近日，湖北省武漢市人民政府辦公廳發(fā)布《關(guān)于促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的意見》（以下簡稱“《意見》”）。

 

△Source：武漢市人民政府網(wǎng)站截圖

 

《意見》提到，到2025年，芯片產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過1200億元，半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過1000億元，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模。同時培育形成5家銷售收入超過100億元的芯片企業(yè)、5家銷售收入超過100億元的半導(dǎo)體顯示企業(yè)、5家銷售收入超過10億元的半導(dǎo)體設(shè)備與材料企業(yè)，半導(dǎo)體企業(yè)總數(shù)超過500家，上市企業(yè)新增3—5家。《意見》中還明確了多項重點(diǎn)任務(wù)，包括瞄準(zhǔn)薄弱環(huán)節(jié)補(bǔ)鏈、立足現(xiàn)有基礎(chǔ)強(qiáng)鏈、聚焦熱點(diǎn)領(lǐng)域延鏈、以及圍繞前沿領(lǐng)域建鏈等。

 

 

增強(qiáng)集成電路設(shè)備、材料和封測配套能力。在設(shè)備環(huán)節(jié)，聚焦三維集成特色工藝，研發(fā)刻蝕、沉積和封裝設(shè)備，引入化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）機(jī)、離子注入機(jī)等國產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)項目；在材料環(huán)節(jié)，圍繞先進(jìn)存儲器工藝，開發(fā)拋光墊、光刻膠、電子化學(xué)品和鍵合材料，布局化學(xué)氣相沉積材料、濺射靶材、掩膜版、大硅片等材料項目；在封測環(huán)節(jié)，引進(jìn)和培育國內(nèi)外封裝測試領(lǐng)軍企業(yè)，突破先進(jìn)存儲器封裝工藝，推進(jìn)多芯片模塊、芯片級封裝、系統(tǒng)級封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。

 

加快半導(dǎo)體顯示設(shè)備和材料國產(chǎn)化替代。在設(shè)備環(huán)節(jié)，聚焦有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）中小尺寸面板工藝，研發(fā)光學(xué)檢測、模組自動化設(shè)備，引入顯示面板噴印、刻蝕機(jī)、薄膜制備等國產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)項目；在材料環(huán)節(jié)，支持液晶玻璃基板生產(chǎn)項目建設(shè)，加快OLED發(fā)光材料、柔性基板材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，引入濾光片、偏光片、靶材等國產(chǎn)材料生產(chǎn)項目。

 

布局第三代半導(dǎo)體襯底及外延制備。在設(shè)備環(huán)節(jié)，支持物理氣相傳輸法（PVT）設(shè)備、金屬有機(jī)化合物氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）等工藝設(shè)備的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；在材料環(huán)節(jié)，引進(jìn)碳化硅（SiC）襯底、SiC外延、氮化鎵（GaN）襯底生產(chǎn)線，布局GaN外延晶片產(chǎn)線。
 

 

打造存儲、光電芯片產(chǎn)業(yè)高地。在存儲芯片領(lǐng)域，重點(diǎn)引入控制器芯片和模組開發(fā)等產(chǎn)業(yè)鏈配套企業(yè)，研發(fā)超高層數(shù)三維閃存芯片、40納米以下代碼型閃存、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器、三維相變存儲器、存算一體芯片等先進(jìn)存儲芯片；在光電芯片領(lǐng)域，支持25G以上光收發(fā)芯片、50G以上相干光通信芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，布局硅基光通信芯片、高端光傳感芯片、大功率激光器芯片等高端光電芯片制造項目。

 

建設(shè)國內(nèi)重要半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)基地。在顯示面板領(lǐng)域，引進(jìn)大尺寸OLED、量子點(diǎn)顯示、亞毫米發(fā)光二極管（MiniLED）顯示等面板生產(chǎn)項目，布局微米級發(fā)光二極管（MicroLED）顯示、激光顯示、8K超高清、3D顯示等未來顯示技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；在顯示模組領(lǐng)域，支持全面屏、柔性屏模組的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，加快開發(fā)高端面板屏下傳感元件及模組，引入光學(xué)鏡頭、背光模組等生產(chǎn)項目，逐步提升對中高端面板的產(chǎn)業(yè)配套能力。

 

 

通信射頻芯片。支持5G絕緣襯底上硅（SOI）架構(gòu)射頻芯片、射頻電子設(shè)計自動化（EDA）軟件研發(fā)；面向5G基站、核心網(wǎng)、接入網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施市場，重點(diǎn)發(fā)展基帶芯片、通信電芯片、濾波器等關(guān)鍵芯片。

 

通用邏輯芯片。加快圖形處理器（GPU）、顯控芯片的開發(fā)及應(yīng)用，提升知識產(chǎn)權(quán)（IP）核對中央處理器（CPU）、人工智能芯片等邏輯芯片的設(shè)計支撐能力，布局信創(chuàng)領(lǐng)域處理器項目。

 

北斗導(dǎo)航芯片。支持研發(fā)北斗三號系統(tǒng)的新一代導(dǎo)航芯片、28納米高精度消費(fèi)類北斗導(dǎo)航定位芯片、新一代多模多頻高精度基帶系統(tǒng)級芯片；面向交通、物流、農(nóng)業(yè)、城市管理等領(lǐng)域開發(fā)通導(dǎo)一體化北斗芯片，拓展北斗應(yīng)用。

 

車規(guī)級芯片。推進(jìn)數(shù)字座艙芯片、駕駛輔助芯片、功率器件、汽車傳感器等車規(guī)級芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目；面向新能源汽車，布局動力系統(tǒng)、主被動安全系統(tǒng)、娛樂信息系統(tǒng)、車內(nèi)網(wǎng)絡(luò)、照明系統(tǒng)車規(guī)級芯片產(chǎn)業(yè)化項目。

 

 

第三代半導(dǎo)體器件。圍繞電力電子器件、射頻器件、光電器件等3個應(yīng)用方向，引入碳化硅（SiC）功率晶體管、氮化鎵（GaN）充電模塊、GaN功率放大器、高光效LED、MiniLED等器件項目；支持中高壓SiC功率模塊、GaN 5G射頻開關(guān)、紫外LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，突破SiC絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、毫米波射頻器件、MicroLED關(guān)鍵技術(shù)。

 

量子芯片。支持單光子源、激光器、探測器等光量子芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；布局量子傳感器、量子精密測量器件等生產(chǎn)項目；開展量子通信、量子成像、量子導(dǎo)航、量子雷達(dá)、量子計算芯片共性前沿技術(shù)攻關(guān)。