以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸嶄露頭角,憑借其高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,展現(xiàn)巨大的市場(chǎng)前景,正成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)爭(zhēng)奪的焦點(diǎn),國(guó)內(nèi)外第三代半導(dǎo)體技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)、投資均呈現(xiàn)較高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
近幾年,整個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在釋放出國(guó)際企業(yè)大力完善第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局,強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)以搶奪日漸增長(zhǎng)的市場(chǎng)份額的信號(hào)。上下游企業(yè)紛紛開始綁定產(chǎn)能,以應(yīng)對(duì)未來的市場(chǎng)爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局逐漸迎來空前重構(gòu)和變化,產(chǎn)業(yè)鏈布局正在加速。
近日,多家國(guó)內(nèi)企業(yè)都在第三代半導(dǎo)體器件領(lǐng)域發(fā)布最新動(dòng)態(tài),比如:
美國(guó)GaN功率半導(dǎo)體廠商Transphorm納斯達(dá)克上市 擁有超1000項(xiàng)專利組合
美國(guó)GaN功率半導(dǎo)體廠商Transphorm納斯達(dá)克上市 擁有超1000項(xiàng)專利組合
日前,美國(guó)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體廠商Transphorm正式在納斯達(dá)克上市交易。資料顯示,Transphorm成立于2007年,部位于美國(guó)加州戈利塔,并在戈利塔和日本會(huì)津設(shè)有制造工廠,致力于設(shè)計(jì)、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件,其產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、游戲機(jī)、電動(dòng)汽車等大功率電源上,擁有超過1000項(xiàng)專利組合。
英飛凌投資20億歐元擴(kuò)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體
2月17日,功率半導(dǎo)體龍頭制造商英飛凌表示,將投資20億歐元(約合22.7億美元)提高在寬帶隙(SiC 和 GaN)半導(dǎo)體領(lǐng)域的制造能力。英飛凌表示,將在位于馬來西亞居林的工廠建造第三個(gè)廠區(qū),以大幅增加產(chǎn)能,通過在寬帶隙(SiC 和 GaN)半導(dǎo)體領(lǐng)域增加顯著的制造能力,英飛凌正在加強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。一旦配備齊全,新廠區(qū)將通過基于碳化硅和氮化鎵的產(chǎn)品產(chǎn)生 20 億歐元的額外年收入。為當(dāng)?shù)貛?00個(gè)工作崗位。新廠區(qū)主要涉及外延工藝和晶圓切割等關(guān)鍵工藝,將于6月開始施工,預(yù)計(jì)第一批晶圓將于2024年下半年下線。
士蘭微9億元加碼12英寸芯片制造
2月21日士蘭微發(fā)布公告,公司擬與國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期(以下簡(jiǎn)稱“大基金二期”)以貨幣方式共同出資8.85億元,認(rèn)繳士蘭集科本次新增注冊(cè)資本8.27億元,增資價(jià)款將用于24萬12英寸高壓集成電路和功率器件芯片技術(shù)提升及擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目。
國(guó)星光電:氮化鎵和碳化硅器件已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,十億擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能正逐步釋放
2月21日,國(guó)星光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)上表示,目前公司主要生產(chǎn)研發(fā)器件,目前氮化鎵和碳化硅器件已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,陸續(xù)有在出貨中。國(guó)星光電表示,公司Mini LED 產(chǎn)品可應(yīng)用于相關(guān)領(lǐng)域。氮化鎵和碳化硅領(lǐng)域公司主要生產(chǎn)研發(fā)器件,目前氮化鎵和碳化硅器件已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,陸續(xù)有在出貨中。其中碳化硅主要面向的是充電樁、光伏逆變、UPS電源等領(lǐng)域客戶。氮化鎵主要面對(duì)的是PD快充相關(guān)領(lǐng)域的客戶。此外,子公司國(guó)星半導(dǎo)體在硅基氮化鎵襯底技術(shù)方面具有一定研發(fā)儲(chǔ)備。
英諾賽科完成近30億元D輪融資
