2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。其中，化合物半導體激光器技術分會作為重要分論壇，目前已經確認最新報告嘉賓正式出爐！

半導體激光器是以半導體材料為增益介質的激光器，依靠半導體能帶間的躍遷發(fā)光，通常以天然解理面為諧振腔。因此其具有波長覆蓋面廣、體積小、結構穩(wěn)定、抗輻射能力強、泵浦方式多樣、成品率高、可靠性好、易高速調制等優(yōu)勢。新物理、新概念以及新技術與半導體激光器的融合，為其發(fā)展注入了新鮮的血液，通過與光學、電磁學、微電子學、拓撲學以及量子力學的交叉滲透，催生出了許多新體制激光器，它們或者有大規(guī)模的集成應用前景，或者有優(yōu)秀的光束和光譜質量，或者有更高更穩(wěn)定的輸出功率，或者有更小的體積和突破衍射極限的光斑，或者便于調制和倍頻，或者具有讓人興奮的微小功耗。其中，半導體激光器在光纖通信領域的發(fā)展?jié)摿薮蟆５靡嬗诎雽w激光器成本低、功耗低的優(yōu)勢，目前其已在光纖通信網絡領域被廣泛地應用。

作為IFWS&SSLCHINA2022重要分會，特邀中科院半導體所研究員曾一平，廈門大學電子科學與技術學院副院長、教授張保平，老鷹半導體副總裁、首席科學家莫慶偉，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員劉建平，云南鍺業(yè)公司首席科學家、中科院半導體所研究員惠峰等業(yè)內知名專家共同召集。

目前已經確認有來自：波蘭高壓物理研究所、日本名城大學、河南仕佳光子科技股份有限公司、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、蘇州長光華芯光電技術有限公司等知名企業(yè)專家代表共同參與，就化合物半導體激光器技術分享主題報告。

目前初步確認報告嘉賓如下：(仍有部分嘉賓報告正在確認中)

·New devices based on blue laser diodes: SWOT analysis.

Mike LESZCZYNSKI--波蘭高壓物理研究所研究員

·Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers

Tetsuya TAKEUCHI--日本名城大學教授

·激光雷達用大功率 GaAs VCSEL 激光芯片

王 俊--蘇州長光華芯光電技術有限公司副董事長、首席技術官

·VCSEL先進封裝技術進展及應用

林勝--寧波升譜光電股份有限公司副總經理

·激光雷達用的1550nm磷化銦半導體激光器

黃永光--河南仕佳光子科技股份有限公司有源產品技術總監(jiān),中科院半導體所研究員

·氮化鎵基激光器和超輻射管研究進展

劉建平--中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米器件研究部 研究員

·高強度應變多量子阱磷化銦激光二極管的應變相關退化研究

房玉龍--中電科十三所基礎研究部主任

·GaN基微腔激光器的制備

梅洋--廈門大學助理教授

部分嘉賓簡介

張保平，廈門大學電子科學與技術學院副院長、教授。主要在理化學研究所和夏普公司進行半導體材料的外延生長、檢測與器件研制。2006年加入廈門大學，任閩江學者特聘教授至今。主持國家863項目，國家重點研發(fā)計劃項目，基金委重點和面上項目，科工局基礎科學挑戰(zhàn)專題等。目前主要進行第三代半導體GaN材料與器件研究，研制了高品質GaN諧振腔，率領團隊在大陸唯一報道了GaN半導體VCSEL，在國際上首次實現綠光波段和UVC波段VCSEL，以及InGaN量子阱激子極化激元激射。2014~2021年連續(xù)入選愛思唯爾（Elsevier）社發(fā)布的中國高被引學者榜單。任“Semiconductor Science and Technology”執(zhí)行編輯，“Nano-Micro Letters”《發(fā)光學報》《人工晶體學報》等編委。

王俊，蘇州長光華芯光電技術有限公司副董事長、首席技術官

 王俊，蘇州長光華芯光電技術有限公司副董事長、首席技術官。王俊博士有二十多年的高功率半導體激光器行業(yè)經驗，是全球高功率半導體激光器材料生長和器件認知專家。1989年，王俊從中國科學院碩士畢業(yè)后，自費留學加拿大攻讀光電子工程專業(yè)博士，后供職于美國頂尖公司研發(fā)半導體激光器。機緣巧合下，王俊了解到國內同一領域的狀況后，他希望借助自己的技術力量，改變祖國激光領域“有器無芯”的歷史。他毅然放棄外國國籍回國效力，加入長光華芯，短短幾年，王俊帶領團隊開展高功率半導體激光器研發(fā)及產業(yè)化工作，實現國家戰(zhàn)略高技術及民用領域的技術突破，解決我國高功率半導體激光器“有器無芯”的局面，打破國外的技術封鎖。王俊先后獲國家重大人才工程、江蘇省“雙創(chuàng)團隊”領軍人才、蘇州時代新人等榮譽。2021年獲得吳文俊人工智能科學技術獎二等獎，2022年獲得江蘇省科學技術一等獎。

莫慶偉，老鷹半導體副總裁、首席科學家。長期致力于半導體發(fā)光材料與芯片器件的研究和產業(yè)化近20年?，F任浙江老鷹半導體技術有限公司首席科學家，帶領團隊實現大功率光電子器件技術的突破，榮獲Global Frost & Sullivan Award for Technology Innovation、Daimler Special Award for Innovation等獎項。  

