日前，據(jù)“上海發(fā)布”消息，上海經信委介紹，集成電路領域14nm先進工藝規(guī)模實現(xiàn)量產，90nm光刻機、5nm刻蝕機、12英寸大硅片、國產CPU、5G芯片等實現(xiàn)突破。此外，上海全市集成電路產業(yè)規(guī)模達到2500億元，約占全國25%，集聚重點企業(yè)超過1000家，吸引了全國40%的集成電路人才。
據(jù)了解，中芯國際第一代FinFET 14nm工藝在2019年第四季度就完成了量產，而FinFET N+1工藝此前計劃在2021年規(guī)模量產。N+1是中芯國際對其第二代先進工藝的代號，但從未明確具體數(shù)字節(jié)點，只是說相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、邏輯面積縮小63％、SoC面積縮小55％，之后的N+2工藝性能和成本都更高一些。
（來源：快科技）
