近日，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

期間，由蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司共同協(xié)辦支持的”射頻電子器件與應(yīng)用論壇“上，韓國(guó)Wavice Inc首席技術(shù)官兼器件部門(mén)總監(jiān)Sangmin LEE帶來(lái)了題為“i-line步進(jìn)器實(shí)現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性”的主題報(bào)告，分享了最新研究進(jìn)展。

 

報(bào)告指出，最近，除了傳統(tǒng)的早期開(kāi)發(fā)商如SEDI、Cree (Wolfspeed)、Qorvo和UMS外，GaN HEMT 器件已經(jīng)由主要的基于Si和GaAs的代工服務(wù)公司生產(chǎn)，如Win Semiconductor、TSMC。在韓國(guó)，Wavice已開(kāi)發(fā)出可制造的GaN HEMT。Wavice分別于2019年和2021年使用i-line步進(jìn)光刻技術(shù)在SiC襯底上推出了0.4 um和0.3 um柵極GaN HEMT。尤其是0.3 um門(mén)器件已被開(kāi)發(fā)用于支持sub-6Ghz 5G基站應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求。

 

目前，用于X和Ku波段應(yīng)用的0.2 um柵極器件也在開(kāi)發(fā)中，也使用i-line步進(jìn)器。通常，<0.25 um柵長(zhǎng)器件需要電子束光刻或特殊的CD收縮技術(shù)。在Wavice中，所有那些 0.4、0.3和0.2 um器件都是通過(guò)簡(jiǎn)單的光刻和ICP蝕刻技術(shù)生產(chǎn)的。根據(jù)開(kāi)發(fā)的初步結(jié)果，柵極長(zhǎng)度降至0.12um。

 

Sangmin Lee，現(xiàn)任Wavice Inc 首席技術(shù)官兼設(shè)備部門(mén)負(fù)責(zé)人，韓國(guó)西江大學(xué)理學(xué)學(xué)士，韓國(guó)西江大學(xué)理學(xué)碩士，韓國(guó)西江大學(xué)固體物理學(xué)博士。2010 ~ 2015 - Cree 研究科學(xué)家，2015~至今- Wavice首席技術(shù)官。主要研究領(lǐng)域，寬禁帶半導(dǎo)體器件，包括 GaN、SiC、Ga2O3 · 毫米波器件（InP DHBT、GaN HEMT 等） · 高功率器件的可靠性和故障機(jī)制。 

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）