2021年12月6-8日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，“IFWS& SSLCHINA 2021：材料與裝備論壇（碳化硅襯底與外延專場）"將于12月7日舉行，廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司、山西爍科晶體有限公司、哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司協(xié)辦，特別邀請GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S.Raghavan，山東大學教授，廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理陳秀芳，山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理、中電科半導體材料有限公司副總經(jīng)理李斌，中國科學院物理所研究員王剛，哈爾濱工業(yè)大學化工與化學學院教授、哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長趙麗麗，中電科十三所基礎研究部質(zhì)量部主管李佳等代表性先進研究力量，分享碳化硅襯底與外延技術(shù)的最新進展。山東大學教授徐現(xiàn)剛與中國電子科技集團第二研究所所長唐景庭將共同主持本次論壇。
作為一年一度的行業(yè)盛會，論壇及同期活動將全面呈現(xiàn)第三代半導體產(chǎn)業(yè)動向及技術(shù)趨勢，為除了開幕大會、本屆論壇設有功率電子器件與應用論壇、射頻電子器件與應用論壇、半導體照明與應用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應用論壇、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標準與檢測研討會等超30場次論壇活動。聚焦第三代半導體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國內(nèi)外前沿進展；第三代半導體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機遇；第三代半導體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進與深度融合；產(chǎn)業(yè)鏈、供應鏈多元化與核心技術(shù)攻關(guān)等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中，對接資源，洽談商機，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計。
部分嘉賓簡介：
P.S.Raghavan，GT Advanced Technologies首席技術(shù)官。Raghavan 博士在晶體生長儀器、半導體（硅、碳化硅、III-V 和 II-VI）材料的晶體生長、氧化物（Al2O3、LiNbO3）、NLO 材料、閃爍檢測材料方面擁有超過 33 年的工業(yè)和學術(shù)經(jīng)驗以及先進的電子和光子設備。他在開發(fā)技術(shù)和資本設備方面擁有數(shù)十年的經(jīng)驗，已成功將行業(yè)領先的硅、藍寶石、碳化硅和氮化鎵晶體生長爐商業(yè)化，用于太陽能、LED、消費電子和電力電子制造行業(yè)。
在2002年加入GT之前，他參與晶體生長研究，并擔任臺灣新竹NTHU電機工程系客座教授、安娜大學晶體生長中心助理教授和阿拉加帕大學Reader和 Head Instrumentation，印度。Raghavan博士擁有物理學碩士學位、物理學哲學碩士學位和物理學博士學位。在III-V族化合物的晶體生長中。他曾在全球國際知名實驗室擔任博士后研究員，在國際期刊上發(fā)表了60篇研究論文，擁有8項專利。
陳秀芳，山東大學教授，主要從事寬帶隙碳化硅等半導體材料、石墨烯二維材料及相關(guān)器件、超硬材料加工及納米材料的研究。在該領域中，取得一系列重要應用型科研成果，先后主持承擔了重大專項、973計劃、預研項目、國家重點研發(fā)計劃、科技部“863”計劃、山東省自主創(chuàng)新重大專項等20余項國家及省部級項目。在國內(nèi)外學術(shù)刊物上發(fā)表論文30余篇，申請和獲得授權(quán)發(fā)明專利20余項。獲得2013年度“山東省技術(shù)發(fā)明一等獎”。
李斌 山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理、中電科半導體材料有限公司副總經(jīng)理
王剛 中國科學院物理所研究員，2009年1月加入中國科學院物理研究所，2016年7月-2017年7月在美國埃姆斯實驗室訪問，現(xiàn)任中國科學院物理研究所研究員、博士生導師。國家優(yōu)秀青年科學基金獲得者，榮獲盧嘉錫青年人才獎和中國硅酸鹽學會青年科技獎等獎項。無機電磁功能材料探索、晶體生長與物性
趙麗麗 哈爾濱工業(yè)大學化工與化學學院教授, 哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長
最新日程如下：
|
F3-材料與裝備論壇（碳化硅襯底與外延）
|
|
時間：2021年12月7日
地點：深圳會展中心• 五層玫瑰廳3
Time: Dec 7th，2021 Afternoon
Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 5th Rose Hall 3
|
|
屏幕尺寸 / Slides Size：
|
|
主持人
Moderator
|
徐現(xiàn)剛-山東大學教授
|
|
9:00-9:25
|
用于電力電子的 150 毫米和 200 毫米直徑高產(chǎn) 4H 碳化硅的缺陷表征和晶體生長Defect characterization and crystal growth of 150 mm and 200 mm diameter high yielding 4H SiC for power electronic applications
P.S.Raghavan--GT Advanced Technologies首席技術(shù)官
P.S.Raghavan--CTO of GT Advanced Technologies
|
|
9:25-9:45
|
SiC單晶材料生長及缺陷控制機制SiC single crystal material growth and defect control mechanism
陳秀芳--山東大學教授，廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理
CHEN Xiufang—Professor of Shandong University, Deputy General Manager of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd.
