碳化硅作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅的禁帶寬度更大，碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升；碳化硅材料擊穿電場是硅的10倍，其器件可設計更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度，與相同電壓等級的硅功率器件相比，導通電阻更低；碳化硅具有高電子飽和速度的特性，使器件可工作在更高的開關(guān)頻率；同時，碳化硅材料更高的熱導率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性，使電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進。在新能源發(fā)電、電動汽車等一些重要領域也展現(xiàn)出其巨大的應用潛力。碳化硅器件與高功率應用中常用的硅器件相比具有多項優(yōu)勢，但碳化硅功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)。
一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA ）將于2023年2月7-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。作為IFWS 2022的重要分會之一，得到了勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、南京芯干線科技有限公司、蘇州博湃半導體技術(shù)有限公司的協(xié)辦支持。
目前碳化硅電力電子器件分會已經(jīng)確認有來自：奧地利維也納工業(yè)大學微電子研究所、國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、浙江大學、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、復旦大學、德國弗勞恩霍夫研究所、東南大學、江蘇博睿光電股份有限公司、西安電子科技大學、賀利氏電子、南京芯干線、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、武漢大學、中國電子科技集團公司第五十五研究所等科研院校與代表企業(yè)的知名企業(yè)專家代表共同參與，將圍繞碳化硅功率電子器件技術(shù)分享主題報告。
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技術(shù)分論壇：碳化硅功率電子器件 Technical Sub-Forum: SiC Power Electronic Devices |
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時間：2023年2月9日13:30-18:05 地點：蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 • K5-6 Time: Feb 9, 2023, 13:30-18:05 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K5-6 |
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協(xié)辦支持/Co-organizer: 勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司/Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd. 中國電子科技集團公司第四十八研究所/The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司/NAURA Technology Group Co., Ltd 江蘇博睿光電股份有限公司/Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd 南京芯干線科技有限公司/ Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd. 蘇州博湃半導體技術(shù)有限公司/Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd. |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
盛 況 / SHENG Kuang 浙江大學電氣工程學院院長、教授 Dean and Professor, School of Electrical Engineering, Zhejiang University 張清純 / Jon Zhang 復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任 Distinguished Professor of Fudan University, Director of the Engineering Technology Research Center for SiC Power Devices |
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13:30-13:50 |
Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETs Tibor GRASSER——奧地利維也納工業(yè)大學微電子研究所所長、教授 Tibor GRASSER——Professor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universität Wien, Austria |
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13:50-14:10 |
6500V SiC MOSFET器件研制及電力電子變壓器工程應用 Development of 6500V SiC MOSFET Devices and Engineering Application of Solid State Transformers 楊霏——國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院有限公司教授級高工 YANG Fei——Professorate Senior Engineer of Global Energy Interconnection Research Institute, State Grid |
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14:10-14:30 |
SiC功率器件制造裝備技術(shù)及發(fā)展趨勢 Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment 鞏小亮——中國電子科技集團公司第四十八研究所、半導體裝備研究部主任 Xiaoliang GONG——Director of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation |
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14:30-14:50
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1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究 Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness 任娜——浙江大學特聘副研究員 REN Na——Distinguished Associate Professor of Zhejiang University |
