2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。

國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。兩大論壇同時(shí)同地舉辦，同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進(jìn)電子材料更廣闊的未來。

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料與其他先進(jìn)電子材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿?，也越來越得打國?nèi)外的重視，此前美國更是宣布升級超寬禁帶半導(dǎo)體材料等技術(shù)出口限制。由于具有載流子遷移率高、載流子飽和漂移速率大、擊穿場強(qiáng)大等性能，金剛石是研制大功率、高溫、高頻等高性能半導(dǎo)體器件的理想材料，被行業(yè)譽(yù)為“終極半導(dǎo)體材料”。想要實(shí)現(xiàn)芯片級金剛石的工業(yè)化，需要克服提高金剛石純度、制作大尺寸金剛石薄片等一系列系統(tǒng)性技術(shù)挑戰(zhàn)。氧化鎵在耐壓、電流、功率、損耗等維度都有其優(yōu)勢，大功率、高效率電子器件還處于實(shí)驗(yàn)室階段的研發(fā)，在大規(guī)模實(shí)際應(yīng)用方面還有欠缺。中國已將氧化鎵列入“十四五重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃”。美國目前正從前沿軍事技術(shù)布局的角度大力發(fā)展氧化鎵材料。隨著技術(shù)的進(jìn)步，超寬禁帶材料會與寬禁帶半導(dǎo)體材料一起開拓更為廣闊的應(yīng)用市場。

據(jù)組委會透露，大會籌備工作正有序推進(jìn)中，其中本屆論壇的“超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件”技術(shù)分會由山東大學(xué)講席教授陶緒堂，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授龍世兵，西安電子科技大學(xué)副校長、教授張進(jìn)成，鄭州大學(xué)學(xué)術(shù)副校長、教授單崇新，北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長王新強(qiáng)，西安交通大學(xué)教授王宏興，南京大學(xué)教授葉建東，鄭州大學(xué)教授劉玉懷，西安電子科技大學(xué)教授韓根全等也業(yè)內(nèi)知名專家共同召集。分會上，將有來自英國布里斯托大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、香港科技大學(xué)、中山大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)等國內(nèi)外科研院所與代表企業(yè)的專家們將帶來一大波精彩報(bào)告，分享超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的最新進(jìn)展。

據(jù)了解，分會上，英國布里斯托大學(xué)新興技術(shù)系主任、教授Martin KUBALL將分享超寬帶隙Ga2O3技術(shù)-異質(zhì)集成的好處。西安電子科技大學(xué)副校長張進(jìn)成將帶來氧化鎵功率器件耐壓和功率優(yōu)值研究的主題報(bào)告。西安電子科技大學(xué)教授韓根全將帶來關(guān)于氧化鎵異質(zhì)結(jié)功率晶體管的主題報(bào)告，中山大學(xué)佛山研究院院長，中山大學(xué)半導(dǎo)體照明材料及器件國家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室主任、教授王鋼將分享一種用于射頻諧振器的新型寬帶隙壓電半導(dǎo)體ε-Ga2O3的研究進(jìn)展。哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授朱嘉琦將分享關(guān)于金剛石功率器件、設(shè)備的研究成果。西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)將分享金剛石超寬帶隙半導(dǎo)體材料與器件的研究進(jìn)展。

部分嘉賓簡介

陶緒堂，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件”技術(shù)分會召集人，山東大學(xué)講席教授。師從蔣民華教授。致力于晶體材料研究，提倡從體塊晶體到微納米晶體，從材料、器件到產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的多維度、全鏈條研究理念。上世紀(jì)八十年代初開始有機(jī)金屬絡(luò)合物非線性光學(xué)晶體材料的探索研究,發(fā)現(xiàn)并生長了TSCCC, MHBA及雙硫氰酸鹽系列晶體。提出了從具有Λ型電荷轉(zhuǎn)移分子中探索非線性光學(xué)材料的思想,首次在有機(jī)高分子非線性光學(xué)材料中實(shí)現(xiàn)了雙折射位相匹配。開辟了從有機(jī)金屬絡(luò)合物高分子中探索非線性光學(xué)和電致發(fā)光復(fù)合材料的新領(lǐng)域,并首次報(bào)道了多分支高分子電致發(fā)光材料。在國內(nèi)首次生長了LiInS2系列紅外晶體，生長了國際上最大的Nd:GGG晶體并獲得單片超過4500瓦的平均熱容激光輸出。在國內(nèi)率先采用導(dǎo)模法生長?β-Ga2O3晶體，并達(dá)到實(shí)用要求。研制的微下拉單晶光纖生長設(shè)備填補(bǔ)了國內(nèi)空白。在國際上首次開展了以BaTeMo2O9 (BTM) 為代表的一類新型光電功能單晶的合成、結(jié)構(gòu)、生長、相變、晶體物理特性及光電器件應(yīng)用等系統(tǒng)研究。首次生長了多種有機(jī)-無機(jī)復(fù)合鈣鈦礦晶體，提出了微距空氣升華法生長微納晶體的新方法，發(fā)現(xiàn)了可視化機(jī)械誘導(dǎo)單晶-單晶相變、 自修復(fù)單晶相變等現(xiàn)象。曾獲教育部科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎、山東省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎、日本材料學(xué)會優(yōu)秀報(bào)告獎。獲2015年、2016年度教育部自然科學(xué)二等獎。

龍世兵，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件”技術(shù)分會召集人，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授。長期從事微納加工、阻變存儲器、超寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多種國際著名學(xué)術(shù)期刊的審稿人。主持國家自然科學(xué)基金、科技部（863、973、重大專項(xiàng)、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃）、中科院等資助科研項(xiàng)目15項(xiàng)。在IEEE EDL等國際學(xué)術(shù)期刊和會議上發(fā)表論文100余篇，SCI他引3000余次，H因子30，2篇第一作者IEEE EDL論文入選ESI高引論文（累計(jì)引用居前1%的論文）。獲得/申請專利100余項(xiàng)。

單崇新，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件”技術(shù)分會召集人，鄭州大學(xué)學(xué)術(shù)副校長、教授。主要從事金剛石光電材料與器件研究，發(fā)表學(xué)術(shù)論文300余篇，被引用11000余次。先后主持國家重大儀器研制項(xiàng)目、國家自然科學(xué)基金委-河南省聯(lián)合基金重點(diǎn)項(xiàng)目等科研項(xiàng)目。

王新強(qiáng)，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件”技術(shù)分會召集人，北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長。長期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理與器件研究，取得了一系列創(chuàng)新成果。研究成果多次被英國半導(dǎo)體雜志“Semiconductor Today”報(bào)道。在Nature 子刊， Adv Mater，Nano Letters, Appl. Phys. Lett.等刊物上發(fā)表論文160余篇，SCI引用2300多次。在國際學(xué)術(shù)會議邀請報(bào)告近30次，受邀在兩部英文專著中撰寫了二章節(jié)，申請/獲得發(fā)明專利12項(xiàng)，擔(dān)任國家重點(diǎn)研究計(jì)劃項(xiàng)目負(fù)責(zé)人（首席），承擔(dān)國家“863”計(jì)劃重大項(xiàng)目等多項(xiàng)課題。

王宏興，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件”技術(shù)分會召集人，西安交通大學(xué)教授。2001年在日本德島大學(xué)獲得博士學(xué)位，其后作為高級研究員、執(zhí)行董事、研發(fā)經(jīng)理等職在日本Seki technotron 等公司工作。于2013年全職回國加入西安交通大學(xué)。主要研究領(lǐng)域?yàn)椋喊雽?dǎo)體生長用MOCVD，MPCVD；III-V氮化物材料及發(fā)光器件；大尺寸單晶金剛石及電子器件；金剛石基GaN復(fù)合器件；量子光源及傳感器。多項(xiàng)成果被采納用于規(guī)?；a(chǎn)。擁有100余項(xiàng)專利，發(fā)表文章120余篇。

葉建東，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件”技術(shù)分會召集人，長期從事寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料、物理與器件研究，主持和完成國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、國家優(yōu)秀青年基金、江蘇省杰出青年基金、江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等。在IEEE Power Electron. Dev., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans. Electron Dev., Appl. Phys. Lett等學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表130余篇，受邀綜述3篇，專著1章，申請/授權(quán)發(fā)明專利15/7項(xiàng)。

劉玉懷，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件”技術(shù)分會召集人，鄭州大學(xué)教授。主要研究方向?yàn)榈锇雽?dǎo)體材料與器件，主持國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃政府間國際科技創(chuàng)新合作重點(diǎn)專項(xiàng)（基于氮化物半導(dǎo)體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、河南省科技攻關(guān)項(xiàng)目等12項(xiàng)。發(fā)表論文與會議報(bào)告215篇，國際會議邀請報(bào)告12次。日本專利公開1項(xiàng)、授權(quán)中國發(fā)明專利1項(xiàng)、實(shí)用新型項(xiàng)專利1項(xiàng)、軟件著作權(quán)5項(xiàng)。紫外LED技術(shù)轉(zhuǎn)移1項(xiàng)。目前主持第三批“智匯鄭州1125創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍團(tuán)隊(duì)”三色LED集成芯片項(xiàng)目，參與寧波市2025重大科技專項(xiàng)“深紫外LED產(chǎn)業(yè)化”。

