由山東大學(xué)聯(lián)合廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司、東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司聯(lián)合提交的《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)管理委員會(huì)（CASAS）投票獲得通過，2022年7月11日正式立項(xiàng)，并分配編號(hào)為：T/CASAS 025。

 

T/CASAS CASAS 025—20XX《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》規(guī)定了8英寸碳化硅單晶切割片、研磨片和拋光片（簡(jiǎn)稱“碳化硅晶片”）基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸。適用于4H晶片，產(chǎn)品主要用于制作晶體管、整流器件等。

 

山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院是教育部首批支持的戰(zhàn)略科技創(chuàng)新平臺(tái)，依托山東大學(xué)開展建設(shè)。研究院充分發(fā)揮學(xué)校在半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域的已有優(yōu)勢(shì)，通過整合校內(nèi)微電子、物理、化學(xué)、材料、機(jī)械、控制、信息等優(yōu)勢(shì)學(xué)科力量，瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體材料技術(shù)未來(lái)發(fā)展方向，面向能源、信息、國(guó)防、軌道交通等領(lǐng)域的重大需求，重點(diǎn)開展碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石、氮化鋁等新一代寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體單晶材料及器件研究工作，旨在突破關(guān)鍵核心技術(shù)，支撐核心產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動(dòng)我國(guó)新一代半導(dǎo)體、集成電路、信息技術(shù)的快速發(fā)展，滿足國(guó)防安全和經(jīng)濟(jì)建設(shè)的重大需求。