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14:50-15:10 |
等離子刻蝕技術(shù)在第三代化合物半導體領域的應用 Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field 謝秋實——北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理 XIE Qiushi——Deputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd. |
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15:10-15:25 |
比電阻3.3毫歐.平方厘米的1200伏14毫歐SiC MOSFET 1200V 14mohm SiC MOSFET with Rsp,on of 3.3mohm.cm^2 雷光寅——復旦大學副研究員 LEI Guangyin——Associate Professor of Fudan University |
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15:25-15:40 |
茶歇 / Coffee Break |
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15:40-16:00 |
Packaging, Integration and fast switching in Power Electronics: what has been achieved and what´s next? Eckart HOENE——德國弗勞恩霍夫研究所研究員 Eckart HOENE——Research Fellow of Fraunhofer, Germany |
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16:00-16:20 |
電熱應力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測表征方法 Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress 劉斯揚——東南大學教授 LIU Siyang——Professor of Southeast University |
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16:20-16:40 |
High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices 梁超——江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理 LIANG Chao——Deputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd |
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16:40-17:00 |
SiC等離子體波脈沖功率器件與應用研究 Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications 孫樂嘉——西安電子科技大學副教授 SUN Lejia——Associate Professor of Xidian University |
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17:00-17:20 |
GaN HEMT與SIC MOSFET在戶用儲能PCS方向應用優(yōu)勢 Advantages in household energy storage PCS using GaN HEMT and SiC MOSFET 孔令濤——南京芯干線科技有限公司總經(jīng)理 General Manager of All Rights Reserved Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd. |
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17:20-17:35
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SiC功率器件高效無毒的界面改性 Efficient and non-toxic interface modification of SiC 鄭理——中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所副研究員 ZHENG Li——Associate Professor of Shanghai Institute of Microsystems and Information Technology, Chinese Academy of Sciences |
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17:35-17:55 |
Condura.ultraTM無銀AMB氮化硅基板---車規(guī)級功率模塊用高性價比解決方案 Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module 張靖——賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān) ZHANG Jing——Director of Innovation China, Heraeus Electronics |
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17:55-18:10 |
4H-SiC MOSFET中界面碳團簇的形成和遷移率退化機理 Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs 張召富——武漢大學工業(yè)科學研究院研究員 ZHANG Zhaofu——Professor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University |
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18:10-18:25 |
SiC MOSFET熱阻精確測量技術(shù)研究 Research on the technique of accurately measuring thermal resistance of SiC MOSFET 劉奧——中國電子科技集團公司第五十五研究所 LIU AO——Nanjing Electronics Research Institute |
（備注：會前或許微調(diào)，請以現(xiàn)場日程為準。）
附件：
論壇信息
會議時間：2023年2月7日-10日（7日報到）
會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店
程序委員會
主席：
張 榮——廈門大學黨委書記、教授
聯(lián)合主席：
劉 明——中科院院士、復旦大學芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院院長、中科院微電子研究所研究員
