近日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來(lái)”為主題的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

 

期間，“氮化鎵功率器件”專(zhuān)場(chǎng)上，西安電子科技大學(xué)王婷婷做了題為”基于金屬氮化物陽(yáng)極的凹槽雙陽(yáng)極SBD研究“的主題報(bào)告，報(bào)告指出，傳統(tǒng)GaN基SBD存在著較差的界面質(zhì)量、較差的熱穩(wěn)定性等問(wèn)題。金屬氮化物GaN SBDs，比如氮化鈦(TiN)，具有良好的熱穩(wěn)定性，低的開(kāi)啟電壓、漏電大，良好的界面質(zhì)量等特點(diǎn)。氮化鎳(NiN) 具有良好的熱穩(wěn)定性，高的開(kāi)啟電壓、漏電小，良好的界面質(zhì)量等特點(diǎn)。報(bào)告分享了凹槽雙陽(yáng)極SBD制備工藝流程、平面雙陽(yáng)極（DA）SBD器件、平面雙陽(yáng)極（DA）SBD器件的C-V特性、DA SBD器件的動(dòng)態(tài)以及擊穿特性、凹槽單陽(yáng)極(RSA)、凹槽雙陽(yáng)極(RDA) SBD、RDA SBD器件的電流傳輸過(guò)程、RDA SBD器件的導(dǎo)通以及C-V特性、RDA SBD器件的擊穿特性等角度詳細(xì)分享了研究成果。

研究首次提出凹槽雙陽(yáng)極SBD結(jié)構(gòu)，同時(shí)利用金屬氮化物與凹槽陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)超低開(kāi)啟電壓（0.3 V）以及高擊穿電壓（1.62 kV）的特性。研究結(jié)果顯示，通過(guò)制備平面金屬氮化物雙陽(yáng)極SBD，相比于單陽(yáng)極器件，可以實(shí)現(xiàn)較低的開(kāi)啟電壓（0.64 V）以及較高的擊穿電壓（1.49 kV）特性，通過(guò)動(dòng)態(tài)I-V特性驗(yàn)證其優(yōu)越的肖特基界面。制備凹槽金屬氮化物雙陽(yáng)極SBD，可以進(jìn)一步降低開(kāi)啟電壓（0.30 V）以及提高擊穿電壓（1.62 kV）。

 

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）