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限時(shí)回放|強(qiáng)芯沙龍第二期精彩不容錯(cuò)過(guò)!大咖做客暢聊GaN功率半導(dǎo)體的現(xiàn)在與未來(lái)

日期:2022-06-23 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:945
核心提示:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊:半導(dǎo)體作為信息產(chǎn)業(yè)的基石,尤其是進(jìn)入2020年,發(fā)達(dá)國(guó)家紛紛將半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)上升到國(guó)家安全戰(zhàn)略層面。盡管與

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊:半導(dǎo)體作為信息產(chǎn)業(yè)的基石,尤其是進(jìn)入2020年,發(fā)達(dá)國(guó)家紛紛將半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)上升到國(guó)家安全戰(zhàn)略層面。盡管與國(guó)際尚有差距,但在國(guó)家科技計(jì)劃支持下,我國(guó)已初步形成從材料、器件到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈,市場(chǎng)需求、政策支持等多種因素也在促成我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆勢(shì)上漲,產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)實(shí)力提升,與先進(jìn)水平差距在不斷縮小。創(chuàng)“芯”之道,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)該如何迎接新時(shí)代的機(jī)遇和挑戰(zhàn)?

6月22日,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)主辦的“【強(qiáng)芯沙龍】第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略沙龍”之氮化鎵功率半導(dǎo)體材料與器件專場(chǎng)開講,邀請(qǐng)到第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條“產(chǎn)學(xué)研用資”多方高層代表做客極智課堂-強(qiáng)芯沙龍直播間,云端論劍,把脈產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀,尋“芯”問(wèn)道,促進(jìn)合作。

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本期沙龍聚焦氮化鎵功率半導(dǎo)體材料與器件,特別邀請(qǐng)到香港科技大學(xué)講座教授陳敬,北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任、教授沈波,晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁程凱博士,英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用副總經(jīng)理陳鈺林,并特邀第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)趙璐冰博士擔(dān)任嘉賓主持人?!贰贰?strong>【嘉賓簡(jiǎn)介】

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嘉賓簡(jiǎn)介

值得關(guān)注的是,ISPSD 2022于5月22-25日在加拿大溫哥華舉行。功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(ISPSD)是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域在國(guó)際上最重要、影響力最強(qiáng)的頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議,它被認(rèn)為是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域的奧林匹克會(huì)議,一直以來(lái)都是國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界龍頭企業(yè)和全球知名學(xué)術(shù)科研機(jī)構(gòu)爭(zhēng)相發(fā)表和展示功率半導(dǎo)體前沿技術(shù)重要成果的舞臺(tái)。近幾年來(lái),隨著政府支持和社會(huì)投入力度的不斷加大,我國(guó)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得可喜的進(jìn)步,并得到國(guó)際同行的認(rèn)可。香港科技大學(xué)講座教授陳敬(Kevin J. Chen)擔(dān)任ISPSD 2022大會(huì)副主席。同時(shí)還將擔(dān)任下一屆ISPSD 2023大會(huì)主席。

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香港科技大學(xué)講陳敬教授分享引言報(bào)告

沙龍伊始,陳敬教授首先分享了題為《從ISPSD2022 看氮化鎵功率電子的發(fā)展》的引言報(bào)告,結(jié)合ISPSD2022的情況,具體分享了氮化鎵技術(shù)的最新研究進(jìn)展與研究成果,涉及氮化鎵器件技術(shù)以及可靠性等方面的最新進(jìn)展。從器件技術(shù)發(fā)展來(lái)看,硅基氮化鎵進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化,關(guān)注點(diǎn)轉(zhuǎn)為硅基氮化鎵 HEMT特有的可靠性、穩(wěn)定性問(wèn)題。器件研究走向探索橫向器件高壓能力的探索??煽啃苑矫鎰t聚焦柵極。

報(bào)告指出,垂直氮化鎵功率器件的關(guān)注點(diǎn),涉及襯底技術(shù),結(jié)終端涉及和實(shí)現(xiàn)(離子注入),性能、可靠性。GaN Iateral HEMT則涉及電場(chǎng)分布優(yōu)化,硅基之外的襯底選擇。硅基氮化鎵HEMT面向更加廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景的可靠性,關(guān)注柵極結(jié)構(gòu)的特性等。

氮化鎵材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻照等優(yōu)越性能;切合國(guó)家 “新基建”的國(guó)家戰(zhàn)略需求,例如5G/6G、智能電動(dòng)汽車,大數(shù)據(jù)中心等,氮化鎵是支持新一代移動(dòng)通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng) 等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和電子元器件。

隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新建產(chǎn)能及擴(kuò)產(chǎn)速度加快,疊加新冠疫情造成物流運(yùn)輸服務(wù)受阻導(dǎo)致國(guó)外材料供應(yīng)、零部件交期不斷延遲,為我國(guó)一些具有高成長(zhǎng)潛力的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料零部件企業(yè)帶來(lái)國(guó)產(chǎn)替代的機(jī)會(huì)。然而,我國(guó)半導(dǎo)體材料零部件產(chǎn)業(yè)作為進(jìn)行技術(shù)追趕的后發(fā)產(chǎn)業(yè),除了要彌補(bǔ)在基礎(chǔ)工藝研究投入和專業(yè)人才培養(yǎng)上的差距外,由于半導(dǎo)體材料零部件行業(yè)本身的特點(diǎn),與國(guó)外領(lǐng)先企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)時(shí)還面臨諸多挑戰(zhàn)。

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在線討論

在隨后的討論環(huán)節(jié),圍繞著氮化鎵最新技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)和產(chǎn)業(yè)化可能性,與會(huì)嘉賓們與線下嘉賓展開了兼具現(xiàn)實(shí)性與前瞻性的深入探討與交流,涉及GaN HEMT不同技術(shù)路線分析、GaN功率器件不同應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展情況、GaN功率器件在手機(jī)和新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用,GaN-on-SOI、GaN on GaN、GaN IC等技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)和產(chǎn)業(yè)化可能性如何等當(dāng)前國(guó)內(nèi)外備受關(guān)注的諸多問(wèn)題,并有現(xiàn)場(chǎng)諸多技術(shù)問(wèn)題的精彩答疑解惑。

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本期主要討論問(wèn)題

直播中,先進(jìn)技術(shù)話題引領(lǐng),深度與廣度齊飛。頭部企業(yè),資深行業(yè)技術(shù)專家,不同視角碰撞之下,務(wù)實(shí)又信息量巨大,站在技術(shù)與產(chǎn)業(yè)前沿的專家們也在不斷傳遞最新的動(dòng)態(tài)與信息。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展浪潮涌動(dòng),競(jìng)爭(zhēng)格局仍未成型。無(wú)論如何,與時(shí)俱進(jìn),把握先機(jī)才有可能傲立潮頭。更多精彩對(duì)話內(nèi)容,可詳見直播回放~~

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