（一）產(chǎn)品均價(jià)回落，供貨周期開始縮短

1200V SiC MOSFET新品增多，GaN功率晶體管仍以200V以下產(chǎn)品為主。據(jù)材料深一度對(duì)Mouser主要廠家的晶體管數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析來(lái)看，2022年中，在售的SiC、GaN功率晶體管約為589款，占整體晶體管（4.3萬(wàn)款）的1.36%。其中新產(chǎn)品216款，占整體36.6%，新產(chǎn)品的推出數(shù)量較上年繼續(xù)增長(zhǎng)。從模塊產(chǎn)品來(lái)看，SiC功率模塊約243款，其中SiC IGBT模塊約22款，但沒(méi)有新品；新產(chǎn)品為58款其他類型SiC分立半導(dǎo)體模塊。

SiC晶體管方面，2022年12家主流廠商大概推出了179款新產(chǎn)品，其中絕大部分為SiC MOSFET。從電壓分布來(lái)看，1200V的新品推出速度明顯加快，占SiC新品的一半，而650V的占比有所下降。而GeneSiC、英飛凌、羅姆、Wolfspeed幾家1200V以上的新產(chǎn)品均已經(jīng)超過(guò)一半。專注高壓產(chǎn)品的GeneSiC推出了幾款3.3KV的SiC MOS產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)量化供貨，電流分別達(dá)到34A/63A兩款，主要面向用于高壓領(lǐng)域，包括軌道交通機(jī)車牽引、PV組串逆變器、EV-快速充電器、儲(chǔ)能及電網(wǎng)中的固態(tài)變壓器/固態(tài)斷路器等。
 

GaN功率晶體管方面，在售產(chǎn)品約141款，其中面向消費(fèi)電源的200V以下產(chǎn)品仍為主流，占整體GaN產(chǎn)品的2/3。但從新產(chǎn)品來(lái)看，4家廠商推出了約22款新品，16款新品電壓集中在650V，其應(yīng)用主要面向數(shù)據(jù)中心、工業(yè)應(yīng)用、光伏等。GaN射頻器件方面，在售產(chǎn)品約98款，較2021年底基本持平，而2022年推出的新產(chǎn)品約17款，主要集中在2.5GHz -5GHz，其次為3300 MHz-4300 MHz。

上半年產(chǎn)品價(jià)格繼續(xù)回落，價(jià)差進(jìn)一步縮小。價(jià)格方面，2022年上半年SiC、GaN晶體管的均價(jià)較2021年底有所下降。據(jù)材料深一度對(duì)Mouser上的主流廠商的產(chǎn)品初步統(tǒng)計(jì)分析，SiC MOSFET方面，650V、900V、1200V、1700V的產(chǎn)品均價(jià)分別為1.88元/A、2.94元/A、2.88元/A、5.78元/A；較2021年底分別下降了-7.13%、56.49%、-7.25%、-5.33%，基本回到2020年底價(jià)格水平，主要是供應(yīng)鏈緊缺得到緩解，供不應(yīng)求的情況好轉(zhuǎn)。

但從單個(gè)產(chǎn)品均價(jià)來(lái)看，650V產(chǎn)品均價(jià)約100-150元/只；1200V產(chǎn)品均價(jià)150元-190元/只，相較于去年價(jià)格有所提高，一方面不少新產(chǎn)品技術(shù)有所升級(jí)；另外，整體的電流水平有所提升，大電流產(chǎn)品增多。

主流大廠的SiC MOSFET產(chǎn)品均價(jià)仍在持續(xù)上漲。據(jù)Mouser、得捷的公開報(bào)價(jià)顯示，以650V產(chǎn)品來(lái)看，整體增長(zhǎng)了40.16%，其中ST價(jià)格上漲了70%，UnitedSiC、Wolfspeed分別上漲了43.61%、35.14%，僅ROHM價(jià)格。而1200V產(chǎn)品價(jià)格的漲幅，則較2021年明顯收窄。ST、ROHM平均價(jià)格漲幅在5%以內(nèi)。

GaN功率晶體管方面，100V以下產(chǎn)品約占到45%，其價(jià)格相對(duì)較低，均價(jià)基本在2元/A以下；100V、200V產(chǎn)品均價(jià)約分別為1.75、1.71元/A；而650V產(chǎn)品均價(jià)約2.78元/A；900V的GaN晶體管仍然較少，新品中僅有一款產(chǎn)品，其價(jià)格約為3元/A，從單個(gè)器件價(jià)格來(lái)看，GaN高壓高功率產(chǎn)品公開報(bào)價(jià)基本在100元左右。