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
李晉閩——中國科學院特聘研究員
張國義——北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
徐 科——江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰——廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
張 波——電子科技大學教授
陳 敬——香港科技大學教授
徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
張國旗——荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授
Victor Veliadis——PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學教授
主題論壇召集人（按姓氏拼音排列）：
F1-碳化硅功率電子材料與器件
主題分論壇主席：
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
a.碳化硅功率電子材料與器件
召集人：
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
柏 松——中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員
張清純——復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任
邱宇峰——廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長
張玉明——西安電子科技大學微電子學院院長、教授
王德君——大連理工大學教授
袁 俊——九峰山實驗室功率器件負責人
b.芯片制造工藝及裝備
召集人：
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術(shù)官
杜志游——中微半導體設備(上海)有限公司高級副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
F2-氮化物半導體電子材料與器件
主題分論壇主席：
張 波——電子科技大學教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家
馮志紅——中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任
a.氮化鎵功率電子材料與器件
召集人：
張 波——電子科技大學教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
劉 揚——中山大學教授
孫 錢——中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員
張進成——西安電子科技大學副校長、教授
吳毅鋒——珠海鎵未來科技有限公司總裁
梁輝南——潤新微電子(大連)有限公司總經(jīng)理
王茂俊——北京大學信息科學技術(shù)學院副教授
b.射頻電子材料與器件
召集人：
陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家
蔡樹軍——中國電子科技集團公司第五十八研究所所長
張乃千——蘇州能訊高能半導體有限公司董事長
張 韻——中國科學院半導體研究所副所長、研究員
敖金平——日本德島大學教授、江南大學教授
于洪宇——南方科技大學深港微電子學院院長、教授
馮志紅——中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任
劉建利——中興通訊股份有限公司無線射頻總工
F3-功率電子應用
主題分論壇主席：
劉 勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學電氣工程學院常務副院長、教授
a.功率模塊封裝及可靠性
召集人：
劉 勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學電氣工程學院常務副院長、教授
李世瑋——香港科技大學教授
陸國權(quán)——美國弗吉尼亞大學教授
羅小兵——華中科技大學能源與動力工程學院院長、教授
楊道國——桂林電子科技大學教授
王來利——西安交通大學教授
樊嘉杰——復旦大學青年研究員
姜 克——安世半導體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理
F4-襯底材料與裝備
主題分論壇主席：
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
陶緒堂——山東大學講席教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
a.碳化硅襯底材料生長與加工
召集人
徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
陳小龍——中國科學院物理研究所功能晶體研究與應用中心主任、研究員
孫國勝——中科院半導體研究所研究員
馮 淦——瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理
b.氮化物襯底材料生長與同質(zhì)外延
召集人：
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
徐 科——江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
黎大兵——中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員
畢文剛——江蘇第三代半導體研究院副院長
楊 敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官
c.超寬禁帶半導體材料與器件
召集人:
陶緒堂——山東大學講席教授
龍世兵——中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長、教授
張進成——西安電子科技大學副校長、教授
單崇新——鄭州大學副校長、教授
王新強——北京大學教授、北大東莞光電研究院院長
王宏興——西安交通大學教授
葉建東——南京大學教授
劉玉懷——鄭州大學教授
韓根全——西安電子科技大學教授
d.生長、加工裝備與量測設備
召集人：
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術(shù)官
杜志游——中微半導體設備(上海)有限公司高級副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
F5-半導體照明與光電融合技術(shù)
主題分論壇主席：
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
曾一平——中科院半導體所研究員
a.全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性
召集人：
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
云 峰——西安交通大學教授
羅小兵——華中科技大學能源與動力工程學院院長、教授
伊曉燕——中國科學院半導體研究所研究員
郭偉玲——北京工業(yè)大學教授
汪 萊——清華大學電子工程系副教授、信息光電子研究所所長
汪煉成——中南大學教授
張建立——南昌大學研究員
b.半導體激光器
召集人：
曾一平——中科院半導體所研究員
張保平——廈門大學電子科學與技術(shù)學院副院長、教授