Mike LESZCZYNSKI，波蘭高壓物理研究所研究員，波蘭高壓物理研究所教授，半導體微結構實驗室主任。TopGaN Lasers副總裁，該公司是為Quantum Tech制造激光二極管的衍生公司。波蘭水晶生長學會主席。歐洲水晶生長網絡執(zhí)行委員會成員。發(fā)表了約450篇關于半導體的論文，被引用約 7500 次（H factor 43）。 

Tetsuya TAKEUCHI，日本名城大學教授，1999年獲得了明珠大學的博士學位。在為一些公司工作之后，他于2010年再次加入明珠大學，擔任副教授，2015年擔任教授。他一直參與III-V化合物半導體的外延生長以及LED、隧道結和VCSEL的設計/制造。

林勝，高級工程師，寧波升譜光電股份有限公司副總經理。1996年畢業(yè)于浙江大學光儀專業(yè)，多年來一直專注于LED封裝及應用產品的技術開發(fā)和制造。作為項目負責人，承擔多項國家863計劃半導體照明工程課題，申請和獲得20多項專利技術，多次榮獲浙江省和寧波市科技進步獎。

黃永光，博士，中國科學院半導體研究所副研究員，河南仕佳光子科技股份有限公司有源產品技術總監(jiān)，中國科學院大學研究生導師。目前主要從事半導體激光器研究與產品化工作。參與完成973課題1項、中科院研發(fā)項目1項，作為負責人主持了國家自然科學基金、北京市自然科學基金和科技部863項目子課題等各1項，近年來發(fā)表論文10余篇，目前主要關注高速半導體激光器芯片的研發(fā)與應用。主要研究領域方向：1）通信技術中的高速半導體激光器及其產業(yè)化技術研究；2）超短脈沖微細加工技術及其在新型光電器件中的應用。

劉建平，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米器件研究部研究員。2006年至2010年，在美國佐治亞理工學院電子與計算機工程系從事GaN基激光器、LED、HEMT研究，合作教授為美國工程院院士、MOCVD技術的先驅者之一Russell Dupuis教授。2010年5月加入中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所，主要從事GaN基光電子材料與器件研究。在佐治亞理工學院工作期間，研制出高質量的GaN基激光器，閾值電流密度、內量子效率等指標達到國際先進水平（分別為2.5 kA/cm2、92%），研究成果在第15屆國際MOCVD會議上宣講，并被Semiconductor Today 專題報道。加入中科院蘇州納米所后，繼續(xù)從事GaN基激光器研究工作，目前已研制出斜率效率達1.4W/A（外量子效率50%）的藍光激光器。在國際上首次實現了非極性A面GaN襯底上藍光LED的電注入發(fā)光。在國際上較早開展了C面GaN基LED的空穴注入與發(fā)光特性的關系研究，發(fā)現由于空穴注入的限制，實際上只有最靠近p-GaN的一個量子阱發(fā)光，并采用新型多量子結構成功地改善了空穴注入，實現了多量子阱發(fā)光。在國際上較早開展了InGaN/AlInGaN多量子阱LED和激光器的研究，提高了LED和激光器的內量子效率。已在國際刊物Applied Physics Letters、Journal of Crystal Growth等上發(fā)表SCI收錄論文37篇，影響因子在3.0以上的10篇。SCI論文被引次數為250次以上。

房玉龍，中國電子科技集團公司第十三研究所研究員。一直深耕SiC、GaN、GaAs、InP等化合物半導體材料領域，帶領團隊在射頻、光電子、電力電子材料等方向突破多項關鍵技術，多項成果處于國際領先水平，有力支撐了多項重大裝備發(fā)展和5G、電力電子、光通訊等民品產業(yè)化。先后榮獲省部級科技進步獎、中國電科杰出青年、三代半聯盟卓越青年等榮譽。

梅洋，廈門大學助理教授，2014年本科畢業(yè)于中國地質大學（武漢）電子信息工程專業(yè)，2020年博士畢業(yè)于廈門大學電子科學與技術專業(yè)，2017年至2019年赴東京大學聯合培養(yǎng)。9月加盟廈門大學微電子與集成電路系。主要從事半導體激光器、面發(fā)射激光器、GaN基發(fā)光器件、激子極化激元器件等方面研究。其使用InGaN量子點有源區(qū)制備出了世界上首支綠光面發(fā)射激光器，發(fā)光波長覆蓋“green gap”。研究生期間，曾獲博士研究生國家獎學金、唐立新獎學金、光華獎學金。近幾年，以第一作者在Light：Science & Application、Applied Physics Letter、Semiconductor Science and Technology等國際高水平期刊上發(fā)表多篇學術論文。 

更多論壇信息：

會議時間：2022年11月7日-10日

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊權益收費表

備注：＊中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯盟（CSA）或第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。

＊學生參會需提交相關證件。

＊會議現場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關會議包括：開幕大會、碳化硅襯底材料生長與加工、射頻電子材料與器件、碳化硅功率電子材料與器件、氮化物襯底材料生長與同質外延、超寬禁帶半導體材料與器件、固態(tài)紫外材料與器件、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術、閉幕大會。

＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會、固態(tài)紫外材料與器件、半導體照明材料與封裝模組、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術、生物農業(yè)光照技術、半導體激光器與光通信、教育照明與健康光環(huán)境、光醫(yī)療與健康、閉幕大會。

*產業(yè)峰會包括：生物農業(yè)光照技術與產業(yè)應用峰會、生物農業(yè)光照技術與產業(yè)應用峰會、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、UV LED創(chuàng)新應用、Mini/Micro-LED技術產業(yè)應用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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