從主要的GaN主流大廠的產(chǎn)品來(lái)看，均價(jià)較2021年底下降了26.8%。幾大廠商中，EPC、GaN Systems產(chǎn)品品類較多，分別達(dá)到52款、29款。EPC、Navitas主要面向消費(fèi)電源市場(chǎng)，單只均價(jià)約在20元/只以內(nèi)，而GaN Systems、Transphorm、Nexperia面向工商業(yè)電源市場(chǎng)，價(jià)位偏高，網(wǎng)站公開報(bào)價(jià)基本在100元/只左右。

2022年上半年SiC、GaN與同類Si的價(jià)差在持續(xù)縮小。如下圖所示，以650V產(chǎn)品來(lái)看，SiC、GaN功率晶體管均價(jià)分別為1.88元/A、2.78元/A，與650V的Si IGBT（0.36元/A）的價(jià)差縮小到7.8倍、5.3倍，較上年底縮小了69%、42%。一方面，Si器件價(jià)格仍波動(dòng)較大，供求關(guān)系不明確，同時(shí)，隨著SiC、GaN資源持續(xù)投入，技術(shù)產(chǎn)品不斷改良，逐步趨于穩(wěn)定，各家廠商大力推進(jìn)，從材料、芯片到器件模組大量產(chǎn)能開出，成本近幾年來(lái)顯著下滑。而隨著市場(chǎng)逐步打開，推動(dòng)價(jià)格進(jìn)一步下降。但另一方面，SiC、GaN主要在新能源汽車、新能源光伏、快充消費(fèi)電源這種新興領(lǐng)域市場(chǎng)接受度較高，在傳統(tǒng)的領(lǐng)域，從價(jià)差來(lái)看，與Si產(chǎn)品正面較量仍然需要較長(zhǎng)時(shí)間。 

GaN射頻器件方面，從廠商來(lái)看，Qorvo和CREE的產(chǎn)品數(shù)量占產(chǎn)品總數(shù)量的80%，主要是采用GaN-on-SiC技術(shù)路線，Wolfspeed在售產(chǎn)品輸出功率集中在50W以下，頻率主要集中在2 GHz to 6 GHz和10G Hz兩個(gè)波段，而Qorvo產(chǎn)品則更專注于高功率（200W-700W）與較低頻段。而MACOM和NXP Semiconductors采用GaN-on-Si的技術(shù)，特別是NXP在2022年上半年推出許多新品，重點(diǎn)面向在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。而從單價(jià)來(lái)看，平均價(jià)格在約為19.54元/W，基本與2021年底持平。從2018年底至今，RF GaN HEMT與Si LDMOS的價(jià)差持續(xù)縮小，但受到疫情影響，價(jià)差比例和2020年保持相同水平。而從實(shí)際成交價(jià)來(lái)看，據(jù)調(diào)研，以工作頻率在2.5GHz-5GHz的產(chǎn)品來(lái)看，均價(jià)在10元/W左右，在同等功率條件下，目前GaN PA價(jià)格比Si器件價(jià)格還是較高。

現(xiàn)貨率仍然較低，但缺貨緊張情況緩解。從現(xiàn)貨情況及交貨周期來(lái)看，缺貨及供應(yīng)鏈緊張情況有所緩解。2021年底，產(chǎn)品缺少現(xiàn)貨（正常庫(kù)存比例小于60%），且交貨周期均較長(zhǎng)，達(dá)到30周以上。2022年上半年，在售產(chǎn)品現(xiàn)貨比例超過(guò)88%，而非現(xiàn)貨交貨周期有所縮短。
 

SiC MOSFET來(lái)看，新品的現(xiàn)貨率仍然較低，僅47%的產(chǎn)品有庫(kù)存現(xiàn)貨。從Mouser顯示數(shù)據(jù)來(lái)看，Infineon、ST、ROHM、Wolfspeed等的現(xiàn)貨率僅為7.69%、20%、29.17%、44.44%，供貨比較緊張。而比較熱門的新品，如Infineon的650V的系列、ROHM的1200V系列等在Mouser網(wǎng)站上基本無(wú)零售現(xiàn)貨。

GaN 功率晶體管方面，現(xiàn)貨供應(yīng)率較高，供應(yīng)較為充足，現(xiàn)貨供應(yīng)率超過(guò)80%；僅Navitas比例稍低，約50%，部分新品供貨需要排期。

