近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。
實(shí)現(xiàn)高Al組分AlGaN中Mg受主的高摻雜效率是發(fā)展AlGaN基深紫外光電器件的迫切需求。在報(bào)告中，江灝教授介紹了利用界面摻雜效應(yīng)提高M(jìn)g摻雜效率的研究工作。研究的核心點(diǎn)是提出了可將摻雜界面劃分為下界面和上界面，其中下界面有利于Mg取代Al，上界面有利于Mg取代Ga。據(jù)此，可通過(guò)引入III族金屬源的脈沖流來(lái)促進(jìn)界面效應(yīng)。通過(guò)修飾摻雜面的下界面，在Mg摻雜的AlxGa1-xN（x~0.42）中獲得了8.3×1018cm3的高空穴濃度。由此產(chǎn)生的電阻率低至0.51Ωcm, 而摻雜效率（空穴濃度p/Mg摻雜濃度CMg）高達(dá)51.9%。在修飾上、下界面后，雙界面效應(yīng)使得Mg摻雜雜質(zhì)的并入進(jìn)一步得到增強(qiáng)，由此得到的在260 nm以上波長(zhǎng)的透射率高于90%的AlxGa1−xN（x∼0.6).中最大空穴濃度為1.52×1018cm−3，電阻率達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的6.94Ω·cm。
江灝教授介紹，在實(shí)現(xiàn)高效p型摻雜的基礎(chǔ)上，研制了具有高增益的全AlxGaN（x≥0.4）外延結(jié)構(gòu)日盲紫外雪崩光電探測(cè)器。同時(shí)，也研制了具有雙浮光柵的日盲紫外異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管。該光電晶體管在5 V偏壓下的光/暗電流比超過(guò)108，光增益達(dá)7.5×104。其閃爍噪聲（Johnson和散粒噪聲）限制的比探測(cè)率高達(dá)2.84×1015（2.91×1017） Jones。
期間，“固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)“論壇上，中山大學(xué)電子信息工程學(xué)院教授江灝做了題為“利用界面效應(yīng)的高Al組分AlGaN的高效p型摻雜及其深紫外光電探測(cè)應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果。
實(shí)現(xiàn)高Al組分AlGaN中Mg受主的高摻雜效率是發(fā)展AlGaN基深紫外光電器件的迫切需求。在報(bào)告中，江灝教授介紹了利用界面摻雜效應(yīng)提高M(jìn)g摻雜效率的研究工作。研究的核心點(diǎn)是提出了可將摻雜界面劃分為下界面和上界面，其中下界面有利于Mg取代Al，上界面有利于Mg取代Ga。據(jù)此，可通過(guò)引入III族金屬源的脈沖流來(lái)促進(jìn)界面效應(yīng)。通過(guò)修飾摻雜面的下界面，在Mg摻雜的AlxGa1-xN（x~0.42）中獲得了8.3×1018cm3的高空穴濃度。由此產(chǎn)生的電阻率低至0.51Ωcm, 而摻雜效率（空穴濃度p/Mg摻雜濃度CMg）高達(dá)51.9%。在修飾上、下界面后，雙界面效應(yīng)使得Mg摻雜雜質(zhì)的并入進(jìn)一步得到增強(qiáng)，由此得到的在260 nm以上波長(zhǎng)的透射率高于90%的AlxGa1−xN（x∼0.6).中最大空穴濃度為1.52×1018cm−3，電阻率達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的6.94Ω·cm。
江灝教授介紹，在實(shí)現(xiàn)高效p型摻雜的基礎(chǔ)上，研制了具有高增益的全AlxGaN（x≥0.4）外延結(jié)構(gòu)日盲紫外雪崩光電探測(cè)器。同時(shí)，也研制了具有雙浮光柵的日盲紫外異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管。該光電晶體管在5 V偏壓下的光/暗電流比超過(guò)108，光增益達(dá)7.5×104。其閃爍噪聲（Johnson和散粒噪聲）限制的比探測(cè)率高達(dá)2.84×1015（2.91×1017） Jones。
江灝，中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院教授，廣東省化合物半導(dǎo)體材料與器件研究與開(kāi)發(fā)工程技術(shù)中心主任，主要從事III族氮化物半導(dǎo)體外延中缺陷抑制與電導(dǎo)調(diào)控，增益型InGaN基可見(jiàn)光、AlGaN基紫外光電探測(cè)技術(shù)，以及發(fā)光技術(shù)研究。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
