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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)乘風(fēng)破浪,誰(shuí)將會(huì)傲立潮頭?

日期:2021-11-30 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)作者:May閱讀:967
核心提示:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為何持續(xù)升溫呢?未來(lái),誰(shuí)將會(huì)立于潮頭浪尖?
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)乘風(fēng)破浪,誰(shuí)將會(huì)傲立潮頭?
   近年來(lái),我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐步由“導(dǎo)入期”向“成長(zhǎng)期”過渡,市場(chǎng)日趨活躍,產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)涌現(xiàn)出東莞中鎵、蘇州納維、鎵特半導(dǎo)體、中車時(shí)代半導(dǎo)體、中晶半導(dǎo)體、中麒光電、阿爾泰等大批各有所長(zhǎng)的代表性企業(yè)。
 
  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為何持續(xù)升溫呢?業(yè)界普遍認(rèn)為,一方面是國(guó)家對(duì)第三代半導(dǎo)體均給予了高度重視,各地政府扶持力度大;另一方面第三代半導(dǎo)體材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓等優(yōu)越性能,在光電子、微波射頻、電力電子、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域有很大的應(yīng)用潛力。
 
  未來(lái)五年,將成為第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的重要窗口期,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將進(jìn)一步升級(jí)。
 
第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)
  ▲第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)
 
  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展浪潮涌動(dòng)
 
  半導(dǎo)體作為信息產(chǎn)業(yè)的基石,近兩年一直是各國(guó)貿(mào)易戰(zhàn)的焦點(diǎn)。尤其是進(jìn)入2020年,發(fā)達(dá)國(guó)家紛紛將半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)上升到國(guó)家安全戰(zhàn)略層面。
 
  據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,Cree Wolfspeed、ROHM等五家企業(yè)合計(jì)占有SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)80%,EPC、Transphorm、等四家企業(yè)占有GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)90%,住友電工、Cree|Wolfspeed和Qorvo三家企業(yè)占有GaN射頻市場(chǎng)85%。由此可見,美日歐企業(yè)占據(jù)全球第三代半導(dǎo)體主導(dǎo)市場(chǎng)。
 
  盡管與國(guó)際尚有差距,但在國(guó)家科技計(jì)劃支持下,我國(guó)已初步形成從材料、器件到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈,市場(chǎng)需求、政策支持等多種因素也在促成我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆勢(shì)上漲,產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)實(shí)力提升,與先進(jìn)水平差距在不斷縮小。
 
  另?yè)?jù)CASA Research研究報(bào)告,國(guó)內(nèi)商業(yè)化GaN襯底尺寸以2英寸為主,4英寸實(shí)現(xiàn)小批量出貨,預(yù)計(jì)2025年前完成6英寸襯底的批量生產(chǎn)并進(jìn)入市場(chǎng),代表企業(yè)有東莞中鎵、蘇州納維等。
 
  東莞中鎵已建成國(guó)內(nèi)首家專業(yè)的氮化鎵襯底材料生產(chǎn)線,制備出厚度達(dá)1100微米的自支撐GaN襯底,并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。目前,該公司承擔(dān)國(guó)家、省級(jí)重大科研專項(xiàng)40余項(xiàng),擁有自主專利170余項(xiàng),是國(guó)內(nèi)最大的氮化鎵襯底材料生產(chǎn)基地。
 
  藍(lán)寶石上氮化鎵襯底領(lǐng)域,諸如中圖科技、博藍(lán)特等不少企業(yè)表現(xiàn)突出。中圖科技一直圍繞著第三代半導(dǎo)體氮化鎵材料技術(shù)進(jìn)行圖形化襯底的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,多年來(lái)占據(jù)圖形化藍(lán)寶石襯底這一細(xì)分領(lǐng)域的領(lǐng)先位置。
 
  GaN光電子器件方面,LED芯片國(guó)產(chǎn)化率已超過80%,顯示應(yīng)用領(lǐng)域,Micro-LED作為下一代顯示技術(shù)的重要技術(shù)路線,國(guó)內(nèi)外企業(yè)百家爭(zhēng)鳴,各自為營(yíng),但也有年輕的企業(yè)采用“多條腿走路”的策略,迅速成長(zhǎng)起來(lái)。
 
  從技術(shù)研發(fā)到推出產(chǎn)品,中麒光電短短三年時(shí)間內(nèi)打響名頭,面對(duì)多條不同的技術(shù)路線,其以全倒裝COB(UFP Mini COB系列產(chǎn)品)與單芯片封裝(Mini COB Lite系列產(chǎn)品)兩種技術(shù)路線為市場(chǎng)開拓的先鋒,形成了自己的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力,預(yù)計(jì)2023年底,其將實(shí)現(xiàn)兩條技術(shù)路線融合,邁入Micro LED路線。
 
  有數(shù)據(jù)顯示,中麒光電在自產(chǎn)芯片且自主研發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)?。┘映窒?,其轉(zhuǎn)良率已經(jīng)提升至99.99%,自主研發(fā)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)效率>2KK/UPH,并在2020年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)量高達(dá)2萬(wàn)多平米。
 
  得益于國(guó)內(nèi)主流企業(yè)積極布局,市場(chǎng)容量擴(kuò)大且產(chǎn)業(yè)鏈合作水平不斷提高。在技術(shù)方面和企業(yè)規(guī)模上,我國(guó)與國(guó)際大廠存在較大差距。
 
中麟光電生產(chǎn)車間
  ▲中麒光電車間
 
  卡位布局,人才戰(zhàn)略進(jìn)行時(shí)
 
  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是高技術(shù)引領(lǐng),隨著市場(chǎng)開啟,人才需求將呈爆發(fā)式增長(zhǎng),但目前并不能得到滿足。
 
