上海芯元基半導體科技有限公司（以下簡稱：芯元基）利用其獨立知識產權的DPSS襯底技術、側向外延生長技術和化學剝離藍寶石襯底技術成功開發(fā)出了10微米-50微米的GaN基薄膜倒裝Micro LED芯片，相比行業(yè)現有的激光剝離藍寶石襯底技術，芯元基首創(chuàng)的化學剝離藍寶石襯底技術不僅能夠實現100%的剝離良率，而且對GaN，特別是InGaN量子阱毫無損傷，規(guī)?；慨a后的成本優(yōu)勢非常明顯。
芯元基的側向外延生產技術不僅可以把GaN外延層中的位錯密度降到107cm-2，而且還可以控制位錯的位置，使得我們可以把Micro LED陣列安排到沒有位錯的位置，從根本上解決困擾行業(yè)的不均性問題。
芯元基獨創(chuàng)的化學剝離技術，不僅可以保證100%的剝離良率，而且還和現有的半導體晶元加工技術有非常好的兼容性，可以利用現有的半導體晶元臨時鍵合技術實現晶元級巨量轉移，從而加速Micro LED顯示產業(yè)化的進程。
溝槽結構芯片陣列圖
在芯片結構上，利用溝槽結構取代了常規(guī)的臺面結構，實現了P電極和N電極的等高，解決了驅動背板上的焊點和芯片電極高度不匹配的問題；芯元基的芯片工藝保證了芯片只有一個具有納米粗化結構的出光面，芯片的四周及其底部具有相應的反射結構，解決了顯示光串擾問題的同時，可以進一步提高顯示的亮度。
上述芯片可應用于車載顯示、AR/VR等新興市場，芯元基已經開始與國內知名廠商展開合作，送樣測試。同時，芯元基設計了一款尺寸為16*27微米的薄膜倒裝芯片可以隨時給意向客戶送樣測試，出貨方式上，可通過批量轉移技術將芯片轉移到客戶定制的柔性材料上或者鍵合在臨時背板上，便于客戶使用。
芯元基半導體
芯元基半導體
上海芯元基半導體成立于2014年，是基于第三代半導體氮化鎵材料為主研發(fā)、設計、生產芯片的創(chuàng)新型公司。公司擁有全球首創(chuàng)的以復合圖形化襯底和化學剝離為核心的技術體系，并擁有完整自主知識產權。目前已獲中微半導體、上海創(chuàng)徒、張江科投、張江高科、浦東科創(chuàng)、上海自貿區(qū)基金等逾億元投資。