2月17日,半導(dǎo)體晶圓片及芯片研發(fā)商英諾賽科完成近30億元D輪融資,本輪融資由鈦信資本領(lǐng)投,毅達(dá)資本、海通創(chuàng)新、中比基金、賽富高鵬、招證投資等機(jī)構(gòu)跟投。英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析于一體,擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。公司的主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓(30V-650V)的氮化鎵功率器件,目前與小米、OPPO、比亞迪、安森美、MPS等國(guó)內(nèi)外廠商開展應(yīng)用開發(fā)合作。
致瞻科技碳化硅項(xiàng)目簽約浙江嘉善 總投資10億元
致瞻科技(上海)有限公司將在浙江嘉善投資10億建設(shè)碳化硅項(xiàng)目,用于開發(fā)新能源車用碳化硅半導(dǎo)體電控器件。該項(xiàng)目總投資10億元,其中,一期力爭(zhēng)今年3月進(jìn)場(chǎng)施工,10月實(shí)現(xiàn)試生產(chǎn);一、二期全部達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值50億元。致瞻科技成立于2019年,是聚焦中高端碳化硅驅(qū)動(dòng)及應(yīng)用的高科技公司。
露笑科技碳化硅長(zhǎng)晶爐已有112臺(tái)安裝完畢,碳化硅襯底片已形成銷售
露笑科技2月21日表示,目前公司碳化硅長(zhǎng)晶爐已有112臺(tái)安裝完畢,碳化硅襯底片已形成銷售。到2022年6月底,公司將有224臺(tái)長(zhǎng)晶爐投入生產(chǎn)中。露笑科技表示,公司本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過 294,000 萬元,用于“第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目”、“大尺寸碳化硅襯底片研發(fā)中心項(xiàng)目”和“補(bǔ)充流動(dòng)資金”項(xiàng)目,有利于豐富公司產(chǎn)品線,提升公司核心競(jìng)爭(zhēng)力,拓展新的利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn),以及優(yōu)化資產(chǎn)負(fù)債結(jié)構(gòu),提升公司財(cái)務(wù)運(yùn)營(yíng)質(zhì)量。
4月20-21日,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、半導(dǎo)體照明網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)合勵(lì)展博覽集團(tuán),在NEPCON China 2022 期間舉辦為期兩天的“2022第三代半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)高峰論壇”。我們將依托強(qiáng)大背景及產(chǎn)業(yè)資源,致力于先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)推廣、創(chuàng)新應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)鏈間的合作,為科研機(jī)構(gòu)、高校院所、芯片面板及終端制造,上游及材料設(shè)備搭建交流協(xié)作的橋梁。大會(huì)將聚焦第三代半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)最新進(jìn)展,針對(duì)SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性,硅基氮化鎵功率器件、可靠性測(cè)試等等,邀請(qǐng)產(chǎn)學(xué)研用資多領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)力量,探討最新進(jìn)展,促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)發(fā)展。
NEPCON China 2022致力于將先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體、新型顯示等熱門行業(yè)與最新的PCBA技術(shù)趨勢(shì)融合一站式呈現(xiàn)。展會(huì)將匯聚600個(gè)企業(yè)及品牌展示PCBA全球首發(fā)新品,包括表面貼裝(SMT)、智能工廠及自動(dòng)化技術(shù)、點(diǎn)膠噴涂、測(cè)試測(cè)量、半導(dǎo)體封測(cè)、電子制造服務(wù)(EMS)等展區(qū)。展會(huì)將發(fā)揮行業(yè)口碑力量,擴(kuò)大邀請(qǐng)至35,000名來自光電、照明、汽車、通信、服務(wù)器、大型工控產(chǎn)品、醫(yī)療等行業(yè)的高端電子制造買家蒞臨體驗(yàn)行業(yè)首發(fā)產(chǎn)品、獲知前沿技術(shù)與方案、會(huì)見上下游業(yè)務(wù)伙伴。
會(huì)議主題:協(xié)同創(chuàng)新 產(chǎn)業(yè)共贏
會(huì)議時(shí)間:2022年4月20-21日
會(huì)議地點(diǎn):上海·上海世博展覽館-NEPCON論壇區(qū)
主辦單位:
中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)(CCPIT)
勵(lì)德展覽集團(tuán)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
半導(dǎo)體照明網(wǎng)
承辦單位:
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
日程安排(擬):
日程安排(擬):
備注:報(bào)告嘉賓正在陸續(xù)確認(rèn)中,歡迎大家提交更多主題方向報(bào)告,共同促進(jìn)MiniLED產(chǎn)業(yè)的繁榮發(fā)展。提交報(bào)告、現(xiàn)場(chǎng)演講、參會(huì)參展、對(duì)接合作、進(jìn)實(shí)名交流群等歡迎咨詢下方聯(lián)系人。
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