早在2017年，納微便發(fā)布了業(yè)界首款集成半橋氮化鎵功率芯片NV6250，截至目前，納微已在該技術(shù)方向下申請了103件專利。
圖1(a)-(b)中分別展示了這103件專利的申請趨勢和申請國家或地區(qū)，從圖中可以看到納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上所申請的專利量從2015年一開始便達(dá)到了最高的33件，經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)，此后的專利申請大多是這些早期專利的后續(xù)同族專利。
（a）申請趨勢
（b）申請國家或地區(qū)
圖1
通過進(jìn)一步分析上述這些專利發(fā)現(xiàn)，納微的專利布局具有以下特點(diǎn)：
1.同族專利多
其中，共計(jì)86件專利要求了在先的優(yōu)先權(quán)，占比約83.5%，這也使得其大部分專利都具有多個同族專利。具有代表性的包括，以US62127725作為優(yōu)先權(quán)的專利共計(jì)40個；以US62051160作為優(yōu)先權(quán)的專利共計(jì)38個（與前者具有部分重疊）。這種方式一方面可以使得后續(xù)的專利具有更早的優(yōu)先權(quán)，另一方面也有利于增加專利之間的關(guān)聯(lián)度，其形成組合式專利保護(hù)。
例如，在這103件專利中，有83件都采用下圖中所示的半橋結(jié)構(gòu)圖，表明這些專利都可應(yīng)用到相同的半橋架構(gòu)中。
圖2
2.專利質(zhì)量較高
從圖3中可以看到，目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達(dá)約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。
圖3
此外，這些專利中，權(quán)利要求項(xiàng)數(shù)大于20項(xiàng)的共計(jì)70件，且大部分具有超過兩項(xiàng)的獨(dú)立權(quán)利要求；在說明書方面，頁數(shù)在50頁以上的共計(jì)73件，其中有17件更是達(dá)到了100頁以上。以上內(nèi)容說明納微專利的保護(hù)層次較多更全面，整體說明書內(nèi)容詳細(xì)豐富，也有利于專利在審查過程中的修改，增加授權(quán)率。
3.保護(hù)角度全面
如上文中所提到的，在納微的這些專利中共有83件都采用了圖2所示的半橋結(jié)構(gòu)示意圖，這些專利通過不同的主題角度對半橋氮化鎵功率芯片產(chǎn)品的各個組成部分進(jìn)行了全面保護(hù)，以下以中國同族專利為例進(jìn)行展示。
在基礎(chǔ)架構(gòu)方面，專利CN110176858B主要對具有低側(cè)功率開關(guān)和高側(cè)功率開關(guān)的半橋式氮化鎵驅(qū)動電路的整體架構(gòu)進(jìn)行了保護(hù)；專利CN107005163B對具有至少一個功率開關(guān)的驅(qū)動架構(gòu)進(jìn)行了保護(hù)。
在電路的各個組成元件方面，下表中按最早優(yōu)先權(quán)日的時間順序進(jìn)行了展示：
1.最早優(yōu)先權(quán)日：20140820
CN106796930B
具有分布式柵極的功率晶體管
核心保護(hù)點(diǎn)的代表附圖
