據(jù)悉，東風旗下智新半導體碳化硅功率模塊項目將于2023年實現(xiàn)量產(chǎn)裝車。

同時，東風汽車與中國信科共建的汽車芯片聯(lián)合實驗室，正在推進車規(guī)級MCU芯片在漢落地，預計2024年實現(xiàn)量產(chǎn)；與中芯國際合作，已完成設計首款MCU芯片。

作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。據(jù)介紹，碳化硅功率模塊項目于2021年1月在智新立項，目前課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風自主新能源乘用車，實現(xiàn)量產(chǎn)。該模塊能推動新能源汽車電氣架構從400V到800V的迭代，從而實現(xiàn)10分鐘充電 80%，并進一步提升車輛續(xù)航里程，降低整車成本。

公開資料顯示，今年10月，東風汽車宣布，與中國中車合資成立的智新半導體已啟動二期項目建設，年產(chǎn)能將達到120萬只，預計2024年建成，不僅能滿足東風公司到2025年產(chǎn)銷100萬輛新能源汽車對IGBT模塊的需求，還能為其他車企供貨。

2019年6月，東風公司與中國中車攜手，成立智新半導體有限公司，開始自主研發(fā)、生產(chǎn)車規(guī)級IGBT模塊。歷時兩年，2021年7月，年產(chǎn)30萬只的IGBT生產(chǎn)線在武漢市東風新能源汽車產(chǎn)業(yè)園正式投產(chǎn)，這也是國內(nèi)首條IGBT模塊全自動化封測流水線。