|
|
9:45-10:05
|
化合物半導體材料發(fā)展展望Prospects for the development of compound semiconductor materials
李斌--山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理、中電科半導體材料有限公司副總經(jīng)理
Li Bin--General Manager of Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., Deputy General Manager of CEC Semiconductor Materials Co., Ltd.
|
|
10:05-10:25
|
碳化硅單晶襯底與外延進展及產(chǎn)業(yè)化Progress and industrialization of silicon carbide substrate and epitaxy
王剛 中國科學院物理所研究員
Wang Gang Professor，Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
|
|
10:25-10:40
|
茶歇/Coffee break
|
|
10:40-11:00
|
低成本碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究Research on Industrialization Technology of Low-cost Silicon Carbide Single Crystal Materials
趙麗麗 哈爾濱工業(yè)大學化工與化學學院教授, 哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長
Zhao Lili Professor, School of Chemical Engineering and Chemistry, Harbin Institute of Technology
|
|
11:00-11:20
|
SiC同質(zhì)外延缺陷研究Research on SiC Homoepitaxial Defects
李 佳 中電科十三所基礎研究部質(zhì)量部主管
Li Jia Head of Quality Department, Basic Research Department, 13th Research Institute of CLP
|
|
|
Panel Discussion：
對話議題（擬定）
1 六英寸半絕緣型碳化硅襯底可靠性問題，量產(chǎn)時間
2 功率器件導電型襯底國產(chǎn)化的挑戰(zhàn)及市場機會
3 襯底研磨拋及清洗設備對碳化硅襯底成本的影響及需求
4，外延設備國產(chǎn)化的時間
5，單晶爐品牌化的可能性
主持人： 于坤山- 第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長
對話嘉賓（擬定）：
王垚浩——廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司董事長
李 斌——山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理
趙麗麗——哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長
鞏小亮——中國電子科技集團公司第四十八研究所 半導體裝備研究部副主任
張永熙——上海瞻芯電子科技有限公司董事長
徐現(xiàn)剛——山東大學教授
王 剛—— 中國科學院物理所研究員
|
備注：日程或有微調(diào)，皆以現(xiàn)場為準。
附件：論壇資料
第七屆國際第三代半導體論壇
暨第十八屆中國國際半導體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
IFWS & SSLCHINA 2021
國際第三代半導體論壇（IFWS）是第三代半導體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會議以促進第三代半導體與電力電子技術(shù)、移動通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應用的國際交流與合作，引領第三代半導體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學、研、用，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。在過去的六年時間里，IFWS延請寬禁帶半導體領域國際頂級學術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）是半導體照明領域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進半導體照明技術(shù)和應用的國際交流與合作，引領半導體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術(shù)、產(chǎn)品與應用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺，致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標市場，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價值。在過去的十七年里，SSLCHINA邀請了包括諾貝爾獎得主在內(nèi)的全球最頂級專家陣容，呈現(xiàn)了超過1800個專業(yè)報告，累計參會代表覆蓋全球70多個國家逾26500人次。
國際第三代半導體論壇與中國國際半導體照明論壇同時同地舉辦，同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。
論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。目前，論壇同期論文已開啟征集，論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。
2021先進半導體技術(shù)應用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對接資源，洽談商機，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計。
據(jù)了解，目前論壇組織工作正有序開展中，以下為會議最新信息：
論壇信息
會議時間：2021年12月6-8日
會議地點：深圳會展中心（福田區(qū)）
會議住宿：深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題：創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來
主辦單位
國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
論文重要期限及提交方式
口頭報告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2021年11月28日
備注：目前已經(jīng)進入專家審稿程序，在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿，歡迎大家直接投全文！
IFWS & SSLCHINA 2021會議日程
備注：總體日程概覽或有微調(diào)，以現(xiàn)場為準。
注冊費用權(quán)益表
備注：
＊國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。
＊學生參會需提交相關(guān)證件。
＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的40%作為退款手續(xù)費。
＊SSL相關(guān)會議包含：開幕大會、半導體照明與應用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應用論壇、材料與裝備論壇、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)研討會、閉幕儀式。
＊IFWS相關(guān)會議包含：開幕大會、功率電子器件與應用論壇、射頻電子器件與應用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應用論壇、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、第三代半導體標準與檢測研討會、閉幕儀式。
＊產(chǎn)業(yè)峰會包含：車用半導體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇，以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元（包括照明設計與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應用、Mini/Micro-LED應用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應用技術(shù)等會議單元）。
＊餐飲包含：12月6日午餐、6日歡迎晚宴（大中華希爾頓酒店）、7日午餐+晚餐。
報名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。學生參會需提交相關(guān)證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
在線注冊
IFWS & SSLCHINA 2021在線注冊通道
掃碼注冊
聯(lián)系方式
1.論文咨詢
白女士
電話：010-82387600-602
郵箱：papersubmission@china-led.net
2.參會參展/贊助咨詢
賈先生
010-82380580
18310277858
jiaxl@casmita.com
張女士
010-82387380
13681329411
zhangww@casmita.com