莫慶偉——老鷹半導體副總裁、首席科學家
劉建平——中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員
惠 峰——云南鍺業(yè)公司首席科學家、中科院半導體所研究員
F6-超越照明創(chuàng)新應用
主題分論壇主席：
羅 明——浙江大學光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學附屬眼光醫(yī)院院長、教授
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
遲 楠——復旦大學信息科學與工程學院院長、教授
楊其長——國際歐亞科學院院士、中國農(nóng)業(yè)科學院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員
劉 鷹——浙江大學生物系統(tǒng)工程與食品科學學院院長、教授
a.光品質(zhì)與光健康
召集人
羅 明——浙江大學光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學附屬眼光醫(yī)院院長、教授
郝洛西——同濟大學建筑與城市規(guī)劃學院教授、國際照明學會（CIE）副主席
林燕丹——復旦大學教授
熊大曦——中國科學院蘇州生物醫(yī)學工程技術(shù)研究所研究員
牟同升——浙江大學教授
魏敏晨——香港理工大學副教授
蔡建奇——中國標準化研究院視覺健康與安全防護實驗室主任、研究員
劉 強——武漢大學顏色科學與圖像傳播研究所所長、副教授
b.光醫(yī)療
召集人：
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
張鳳民——黑龍江省醫(yī)學科學院副院長，哈爾濱醫(yī)科大學伍連德書院院長、國家地方聯(lián)合工程研究中心主任
王彥青——復旦大學基礎醫(yī)學院教授
崔錦江——中科院蘇州醫(yī)工所光與健康研究中心副主任、研究員
蔡本志——哈爾濱醫(yī)科大學教授
董建飛——中國科學院蘇州生物醫(yī)學工程技術(shù)研究所研究員
陳德福——北京理工大學醫(yī)工融合研究院特聘副研究員
楊 華——中國科學院半導體研究所副研究員
c.光通信與傳感
召集人：
遲 楠——復旦大學信息科學與工程學院院長、教授
馬驍宇——中科院半導體研究所研究員
陳雄斌——中國科學院半導體研究所研究員
田朋飛——復旦大學副研究員
李國強——華南理工大學教授
林維明——福州大學教授
房玉龍——中國電子科技集團公司第十三研究所研究員
d.生物與農(nóng)業(yè)光照
召集人：
楊其長——國際歐亞科學院院士、中國農(nóng)業(yè)科學院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員
唐國慶——中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副理事長、木林森執(zhí)行總經(jīng)理
劉 鷹——浙江大學生物系統(tǒng)工程與食品科學學院院長、教授
泮進明——浙江大學教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長
賀冬仙——中國農(nóng)業(yè)大學教授
陳 凱——華普永明光電股份有限公司董事長、總裁
華桂潮——四維生態(tài)董事長
徐 虹——廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理
劉厚誠——華南農(nóng)業(yè)大學教授
李紹華——中科三安光生物產(chǎn)業(yè)研究院院長
F7-新型顯示材料及應用
主題分論壇主席：
嚴 群——福州大學教授
孫小衛(wèi)——南方科技大學電子與電氣工程系講席教授
畢 勇——中國科學院理化技術(shù)研究所研究員、激光應用中心主任
a.Mini/Micro-LED顯示材料與裝備
召集人：
嚴 群——福州大學教授
王新強——北京大學東莞光電研究院院長、北京大學教授
閆春輝——中民研究院常務副院長、納微朗科技（深圳）有限公司董事長
劉 斌——南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
黃 凱——廈門大學物理科學與技術(shù)學院副院長、教授
馬松林——TCL集團工業(yè)研究院副院長
劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
邱 云——京東方科技集團股份有限公司技術(shù)企劃部副總監(jiān)
劉召軍——南方科技大學研究員
b.激光顯示三基色材料與器件
畢 勇——中國科學院理化技術(shù)研究所研究員、激光應用中心主任
趙德剛——中國科學院半導體研究所研究員
c.鈣鈦礦、量子點及柔性照明與顯示等
召集人：
孫小衛(wèi)——南方科技大學電子與電氣工程系講席教授
廖良生——蘇州大學教授
徐 征——北京交通大學教授
段 煉——清華大學教授
鐘海政——北京理工大學教授
F8-固態(tài)紫外材料與器件
主題分論壇主席：
康俊勇——廈門大學教授
王軍喜——中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心主任
a.固態(tài)紫外發(fā)光材料與器件
b.紫外探測材料與器件
召集人：
康俊勇——廈門大學教授
王軍喜——中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心主任
黎大兵——中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員
陸 海——南京大學教授
陳長清——華中科技大學教授
郭浩中——臺灣交通大學特聘教授
李曉航——沙特國王科技大學副教授
許福軍——北京大學物理學院副教授
日程安排
注冊權(quán)益收費表
備注：
＊中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。
＊學生參會需提交相關(guān)證件。
＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
＊IFWS相關(guān)會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件，閉幕大會。
＊SSLCHINA相關(guān)會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應用技術(shù)，化合物半導體激光器技術(shù),閉幕大會。
*產(chǎn)業(yè)峰會包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應用峰會、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應用峰會。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費。
＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。
論壇線上注冊平臺
IFWS&SSLCHINA 2022在線注冊通道
*備注：請微信掃碼查看并注冊，注冊成功后可在個人中心查看電子票信息、申請發(fā)票、為他人報名、分享海報等等。
*防疫提醒：目前全國各地防疫政策逐漸放寬，目前進/出蘇州不再查驗核酸、健康碼，組委會提醒參會代表臨行前能做好自我健康檢測，體溫等無異常者，佩戴好口罩即可現(xiàn)場參會。
即日起至2023年2月1日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。學生參會需提交相關(guān)證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
