2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。其中，碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)分會作為重要分論壇，目前已經(jīng)確認(rèn)最新報告嘉賓正式出爐！

材料水平直接決定了器件的性能。以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用。同時，碳化硅外延工藝是非常關(guān)鍵的工藝，器件在外延上實現(xiàn)，外延的質(zhì)量對器件的性能影響非常大，外延質(zhì)量受晶體和襯底加工的影響，碳化硅外延是產(chǎn)業(yè)的中間環(huán)節(jié)，對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到非常關(guān)鍵的作用。

據(jù)組委會透露，作為IFWS 2022的重要分會之一，碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)分會得到了廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司、德國愛思強(qiáng)股份有限公司協(xié)辦支持，由山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長徐現(xiàn)剛教授，中國科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任陳小龍研究員，中科院半導(dǎo)體研究所孫國勝研究員，瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理馮淦博士等業(yè)界知名專家擔(dān)任程序委員會召集人。

目前分會已經(jīng)確認(rèn)有來自：中國科學(xué)院物理研究所、浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、山東大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院、北京工業(yè)大學(xué)、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、德國愛思強(qiáng)股份有限公司、南京百識電子科技有限公司、勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司、臺灣創(chuàng)技工業(yè)股份等科研院校專家學(xué)者與企業(yè)專家代表共同參與，將圍繞碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)分享前沿研究。

目前確認(rèn)報告嘉賓如下：(仍有部分嘉賓報告正在確認(rèn)中)：

·4H碳化硅單晶的制備和加工技術(shù)進(jìn)展

皮孝東——浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院副院長、教授

·大尺寸4H-SiC單晶擴(kuò)徑及襯底制備

陳秀芳——廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理、山東大學(xué)教授

·碳化硅單晶技術(shù)進(jìn)展及挑戰(zhàn)

王英民——中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所首席專家

·碳化硅外延與晶圓制造技術(shù)

宣融——南京百識電子科技有限公司首席執(zhí)行官

·碳化硅及其他化合物半導(dǎo)體外延大規(guī)模量產(chǎn)方案

方子文——德國愛思強(qiáng)股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理

·全球科研信息賦能第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展——基礎(chǔ)研究及科研策略分析

賈維煒——勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司研究員

·液相法碳化硅單晶生長研究進(jìn)展

李輝——中國科學(xué)院物理研究所副研究員

·SiC Wafer研磨加工技術(shù)進(jìn)展

張植芃——臺灣創(chuàng)技工業(yè)股份有限公司

·200 mm碳化硅晶體生長仿真：基于氣相導(dǎo)流板調(diào)控的傳質(zhì)過程優(yōu)化

尹君——廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院副教授

·超快激光輔助加工碳化硅襯底晶圓的研究

陳沛——北京工業(yè)大學(xué)副教授

部分嘉賓簡介

皮孝東，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院副院長、教授。皮孝東，浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室和浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院教授，中國真空學(xué)會理事和中國真空學(xué)會電子材料與器件專業(yè)委員會副主任委員。研究領(lǐng)域主要涉及四族半導(dǎo)體材料和器件。

陳秀芳，山東大學(xué)教授，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理。主要從事寬帶隙碳化硅等半導(dǎo)體材料及相關(guān)器件、超硬材料加工及納米材料的研究。在該領(lǐng)域中，取得系列重要應(yīng)用型科研成果，先后主持承擔(dān)了國家科技重大專項、973計劃、預(yù)研項目、國家重點研發(fā)計劃、科技部“863”計劃、山東省自主創(chuàng)新重大專項等20余項國家及省部級項目。在國內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文40余篇，申請和獲得授權(quán)發(fā)明專利20余項。獲得“山東省技術(shù)發(fā)明一等獎”、“國家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年基金”、“山東省自然科學(xué)杰出青年基金”等。 

方子文，德國愛思強(qiáng)股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理。方子文博士畢業(yè)于英國利物浦大學(xué)工程學(xué)院，主修先進(jìn)半導(dǎo)體沉積技術(shù)，現(xiàn)任AIXTRON中國區(qū)市場營銷和工藝高級部門經(jīng)理。他在AIXTRON曾擔(dān)任工藝科學(xué)家，實驗室部門經(jīng)理等職，精通三五族化合物半導(dǎo)體MOCVD外延材料生長、制備和測試。其中包括硅基GaN材料用于功率及射頻器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器，及Mini/Micro LED顯示面板產(chǎn)品使用的外延材料。 

陳小龍，中國科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員。長期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和新功能晶體材料探索方面的研究工作，先后主持國家863、973和國家科技支撐計劃等23個科研項目，取得了多項研究成果。系統(tǒng)開展了碳化硅晶體生長的基礎(chǔ)和應(yīng)用開發(fā)研究工作，解決了多項關(guān)鍵科學(xué)問題和系列關(guān)鍵技術(shù)，生長出2-4英寸高質(zhì)量晶體；攻克了晶體制備重復(fù)性和穩(wěn)定性等關(guān)鍵工程化問題，在國內(nèi)率先實現(xiàn)了碳化硅晶體的產(chǎn)業(yè)化，碳化硅系列晶片批量供應(yīng)國內(nèi)用戶，并出口至歐美和日本等發(fā)達(dá)國家，打破了國外的長期壟斷，為發(fā)展我國寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奠定了基礎(chǔ)。發(fā)現(xiàn)了一系列新的功能晶體材料，包括新超導(dǎo)體K0.8Fe2Se2和具有潛在應(yīng)用價值的閃爍晶體YBa3B9O18等，精確測定了新化合物的晶體結(jié)構(gòu)，其中120個化合物的衍射數(shù)據(jù)被ICDD收錄為標(biāo)準(zhǔn)衍射數(shù)據(jù)。在國際有影響的學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表和合作發(fā)表論文360余篇，引用8000余次，申請國家發(fā)明專利50項（已授權(quán)40項），起草國家標(biāo)準(zhǔn)3項（已實施）。在國際學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文301篇，共被引用2549次（h因子23）。 

陳沛，北京工業(yè)大學(xué)副教授。研究方向為先進(jìn)電子封裝中的力學(xué)問題與可靠性問題、先進(jìn)電子封裝中的新型材料與結(jié)構(gòu)中的力學(xué)問題。曾承擔(dān)課題國家自然科學(xué)基金青年基金“減薄晶圓損傷層殘余應(yīng)力和力學(xué)性能測量方法研究 （11502005）2016.01-2018.12 （主持）。國家科技重大專項--極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝（“02”專項）任務(wù)“晶圓減薄損傷層表征與控制方法”（2014ZX02504-001-005），2014.1-2017.12（參加）

宣融

宣融，南京百識電子科技有限公司首席執(zhí)行官

張植芃

張植芃，臺灣技創(chuàng)工業(yè)股份 、臺灣漢民集團(tuán)

更多論壇信息：

會議時間：2022年11月7日-10日

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊權(quán)益收費(fèi)表

備注：＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。

＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會。

＊SSLCHINA相關(guān)會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會。

*產(chǎn)業(yè)峰會包括：柔性顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)高峰論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應(yīng)用峰會、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、智慧照明設(shè)計與應(yīng)用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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