GaN射頻器件及模塊方面，現(xiàn)貨比例較低，供貨周期相對(duì)較長(zhǎng)，新產(chǎn)品少，供應(yīng)企業(yè)比較集中。整體現(xiàn)貨比例為61.54%；從各公司來(lái)看，Qorvo的現(xiàn)貨率相對(duì)較高。

 

 

 

快充仍是當(dāng)前GaN電力電子最主要應(yīng)用，但消費(fèi)電子市場(chǎng)增長(zhǎng)不及預(yù)期。Navitas和GaN Systems 分別進(jìn)入三星手機(jī)快充供應(yīng)鏈，Navitas還與Vivo、Realme合作分別推出120W、160W手機(jī)快充產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)1.66W/cc的功率密度。此外，GaN Systems和xFusio合作推出功率密度為100W/in3數(shù)據(jù)中心電源。該電源支持 90-264V 直流電壓或180V-300V交流電壓輸入、12V 電壓輸出，整體功率達(dá)3kW，效率高達(dá) 96% 以上，與基于Si的電源相比，電源的尺寸和功耗降低了一半。GaN Systems還攜手Phihong宣布推出280W 筆記本電腦 GaN充電器。這款充電器具有16W/in3功率密度，95%的滿載轉(zhuǎn)換效率和低于0.2W的空載待機(jī)損耗，比傳統(tǒng)的280W游戲本充電器小50%，輕30%。

據(jù)初步調(diào)研信息，以手機(jī)快充為主要市場(chǎng)的GaN功率器件供應(yīng)商業(yè)績(jī)大都未達(dá)到年初設(shè)定目標(biāo)。一是由于全球經(jīng)濟(jì)受通膨和升息影響，以及中國(guó)市場(chǎng)受疫情影響，消費(fèi)電子設(shè)備需求低迷。據(jù)各機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2022年全球智能手機(jī)出貨量都出現(xiàn)下滑。同時(shí)，PC銷量的預(yù)估也下調(diào)至-7%。另一方面，第三代半導(dǎo)體的器件的價(jià)格發(fā)生分化。PD快充領(lǐng)域，隨著眾多廠商加入，加上需求影響，導(dǎo)致2022年上半年GaN功率器件的競(jìng)爭(zhēng)激烈，據(jù)線下調(diào)研，GaN產(chǎn)品價(jià)格下降了10%-30%不等。兩方面綜合衡量，材料深一度預(yù)計(jì)，GaN PD快充市場(chǎng)將較去年下降5%-10%。

相較于消費(fèi)電子，SiC在汽車電子市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)逆勢(shì)增長(zhǎng)。Yole最新發(fā)布的2022年數(shù)據(jù)顯示，SiC 器件市場(chǎng)以34%的復(fù)合年增長(zhǎng)率從2021年的10.9億美元增長(zhǎng)到2027年的63億美元。其中新能源汽車應(yīng)用是最大推動(dòng)力之一，特斯拉創(chuàng)紀(jì)錄的出貨量幫助SiC器件在2021年達(dá)到10億美元的訂單，截至2022年，比亞迪的Han-EV和現(xiàn)代的Ioniq-5通過(guò)提供快速充電獲得了良好的銷量。更多的OEM計(jì)劃在2022年將SiC電動(dòng)汽車推向市場(chǎng)。

除新能源汽車應(yīng)用外，工業(yè)和能源應(yīng)用（例如采用SiC模塊的大功率充電基礎(chǔ)設(shè)施，PV光伏）預(yù)期未來(lái)幾年將實(shí)現(xiàn)超過(guò)20%的增速。在頂級(jí)SiC器件廠商中，意法半導(dǎo)體和Wolfspeed的SiC收入在2021年同比增長(zhǎng)超過(guò)50%，與全球SiC器件市場(chǎng)57%的增長(zhǎng)保持一致。英飛凌以工業(yè)應(yīng)用為主，進(jìn)入逆變器主力業(yè)務(wù)，實(shí)現(xiàn)126%的增長(zhǎng)。Onsemi也在2021年實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁增長(zhǎng)。

隨著這些公司將SiC發(fā)展為價(jià)值數(shù)十億美元的業(yè)務(wù)，未來(lái)幾年的競(jìng)爭(zhēng)格局在供應(yīng)鏈整合中逐步成型，主要的廠商多采用IDM商業(yè)模式，通過(guò)多次并購(gòu)(M&A)和合作聯(lián)盟重塑了SiC生態(tài)系統(tǒng)，確保晶圓供應(yīng)并進(jìn)入中下游業(yè)務(wù)，以在未來(lái)幾年維持其業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。