  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展中心主任王建華表示,當(dāng)前產(chǎn)業(yè)面臨著研發(fā)周期長(zhǎng),技術(shù)更新快,各層次人才規(guī)模不夠,高端和戰(zhàn)略性人才急缺等問題。
 
  面對(duì)人才需求,很多企業(yè)采用高薪聘請(qǐng)、海外引進(jìn)人才等方式來(lái)短時(shí)間彌補(bǔ)高端領(lǐng)軍人才缺口,甚至開啟院校人才“爭(zhēng)奪戰(zhàn)”。“人才是企業(yè)發(fā)展的動(dòng)力源,建議企業(yè)積極探索多元化人才培養(yǎng)模式,打好人才選、用、育、留組合拳,不斷挖掘人才潛能,持續(xù)增強(qiáng)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。”王建華說。
 
  不少實(shí)力企業(yè),諸如比亞迪、基本半導(dǎo)體等都在探索自主創(chuàng)新、合作研發(fā)等。有強(qiáng)大發(fā)展?jié)摿Φ男屡d力量,比如中民研究院等也開始強(qiáng)勢(shì)崛起,頗具人才吸引力。
 
  據(jù)了解,“新秀”中民研究院已開始構(gòu)建自身的技術(shù)創(chuàng)新體系,將圍繞第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)、主要應(yīng)用鏈條、多維應(yīng)用領(lǐng)域,形成半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)研發(fā)與孵化平臺(tái),觸及5G、新能源、節(jié)能環(huán)保等前景廣闊的領(lǐng)域。同時(shí),也在不斷完善人才相關(guān)配套孵化資源,采用高效的激勵(lì)機(jī)制,給人才彈性空間,以最大限度發(fā)揮人才的能力與潛力,持續(xù)吸引優(yōu)秀人才。
 
  中國(guó)科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓指出,培養(yǎng)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新人才的一個(gè)重點(diǎn)是要培養(yǎng)具有“解決問題、發(fā)現(xiàn)問題、提出問題”能力的優(yōu)秀人才。
 
  科技競(jìng)爭(zhēng),歸根到底是人才的競(jìng)爭(zhēng),未來(lái)企業(yè)間的競(jìng)爭(zhēng)也將會(huì)呈現(xiàn)技術(shù)、資本、人才等全方位實(shí)力的較量。
 
中晶半導(dǎo)體生產(chǎn)車間
  ▲ 中晶半導(dǎo)體生產(chǎn)車間
 
  未來(lái),誰(shuí)將會(huì)立于潮頭浪尖?
 
  政策和市場(chǎng)雙輪驅(qū)動(dòng),我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模保持高速增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)“十四五”規(guī)劃期間,國(guó)家和地方政府將在教育、科研、人才、融資等各方面出臺(tái)政策支持,產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)蓬勃發(fā)展期。
 
  企業(yè)也在加快布局的步伐,紛紛在技術(shù)儲(chǔ)備、平臺(tái)建設(shè)、投資擴(kuò)產(chǎn)或產(chǎn)業(yè)合作等不同方面發(fā)力。比如華大半導(dǎo)體進(jìn)行SiC全產(chǎn)業(yè)鏈布局,基本半導(dǎo)體建設(shè)深圳研發(fā)中心以及封裝產(chǎn)業(yè)基地等等。
 
  中民研究院常務(wù)副院長(zhǎng)閆春輝博士認(rèn)為,企業(yè)要長(zhǎng)久發(fā)展,說到底要保持足夠可持續(xù)不斷壯大的創(chuàng)新能力,需要有穩(wěn)定的平臺(tái),建立和保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。對(duì)于中民研究院,隨著第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的打開,已形成的平臺(tái)、技術(shù)、市場(chǎng)等資源優(yōu)勢(shì)將不斷釋放。其布局也為后續(xù)的資源匯聚打下了基礎(chǔ),其研發(fā)實(shí)驗(yàn)室更加開放對(duì)外,積累原創(chuàng)性研發(fā)技術(shù)的同時(shí)也與國(guó)內(nèi)外科研單位保持密切合作,引進(jìn)新技術(shù)和人才。其注重引入外部可孵化資源,以強(qiáng)化技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力和產(chǎn)業(yè)孵化能力,保證不斷有新生力量加入,在項(xiàng)目、技術(shù)、知識(shí)產(chǎn)權(quán)資源等方面積累,以形成持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)力,匯聚更多優(yōu)勢(shì)資源。
 
  類似中民研究院的模式,要形成產(chǎn)業(yè)鏈平臺(tái)體系的綜合運(yùn)作,除了要有自身強(qiáng)大的資源和實(shí)力支撐,也需要強(qiáng)大的頂層設(shè)計(jì)能力和資源的運(yùn)籌調(diào)配,更非一日之功。中民研究院等新興力量的崛起也得益于其切入的時(shí)機(jī)、自身格局視野以及多年實(shí)力積累等多重要素的支持。企業(yè)的布局能有多寬,走得多遠(yuǎn),與視野有關(guān),也需要多種資源的匯聚、配合與協(xié)調(diào)以及持續(xù)的精心經(jīng)營(yíng)。
 
  當(dāng)前,全球資本加速進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,正處于產(chǎn)業(yè)爆發(fā)前的“搶跑”階段,也給企業(yè)提供了比拼發(fā)展的巨大空間,競(jìng)爭(zhēng)格局仍未成型,可以預(yù)見,越來(lái)越多的企業(yè)會(huì)加入競(jìng)爭(zhēng)。而強(qiáng)者們的出現(xiàn)會(huì)讓產(chǎn)業(yè)的發(fā)展更有力量也讓人期待。(文/ May)
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