近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。
期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料“論壇上，山東大學(xué)微電子學(xué)院副教授徐明升做了題為”基于金剛石金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的日盲探測(cè)器“的主題報(bào)告，結(jié)合具體的研究過(guò)程，分享了最新研究成果。研究指出，H-金剛石基MESFET器件在日盲檢測(cè)領(lǐng)域有重要應(yīng)用前景，具有良好的動(dòng)態(tài)光響應(yīng)、毫秒響應(yīng)時(shí)間等特點(diǎn)。
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