現(xiàn)代電子技術對半導體材料提出了高壓、高頻、高功率、高溫以及抗輻射等新要求，碳化硅憑借禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大等特性，對電力電子行業(yè)發(fā)展有著巨大影響。并在智能電網、電動汽車、軌道交通、新能源并網、開關電源、工業(yè)電機以及家用電器等領域得到應用，展現(xiàn)出了良好的發(fā)展前景。
碳化硅 (SiC) 現(xiàn)已廣泛用于商用高壓電子開關設備。利用擊穿的高臨界場，提高摻雜水平，減小阻擋區(qū)的寬度；因此，與硅高壓開關相比，導通電阻降低了400倍。寬帶隙會導致本征載流子濃度的強烈降低，因此可以在高溫下工作。即使在500–800°C 或更高的溫度范圍內，SiC器件和集成電路也能運行。
研究SiC電子產品的另一個極端環(huán)境是抗輻射環(huán)境，例如航空航天和核能。隨著科學技術的發(fā)展對電子系統(tǒng)也提出了越來越高的抗輻照要求?？臻g和航天技術使人們再外層空間的活動日益增多，但宇宙射線和圍繞地球的范.艾倫輻射帶卻時刻在向外層空間飛行用電子系統(tǒng)的可靠性發(fā)出挑戰(zhàn)。航天飛行器及核潛艇所使用核反應堆的體積由于要受到限制，使得所使用的控制及測量設備不能得到充分的輻射屏蔽，那么提高電子系統(tǒng)的抗輻射能力對于提高整個設備的運行質量和延長使用壽命就非常關鍵?？萍嫉倪M步會把人們拖入更多的輻射環(huán)境中，
如何減少微電子器件的輻照損傷，人們已提出了從材料選擇到微電子器件內的電路設計、結構設計、制作工藝等許多方面的加固技術。近幾年來生長工藝日趨完善的SiC在抗輻照領域顯示出了強大的發(fā)展?jié)摿?，SiC材料的寬禁帶和高的原子臨界位移能決定了其器件具有強的抗電磁波沖擊和高的抗輻射破壞的能力。如果SiC器件結構參數(shù)能進一步優(yōu)化，其抗輻照能力有望再得到提高。
在尋求新一代抗輻照半導體材料的同時，研制耐高溫，大功率和高頻的半導體器件是90年代以來微電子領域研究的熱點，SiC作為第三代半導體是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料，其優(yōu)異的性能順應了時代的要求，SiC器件會在航空、航天、核能、汽車及通信等領域發(fā)揮重要作用。
2021年12月6-8日，半導體領域的年度盛會，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）將于深圳舉行。此次，瑞典皇家理工學院（KTH）教授Carl-Mikael Zetterling將出席IFWS & SSLCHINA 2021并做題為《用于極端環(huán)境電子產品的 SiC 集成電路》（SiC Integrated Circuits for Extreme Environment Electronics）大會報告，分享用于極端環(huán)境電子產品的 SiC 集成電路的最新研究成果，并且將展示和討論與“在金星上工作”項目相關的七年多批次內部雙極和CMOS集成電路技術的實驗結果。
嘉賓簡介
Carl-Mikael Zetterling教授畢業(yè)于瑞典皇家理工學院（KTH） ，分別于1991年和1997年獲得碩士和博士學位。1997年，入職KTH電氣工程學院，他自2005年起擔任固態(tài)電子學教授，自2018 年起擔任電子和嵌入式系統(tǒng)部門負責人。1995-1996年，斯坦福大學集成系統(tǒng)中心特邀學者。1998年、2001年，兩次赴日本京都大學擔任特邀教授。
Zetterling 教授的研究領域是高壓功率器件的工藝技術和器件設計，以及碳化硅中的高溫輻射硬模擬和數(shù)字集成電路。他是KTH“在金星上工作”項目的主要參與人之一。他與他人合作發(fā)表了約 280 篇學術論文（包括期刊與會議），包括編輯一本關于碳化硅器件工藝技術的書，并與Jude Carroll合著關于學術誠信的著作。Zetterling教授曾在TMS電子材料會議和IEEE SISC會議的技術程序委員會任職。他是IEEE Journal of the Electron Devices Society 的編輯。
關于論壇
國際第三代半導體論壇（IFWS）是第三代半導體產業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會議以促進第三代半導體與電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作，引領第三代半導體新興產業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結產、學、研、用，提供全球范圍的全產業(yè)鏈合作平臺。在過去的六年時間里，IFWS延請寬禁帶半導體領域國際頂級學術權威分享最前沿技術動態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）是半導體照明領域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進半導體照明技術和應用的國際交流與合作，引領半導體照明產業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術、產品與應用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產業(yè)鏈合作平臺，致力于拓展業(yè)界所關注的目標市場，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價值。在過去的十七年里，SSLCHINA邀請了包括諾貝爾獎得主在內的全球最頂級專家陣容，呈現(xiàn)了超過1800個專業(yè)報告，累計參會代表覆蓋全球70多個國家逾26500人次。
國際第三代半導體論壇與中國國際半導體論壇同時同地舉辦，同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。
IFWS & SSLCHINA 2021旨在推動半導體照明技術的革新與跨界應用，積極促進第三代半導體在電力電子、光電、移動通信等領域的技術應用的國際交流與合作，全面覆蓋行業(yè)基礎研究、襯底外延工藝、器件、模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展，并為全球范圍內第三代半導體全產業(yè)鏈的交流與合作提供平臺。
