碳化硅（SiC）晶體是一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在集成電路各細分領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。其晶體生長極其困難，核心技術(shù)和市場基本被歐美發(fā)達國家如WolfSpeed、德國SiCrystal 等公司壟斷。

 

近日，山西爍科晶體有限公司（以下簡稱“爍科晶體”）宣布，成功研制出8英寸碳化硅晶體、晶片。除了爍科晶體外，晶盛機電、露笑科技、吉星公司、山東天岳先進近日也在國產(chǎn)碳化硅晶體上更進一步。

 

 

爍科晶體官方宣布已于2022年1月實現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，向8英寸國產(chǎn)N型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出關(guān)鍵一步。去年8月，爍科晶體已研制出8英寸碳化硅晶體，解決大尺寸單晶制備的重要難題。

 

爍科晶體官網(wǎng)顯示，公司成立于2018年，是國內(nèi)從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅生產(chǎn)和研發(fā)的領(lǐng)軍企業(yè)。公司通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)全面掌握了碳化硅生長裝備制造、高純碳化硅粉料制備工藝，N型碳化硅單晶襯底和高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了碳化硅粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線，并在國內(nèi)率先完成4、6、8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底技術(shù)攻關(guān)。

 

 

晶盛機電近期在投資者關(guān)系活動記錄表中披露，公司已組建一條從原料合成-晶體生長-切磨拋加工的中試產(chǎn)線，6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗證，且在今年2月，已有客戶與公司形成采購意向。

 

近日，晶盛機電攜碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目落戶寧夏。據(jù)介紹，該項目總投資50億元，該項目分兩期建設(shè)，將建設(shè)約7.5萬平方米廠房及輔助設(shè)施，主要生產(chǎn)6英寸及以上導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底晶片。一期預(yù)計3月開工建設(shè)，投資總額33.6億元，一期建成達產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬片，年營業(yè)收入24億元。

 

 

2021年年末，吉星公司官方披露，已成功批量化生長出6英寸碳化硅晶體。據(jù)悉，該公司已具備完整的藍寶石襯底加工生產(chǎn)線、超前的大尺寸襯底、鏡面研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化能力。

 

 

2021年末，露笑科技公布了公司碳化硅項目的進展公告。據(jù)悉，合肥露笑半導(dǎo)體一期已完成主要設(shè)備的安裝調(diào)試，進入正式投產(chǎn)階段。

 

資料顯示，該項目總投資100億元，主要建設(shè)國際領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）的設(shè)備制造、長晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地。項目將分三期建設(shè)，其中第一期預(yù)計投資21億元，建成達產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)24萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底片和5萬片外延片的生產(chǎn)能力。

 

今年2月25日，露笑科技子公司合肥露笑半導(dǎo)體與東莞天域半導(dǎo)體簽訂《戰(zhàn)略合作協(xié)議》，協(xié)議約定在滿足產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)要求的同等條件下，公司2022 年、2023 年、2024 年需為東莞天域預(yù)留6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片產(chǎn)能不少于15 萬片。公開消息顯示，天域是國內(nèi)最早實現(xiàn)6英寸外延晶片量產(chǎn)的企業(yè)，且該公司已布局國內(nèi)8英寸SiC外延晶片工藝線的建設(shè)，目前正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù)。

 

2021年7月，下旬，山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）披露，了6英寸半絕緣型襯底的生產(chǎn)計劃將根據(jù)下游行業(yè)和客戶對6英寸產(chǎn)品的需求情況制定，預(yù)計在2023年形成量產(chǎn)。

 

今年，1月12日，山東天岳先進在上交所科創(chuàng)板上市。據(jù)悉，天岳先進擬將募集的25億資金，全部投向碳化硅半導(dǎo)體材料項目，該項目主要用于生產(chǎn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底材料，預(yù)計在2026年100%達產(chǎn)，將新增碳化硅襯底材料產(chǎn)能約30萬片/年。