金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積（MOCVD）技術(shù)自二十世紀(jì)六十年代提出以來，取得了飛速進(jìn)步，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于制備III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半導(dǎo)體材料及其量子結(jié)構(gòu)，極大地推動了光電子器件和微電子器件與芯片的發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化，也成為半導(dǎo)體超晶格、量子阱、量子線、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)材料及相關(guān)器件研究的關(guān)鍵技術(shù)。未來MOCVD技術(shù)的發(fā)展將會給化合物半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來更為廣闊的前景。
       作為MOCVD技術(shù)和化合物半導(dǎo)體材料器件研發(fā)交流的平臺，全國MOCVD學(xué)術(shù)會議自1989年第一屆會議舉辦以來，已經(jīng)成功舉辦了十六屆，會議規(guī)模和影響力越來越大，成為全國學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界廣泛參與的學(xué)術(shù)盛會。本次會議選擇在山西太原舉行，屆時(shí)與會專家學(xué)者、工程技術(shù)人員和企業(yè)家將圍繞MOCVD生長機(jī)理與外延技術(shù)、MOCVD設(shè)備（整機(jī)/部件/配件/原材料）、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子器件、電力電子器件、微波射頻器件、LED智能照明與物聯(lián)網(wǎng)、半導(dǎo)體激光器、光伏/光探測器、可見光通信技術(shù)等領(lǐng)域開展廣泛交流，了解發(fā)展動態(tài)，促進(jìn)相互合作。這次會議必將對我國MOCVD學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。

 

名譽(yù)主席：曹健林（全國政協(xié)教科衛(wèi)體委員會副主任、
                              國家科學(xué)技術(shù)部原副部長） 

會議主席：李晉閩 （半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、
                              中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員）
                 吳   玲 （第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、
                              中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長）

主   任：李晉閩（中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所）

             張   榮（廈門大學(xué)）

             江風(fēng)益（南昌大學(xué)）

 

副主任：譚平恒（中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所）

              沈興全（中北大學(xué)）

              許小紅（山西師范大學(xué)） 
 

 

主    任：王軍喜（中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所）

              阮   軍（中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟）

副主任：魏同波（中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所）
             劉志強(qiáng)（中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所）

委 員（按姓氏首字母排序）：蔡端俊、曹峻松、陳敦軍、陳鵬、陳志濤、戴江南、董志江、耿博、胡衛(wèi)國、黃凱、黃森、江灝、李金釵、李虞鋒、李忠輝、梁庭、劉建平、寧靜、孫海定、孫捷、孫錢、孫曉娟、唐寧、涂長峰、汪萊、汪連山、汪煉成、王光緒、王江波、王科、王茂俊、王申、謝自力、修向前、許福軍、許晟瑞、閆建昌、楊樹、楊學(xué)林、葉建東、伊?xí)匝?、于彤軍、張峰、張紀(jì)才、張?jiān)礉?、張紫輝、趙璐冰、左然

組委會秘書：薛   斌（中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所）

                    郭亞楠（中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所）

 

 

探索材料新動能，智創(chuàng)未來芯發(fā)展

 

1、主題方向（建議主題但不限于） 

（1）外延生長機(jī)理和生長動力學(xué) 

（2）半導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)與物性 

（3）光電子材料與器件 

（4）電子材料與器件 

（5）超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件 
（6）低維半導(dǎo)體等新型材料與器件 

（7）封裝技術(shù)及封裝材料 

（8）裝備與基礎(chǔ)原材料

2、征文要求 

（1）符合上述內(nèi)容的論文摘要； 

（2）論文摘要主題突出、內(nèi)容層次分明、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、論述嚴(yán)謹(jǐn)、結(jié)論明確、采用法定計(jì)量單位； 

（3）論文摘要須以WORD文檔格式，包含標(biāo)題、作者及其單位地址、正文、圖表、參考文獻(xiàn)等在內(nèi)不超過一頁A4紙。相關(guān)模板可登錄大會官網(wǎng)（網(wǎng)址：http://www.mocvd.org）; 

（4）所有論文摘要均編入會議文集。

 

六、重要截止日期 

 

 2800元（含會議文集、日程等會議資料及會議期間相關(guān)服務(wù)） 

2300元（與普通代表會議待遇相同，需要提交相關(guān)證件） 

 

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行  

賬  號：336 356 029 261

名  稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

 （*備注：支付時(shí)請務(wù)必備注參會人員的單位和姓名，以便查詢及開具發(fā)票。）

 

1、 會議官網(wǎng)：http://www.mocvd.org.cn
 

2、聯(lián)系人