論壇聚焦第三代半導體功率電子技術、光電子技術、射頻電子技術的國內外前沿進展；第三代半導體功率電子技術、光電子技術、射頻電子技術的產業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略、失策與機遇；第三代半導體材料相關技術與新一代信息技術、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產業(yè)的相互促進與深度融合；產業(yè)鏈、供應鏈多元化與核心技術攻關等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中，對接資源，洽談商機，共商產業(yè)發(fā)展大計。
時間&地點
會議時間：2021年12月6-8
會議地點：中國-廣東-深圳會展中心
論壇主題 ：創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來
主辦單位
國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）
第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
日程總覽
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據(jù)悉，論壇會期設置了功率電子器件與應用論壇、射頻電子器件與應用論壇、材料與裝備論壇、半導體照明與應用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應用論壇等七大分論壇，分論壇下設27場次主題分會。
其中，功率電子器件與應用論壇下設碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、功率模塊封裝及可靠性、新一代電源應用技術、能源互聯(lián)網應用技術等主題分會；射頻電子器件與應用論壇涵蓋氮化鎵射頻器件、射頻應用技術等主題分會；材料與裝備論壇下設碳化硅襯底與外延、氮化鎵襯底與外延、超寬禁帶半導體材料、生長裝備與其他裝備等主題分會；半導體照明與應用論壇下設半導體照明芯片、封裝、模組及可靠性，智慧照明與智慧城市，景觀設計與文旅燈光等分會；Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇設有Mini/Micro-LED技術，Mini/Micro-LED應用與產業(yè)，激光顯示技術，鈣鈦礦與量子點，OLED與其他新型顯示技術主題分會；超越照明論壇設有光健康、光醫(yī)療、光品質、光通信與感知技術、生物與農業(yè)光照技術設有主題分會；固態(tài)紫外器件與應用論壇下設固態(tài)紫外材料與器件技術、紫外模塊封裝技術、紫外器件應用等主題分會。
同時，為應對汽車半導體產業(yè)“缺芯”及產業(yè)鏈對接難題，論壇擬設置車用半導體創(chuàng)新合作峰會，幫助汽車半導體產業(yè)鏈優(yōu)秀企業(yè)，在了解國際前沿技術的同時，為推動國產化器件及應用提供支撐和幫助。為了搭建更充分的交流平臺，論壇擬設置青年學術論壇、聯(lián)盟活動、交流與展示等眾多同期活動。
注冊費用權益表
備注：
＊國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。
＊學生參會需提交相關證件。
＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的40%作為退款手續(xù)費。
＊SSL相關會議包含：開幕大會、半導體照明與應用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應用論壇、材料與裝備論壇、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、產業(yè)生態(tài)與投資峰會、第三代半導體產教融合發(fā)展論壇、生物農業(yè)光照技術研討會、閉幕儀式。
＊IFWS相關會議包含：開幕大會、功率電子器件與應用論壇、射頻電子器件與應用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應用論壇、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、產業(yè)生態(tài)與投資峰會、第三代半導體產教融合發(fā)展論壇、電力電子標準與檢測研討會、閉幕儀式。
＊產業(yè)峰會包含：車用半導體創(chuàng)新合作峰會、產業(yè)生態(tài)與投資峰會、第三代半導體產教融合發(fā)展論壇，以及部分論壇中的產業(yè)單元（包括景觀設計與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、自動駕駛時代的汽車照明、紫外器件應用、Mini/Micro-LED應用與產業(yè)、新一代電源應用技術、能源互聯(lián)網應用技術、射頻應用技術等會議單元）。
＊自助餐包含：12月6-8日午餐。
報名優(yōu)惠期
即日起至2021年10月15之前，完成注冊繳費即可享受早鳥折扣票（詳見上圖），國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。學生參會需提交相關證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
征文投稿時間節(jié)點
1.第一輪摘要錄用通知：2021年9月1日（請注意查看郵箱）
2.第二輪摘要/全文提交截止日期：2021年10月15日
3.第二輪論文錄用通知：2021年11月1日
4.口頭報告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2021年11月22日
備注：目前已經進入專家審稿程序，在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿，歡迎大家直接投全文！
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論文咨詢
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