韓根全,“超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件”技術(shù)分會召集人，2015年加入中國西安電子科技大學(xué)。主要從事后摩爾新型微電子器件、芯片和Ga2O3功率器件研究。2019年創(chuàng)新發(fā)現(xiàn)不定型類鐵電柵介質(zhì)材料并實(shí)現(xiàn)非易失晶體管器件，有望顛覆德國人發(fā)現(xiàn)的多晶摻雜HfO2基鐵電系列，推動非易失嵌入式存儲器在FinFET/Nanosheet FET等先進(jìn)3D晶體管中的應(yīng)用。2019年通過智能剝離和轉(zhuǎn)移技術(shù)（與中科院微系統(tǒng)所歐欣研究員合作）實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱襯底的Ga2O3功率器件，徹底解決Ga2O3導(dǎo)熱問題，該成果為Compound Semiconductors網(wǎng)站報(bào)道，美國DARPA跟蹤研究。他發(fā)表了200 多篇技術(shù)論文和 30 項(xiàng)已授權(quán)/正在申請的專利。他是 IEEE Electron Device Letters 的編輯。

張進(jìn)成,“超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件”技術(shù)分會召集人，西安電子科技大學(xué)副校長。寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導(dǎo)體技術(shù)國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任。主要研究領(lǐng)域?yàn)閷捊麕c超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件，是我國乃至國際上最早開展寬禁帶（第三代）半導(dǎo)體電子器件與材料研究的知名學(xué)者之一。獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎2項(xiàng)（排名第一和第二），省部級科技一等獎4項(xiàng)以及國家教學(xué)成果一等獎1項(xiàng)。

王鋼，中山大學(xué)佛山研究院院長，中山大學(xué)半導(dǎo)體照明材料及器件國家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室主任、教授。主要從事寬禁帶氧化物半導(dǎo)體薄膜材料及器件外延制備技術(shù)、電子器件三維異構(gòu)集成芯片3D打印制造技術(shù)、半導(dǎo)體材料高端裝備研發(fā)等方向的研究。

朱嘉琦，哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授。主要從事晶體及薄膜等研究，擔(dān)任中國機(jī)械工程學(xué)會表面工程分會副主任，中國材料研究學(xué)會極端材料與器件分會副主任,中國儀表材料學(xué)會副理事長, Functional Diamond、Advanced Materials & Devices副主編，獲得中國青年科技獎、省青年五四獎?wù)碌葮s譽(yù)，獲國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎1項(xiàng)，黑龍江省技術(shù)發(fā)明一等獎2項(xiàng)。以負(fù)責(zé)人承擔(dān)國家自然科學(xué)基金6項(xiàng)（含重點(diǎn)1項(xiàng)）、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目2項(xiàng)、國防基礎(chǔ)科研3項(xiàng)、預(yù)研計(jì)劃7項(xiàng)、軍品配套3項(xiàng)等科研項(xiàng)目。成果已應(yīng)用于多種重點(diǎn)型號，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。獲授權(quán)發(fā)明專利82項(xiàng)(轉(zhuǎn)讓21項(xiàng))，在SCIENCE, ADVANCED MATERIALS等知名刊物發(fā)表200余篇學(xué)術(shù)論文，出版學(xué)術(shù)專著2部，譯著1部。

張金風(fēng)，西安電子科技大學(xué)教授。主要研究氮化鎵(GaN) 和金剛石(C) 半導(dǎo)體材料和器件。出版國內(nèi)第一部氮化物半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ｖ兜飳捊麕О雽?dǎo)體材料和電子器件》（科學(xué)出版社, 2013）及其英文版（CRC Press, 2017）, 發(fā)表學(xué)術(shù)論文70余篇，授權(quán)國家發(fā)明專利10余項(xiàng)，獲得教育部高等學(xué)?？茖W(xué)研究優(yōu)秀成果獎技術(shù)發(fā)明獎一等獎和陜西省科學(xué)技術(shù)獎一等獎。研究成果包括IEEE Electron Device Letters對中國金剛石場效應(yīng)管研究的首次和第二次報(bào)道（均為2017年）和Applied Physics Letters首次對中國金剛石核探測器的研究報(bào)道（2020）。

更多論壇信息：

會議時(shí)間：2022年11月7日-10日

會議地點(diǎn)：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊權(quán)益收費(fèi)表

備注：＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。

＊會議現(xiàn)場報(bào)到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會議包括：開幕大會、碳化硅襯底材料生長與加工、射頻電子材料與器件、碳化硅功率電子材料與器件、氮化物襯底材料生長與同質(zhì)外延、超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件、固態(tài)紫外材料與器件、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)、閉幕大會。

＊SSLCHINA相關(guān)會議包括：開幕大會、固態(tài)紫外材料與器件、半導(dǎo)體照明材料與封裝模組、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)、半導(dǎo)體激光器與光通信、教育照明與健康光環(huán)境、光醫(yī)療與健康、閉幕大會。

*產(chǎn)業(yè)峰會包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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