近日，第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，由蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司共同協(xié)辦支持的”射頻電子器件與應(yīng)用論壇“上，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)Alsaman A. amgad做了題為”HEMT器件通道內(nèi)2DEG電荷的空間非均勻性“的主題報告。
報告指出，早期開發(fā)的傳統(tǒng)建模方法用于對Si、GaAs上的場效應(yīng)晶體管進(jìn)行建模，無法準(zhǔn)確捕捉 GaN/AlGaN HEMT 器件物理特性。它們主要依賴于在相對較高的工作電壓下無法處理的漸進(jìn)通道近似。使用蒙特卡羅電子傳輸方法的數(shù)值模擬表明，隨著施加電壓的增加，電子濃度和其他物理量（電場、漂移速度和溫度）沿著晶體管溝道變得強(qiáng)烈非均勻分布。這樣的結(jié)果使?jié)u進(jìn)通道近似受到質(zhì)疑，并增加了對更可靠的基于物理的模型的需求，這些模型解釋了非均勻/非線性分布的物理量（電場、電位、漂移速度和電子濃度）。在研究工作中，使用電流連續(xù)性和三角量子阱近似推導(dǎo)出了沿 HEMT 通道的電子濃度分布的分析模型。電子濃度分布可用于準(zhǔn)確估計不同偏置條件下的器件電容。
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