半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉，日前，新潔能發(fā)布公告表示，根據(jù)公司發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃及實(shí)際發(fā)展經(jīng)營(yíng)的需要，擬以自有資金8000萬元人民幣對(duì)國(guó)硅集成電路技術(shù)（無錫）有限公司進(jìn)行增資，注冊(cè)資本由315.7895萬元增加至631.579萬元，增資后公司持股比例由5%增至52.5%。本次增資以收益法評(píng)估結(jié)果作為定價(jià)依據(jù)，評(píng)估基準(zhǔn)日為2022年3月31日，增資后國(guó)硅集成電路技術(shù)（無錫）有限公司納入公司2022年度合并財(cái)務(wù)報(bào)表范圍。

 

公告顯示，國(guó)硅集成電路技術(shù)（無錫）有限公司是一家專注于車規(guī)級(jí)智能功率集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司，擁有完整的自主研發(fā)體系并掌握多項(xiàng)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的關(guān)鍵核心技術(shù)，國(guó)內(nèi)首創(chuàng)四端口單片集成高壓自舉、自適應(yīng)高壓側(cè)窄脈沖傳輸、增強(qiáng)型快速電平移位、互導(dǎo)型電容隔離信號(hào)傳輸、超高精度的片上集成雙向過流保護(hù)等多項(xiàng)功率IC芯片核心技術(shù)，已形成系列智能功率集成電路芯片，包括：柵極驅(qū)動(dòng)控制IC芯片（含IGBT、硅基MOSFET及三代半導(dǎo)體等開關(guān)器件的柵極驅(qū)動(dòng)芯片）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC芯片（含半橋、H橋、三相橋）；智能功率IC開關(guān)（SmartMOS）和功率驅(qū)動(dòng)控制IC芯片及模塊（DrMOS、IPM等）系列產(chǎn)品在積極研發(fā)中。產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)已涵蓋汽車電子、光伏及儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)控制等領(lǐng)域。目前，國(guó)硅的智能功率集成電路芯片已經(jīng)在光伏逆變、光伏儲(chǔ)能、汽車電子和工業(yè)控制等市場(chǎng)成功上量。