近日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來(lái)”為主題的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

期間，“氮化鎵功率器件”專(zhuān)場(chǎng)上，加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東做了題為”用于GaN功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅(qū)動(dòng)器“的主題報(bào)告，與硅功率MOSFET相比，GaN功率HEMT具有高開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和更好的FOM。在更小的外形尺寸中以高功率密度運(yùn)行的能力為可靠和穩(wěn)健的運(yùn)行帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。用于硅基功率器件的傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)適用于對(duì)柵極電壓擺幅具有較大容差的較低頻率。它們沒(méi)有充分解決GaN功率晶體管特有的一些可靠性問(wèn)題。報(bào)告回顧了GaN功率HEMT的柵極驅(qū)動(dòng)要求和限制。討論了使用精確定時(shí)和死區(qū)時(shí)間校正技術(shù)的動(dòng)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)，以充分利用GaN功率器件的性能。此外，還討論了由于GaN功率模塊中的管芯放置要求相互沖突而導(dǎo)致的電氣和熱性能之間的權(quán)衡。并介紹使用直接鍵合方法的液冷智能GaN功率模塊作為可能的解決方案。

 

吳偉東，加拿大多倫多大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程學(xué)部教授，其研究領(lǐng)域涵蓋智能功率半導(dǎo)體器件及其制作工藝，尤其擅長(zhǎng)功率管理集成電路、集成電源開(kāi)關(guān)和集成D類(lèi)音頻功率放大器的開(kāi)發(fā)。1990年獲得多倫多大學(xué)的博士學(xué)位后，吳教授加入德州儀器公司，開(kāi)發(fā)適用于汽車(chē)應(yīng)用的功率晶體管。1992年吳教授加入香港大學(xué)開(kāi)始學(xué)術(shù)研究生涯。1993年，吳教授加入多倫多大學(xué)，組建了智能功率集成電路和半導(dǎo)體器件研究團(tuán)隊(duì)，他于1998年和2008年分別晉升為副教授和正教授，他擁有智能功率集成電路和射頻領(lǐng)域CMOS技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)的豐富閱歷。吳教授是多倫多納米制造中心主任和多倫多大學(xué)開(kāi)發(fā)獲取研究中心主任。吳教授自2009年起擔(dān)任IEEE電子器件快報(bào)的副主編。

 

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