表論文100余篇，SCI他引4000余次，H因子35，5篇論文入選ESI高引論文。主持國(guó)家自然科學(xué)基金、科技部、中科院等資助科研項(xiàng)目18項(xiàng)。獲得年國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)、國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、中國(guó)科學(xué)院杰出科技成就獎(jiǎng)。
