半導體器件仿真技術能有效突破器件實驗表象，可視化器件內(nèi)部最根本的物理機制，加深對半導體器件物理的理解，助力于半導體器件架構的優(yōu)化和制。
近日，由半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)（公號）、博聞創(chuàng)意會展（深圳）有限公司主辦的“2021第三代半導體技術及充電產(chǎn)業(yè)合作論壇”在“ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展”同期舉行。
會上，深圳市貝思科爾軟件技術有限公司總經(jīng)理邱志國帶來了“第三代半導體器件的熱測試與仿真解決方案”的主題報告，分享了最新成果。功率半導體器件又稱電力電子器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏及以上）。功率半導體器件主要有功率模組、功率集成電路（即Power IC，簡寫為PIC，又稱為功率IC）和分立器件三大類。
功率模組是將多個分立功率半導體器件進行模塊化封裝；功率IC對應將分立功率半導體器件與驅(qū)動/控制/保護/接口/監(jiān)測等外圍電路集成；分立功率半導體器件則是功率模塊與功率IC的關鍵。高溫是半導體可靠性故障的主要原因，熱設計對電子產(chǎn)品的重要性。報告詳細分享了基于Simcenter T3Ster/PWT的熱可靠性測試解決方案和基于Simcenter FloTHERM/FloEFD的熱仿真解決方案等內(nèi)容。
涉及先進的熱測試方法：電學測試法(ETM)，溫度系數(shù)（K Factor）測試，瞬態(tài)熱測試原理及結構函數(shù)（Structure Function），結構函數(shù)，熱阻模型的精細化：結構函數(shù)與熱分布的關系，實測案例---器件內(nèi)部結構可視化，基于PowerTester實現(xiàn)功率半導體模塊熱可靠性、壽命預測，CFD熱仿真流程步驟，基于FloTHERM/FloEFD完成IGBT熱仿真分析等。
嘉賓簡介
邱志國，從事PCB制造及電子裝聯(lián)3年，EDA（電子設計自動化）/CAE（計算機輔助工程）7年，主要研究半導體芯片原理圖、版圖設計及物理驗證，以及電子產(chǎn)品散熱仿真及IGBT模塊功率循環(huán)（Power Cycling）測試方案；擁有豐富的產(chǎn)品線市場推廣方案及項目合作經(jīng)驗。
