根據(jù)外媒 《tomshardware》 的報導，俄羅斯因與俄烏戰(zhàn)爭而受到西方國家的制裁，無法從一般的供應商取得芯片。因此，俄羅斯正在制定計劃，以重振其陷入困境的半導體制造。俄羅斯計劃，新的芯片計劃將關系未來八年的龐大投資，目標是在 2022 年底前開發(fā)出 90納米制程，2030 年底開發(fā)出 28納米制程。

 

報導指出，俄羅斯政府已經(jīng)規(guī)劃了新的微電子發(fā)展計劃的初步版本，預計到 2030 年需要投資約 3.19 兆盧布（約 384.3 億美元），而透過這筆資金，以用于開發(fā)半導體生產(chǎn)技術、芯片設計、資料中心基礎設施開發(fā)、以及相關半導體人才培育、加上芯片解決方案的營銷等。

 

其中在半導體生產(chǎn)技術方面，俄羅斯計劃花費 4,200 億盧布 （約 52 億美元） 用于新的制造技術及其提升。短期目標之一，是在 2022 年底前達成以 90納米制造技術來提高芯片的產(chǎn)量。另一個更長期的目標，則是到 2030 年建立使用 28納米節(jié)點的制造，相較于臺積電，在這個技術節(jié)點已經(jīng)于 2011 年完成。

 

報導指出，過去俄羅斯在軟件和高科技服務方面相當成功。不過，在芯片設計和制造方面則相對落后。雖然，計劃中一部分的目標是在培養(yǎng)俄羅斯國內(nèi)的半導體人才和發(fā)展 IC 設計產(chǎn)業(yè)。但是，當前計劃中最重要的一項目標，就是在 2022 年底前建立一個 「外國解決方案」 的逆向工程計劃，將其技術轉移到俄羅斯手中。到 2024 年，規(guī)劃所有數(shù)位產(chǎn)品都能在俄羅斯國內(nèi)生產(chǎn)。

 

報導強調(diào)，雖然俄羅斯的計劃包含很多內(nèi)容，并逐一設定了目標。因為在無法使用美國、英國、或者是歐洲開發(fā)的技術下，俄羅斯是否會在 2024 年或 2030 年之前實現(xiàn)其目標，目前還很難說，但這并不意味著沒有實現(xiàn)的可能。而針對整個計劃，預計將于 2022 年 4 月 22 日確定，然后送交俄羅斯總理正式進行批準。