由東南大學(xué)牽頭制定，遵循CASAS技術(shù)報告制定流程，經(jīng)過起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，團體標準T/CASAS/TR 003—2022《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》于2022年12月9日正式面向產(chǎn)業(yè)發(fā)布。

作為第三代半導(dǎo)體器件的重要代表，氮化鎵（GaN）功率器件憑借優(yōu)異的材料性能，在高頻、高效、高功率密度的電力電子變換領(lǐng)域（如數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、分布式支電、各類消費電子等）具有十分廣闊的應(yīng)用前景和市場機遇。然而，受器件表面陷阱及緩沖層陷阱的影響，目前主流的GaN器件仍然面臨著高壓開關(guān)過程中的動態(tài)電阻退化問題，這為基于GaN器件的電力電子變換器設(shè)計和損耗估算帶來了不確定性。

本報告梳理了GaN HEMT動態(tài)電阻上升的產(chǎn)生機理，分析了相關(guān)影響因素；匯總了動態(tài)電阻測試電路；希望通過本報告的編寫，器件制造商和器件應(yīng)用工程師可對動態(tài)電阻的機理及測試有更加深入的了解，并能在此基礎(chǔ)上結(jié)合產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進展進一步討論，發(fā)掘出更多更詳盡、完善的技術(shù)解決方案，形成更多的產(chǎn)業(yè)共識，從而幫助正確評估動態(tài)電阻引起的系統(tǒng)性能和可靠性問題。

T/CASAS/TR 003—2022《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》包含以下內(nèi)容：a造成動態(tài)電阻的機理解釋匯總；b造成動態(tài)電阻的影響因素匯總；c動態(tài)電阻測試電路匯總。通過本報告，器件制造商和器件應(yīng)用工程師可對動態(tài)電阻的機理及測試有更加深入的了解，從而幫助其解決動態(tài)電阻引起的系統(tǒng)可靠性問題。

報告下載地址：

http://www.casa-china.cn/uploads/soft/221209/12_1115589461.pdf

【主要起草單位】

東南大學(xué)、浙江大學(xué)、南方科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、大連理工大學(xué)、英諾賽科（珠海）科技有限公司、西交利物浦大學(xué)、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、無錫芯朋微電子股份有限公司、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司、深圳智芯微電子科技有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

【主要起草人】

李勝、董澤政、汪青、李祥東、黃火林、銀杉、劉雯、賀致遠、王欽、宋亮、王祥、高偉。

東南大學(xué)“智能功率集成芯片與系統(tǒng)”創(chuàng)新團隊

“智能功率集成芯片與系統(tǒng)”創(chuàng)新團隊來自東南大學(xué)國家專用集成電路系統(tǒng)工程技術(shù)研究中心，團隊負責(zé)人為東南大學(xué)首席教授孫偉鋒教授，團隊由教師9名，博士后2名、博士生及碩士生若干名組成。團隊專注于功率半導(dǎo)體技術(shù)研究，主要包括：功率半導(dǎo)體器件設(shè)計、功率集成工藝開發(fā)、功率半導(dǎo)體器件模型開發(fā)、高壓電路設(shè)計、相關(guān)功率可靠性研究、功率開關(guān)電源、開關(guān)磁阻電機驅(qū)動器，此外在工業(yè)控制等綜合應(yīng)用系統(tǒng)方面也進行了相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)工作。團隊研究成果獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎、教育部技術(shù)發(fā)明一等獎、江蘇省科學(xué)技術(shù)進步一等獎等省部級獎項，發(fā)表IEEE期刊論文，ISPSD和ISSCC會議論文等共計200余篇，獲國內(nèi)外發(fā)明專利100多項。

（來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟）